
- •Конспект лекцій
- •1. Дискретні електричні компоненти 8
- •1.1. Електричні дроти та кабелі 8
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі 23
- •1.5. Перемикачі та реле 26
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої 33
- •1. Дискретні електричні компоненти
- •1.1. Електричні дроти та кабелі
- •1.1.1. Основні відомості про електричні провідники
- •1.1.2. Описи і назви кабелів
- •Ізоляція і матеріал оболонки
- •1.1.3. Енергетичні та інсталяційні кабелі – позначення типів відповідно до стандартів cenelec
- •1.1.4. Позначення кабелів за стандартом американським awg
- •1.2.1. Основні методи постійного з’єднання провідників
- •1.2.2. Основні типи сучасних роз’ємів
- •1.3. Запобіжники
- •1.3.1. Означення параметрів
- •1.3.2. Конструктивне виконання
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі
- •1.4.1. Струми витоку
- •1.4.2. Принцип дії різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.4.3. Схема та конструкція різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.5. Перемикачі та реле
- •1.5.1. Перемикачі
- •1.5.2. Виконувані перемикачем функції
- •1.5.3. Реле та контактори
- •1.5.4. Захист з’єднувальних пристроїв
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої
- •1.6.1. Трансформатори
- •1.6.2. Мережні перетворювачі
- •1.6.3. Завади
- •1.7.1. Електрохімічна чарунка - основа електрохімічних пристроїв
- •1.7.2. Первинні джерела напруги (гальванічні елементи)
- •1.7.3. Акумулятори (вторинні гальванічні елементи)
- •Заряджання свинцевих акумуляторів
- •1.7.4. Інтегратори, основані на ефекті поверхневого накопичення заряду (“іонікси”)
- •1.7.5. Ртутно-капілярні кулонометри
- •1.7.6. Сонячні елементи і панелі
- •1.8. Електричні світлові пристрої
- •1.8.1. Класифікація джерел світла
- •1.8.2. Величини і технічні одиниці світла
- •1.8.3. Електричні джерела світла
- •1.9. Сенсори
- •1.10. Електричні лічильники імпульсів і лічильники часу
- •1.10.1. Електричні лічильники імпульсів
- •1.10.2. Лічильники часу
- •1.11. Сигналізації
- •1.12. Відведення тепла
- •1.12.1. Радіатори
- •1.12.2. Вентилятори
- •1.13. Електромагніти і двигуни
- •1.13.1 Електромагніти
- •1.13.2. Електричні двигуни
- •1.14. Світловоди
- •1.15. Основні відомості про корпуси для електронних пристроїв
- •1.15.1. Матеріали корпусів
- •1.15.2. Пожежостійкість корпусів
- •1.15.3. Екранувальні властивості корпусів
- •1.15.4. Відведення тепла з корпусів
- •1.15.5. Корпуси стандартного типоряду 19"
- •1.15.6. Класи щільності електричних пристроїв. Норми ір
- •П ерша цифра Друга цифра
- •2. Дискретні електронні компоненти
- •2.1. Котушки індуктивності та дроселі
- •2.1.1. Приклади застосувань котушок індуктивності
- •2.1.2. Імпеданс котушок індуктивності
- •2.1.3. Резонанс
- •2.1.4. Підрахунок параметрів котушок індуктивності без осердь
- •2.1.5. Підрахунок параметрів котушок індуктивності з осердями
- •2.1.6. Магнітне поле
- •2.1.7. Магнітна проникність
- •2.1.8. Магнітні втрати
- •2.1.9. Поверхневий ефект
- •2.1.10. Підрахунок параметрів котушки з осердям
- •2.1.11. Індукція (густина потоку) в осерді
- •2.1.12. Виділення тепла
- •2.1.13. Залежність від температури
- •2.2. Резистори
- •2.2.1. Позначення резисторів
- •2.2.2. Залежність від частоти
- •2.2.3. Залежність від температури
- •2.2.4. Технічні характеристики
- •2.2.5. Шуми
- •2.2.6. Залежність від напруги
- •2.2.7. Конструкція
- •2.2.9. Потенціометри
- •2.2.10. Основні технічні характеристики потенціометрів
- •2.3. Конденсатори
- •2.3.1. Приклади застосувань конденсаторів
- •2.3.2. Типи конденсаторів
- •2.4. Напівпровідникові дискретні компоненти
- •2.4.1. Загальні відомості про напівпровідники
- •2.4.3. Різновиди діодів
- •2.4.4. Основні області використання діодів
- •2.4.4. Тиристори
- •2.4.6. Транзистори
- •2.4.7. Двобазові діоди
- •2.4.8. Електронні лампи
- •2.4.9. Оптоелектронні елементи
- •2.4.10. Основні відомості про виготовлення друкованих плат
- •3. Підсилювачі з від’ємним зворотним зв’язком
- •3.1. Інтегральні операційні підсилювачі
- •3.1.1 Визначення
- •3.1.2 Принципові схеми інтегральних операційних підсилювачів
- •3.1.3 Еквівалента схема операційного підсилювача для низьких частот
- •3.1.4. Основні параметри операційних підсилювачів
- •3.1.5. Частотна корекція оп
- •3.2. Інвертувальний і неінвертувальний підсилювачі
- •3.2.1. Схеми інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.2 Похибки підсилювачів
- •3.2.3. Адитивна складова похибки
- •3.2.4 Вхідні і вихідні опори інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.5. Динамічні властивості інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.3. Диференційні підсилювачі
- •3.3.1. Найпростіший диференційний підсилювач
- •3.3.2. Схеми диференціальних підсилювачів з регульованим коефіцієнтом підсилення
- •3.3.3. Інструментальні диференційні підсилювачі
- •3.3.4. Похибки диференційних підсилювачів
- •3.4. Операційні перетворювачі на базі підсилювачів з від`ємним зворотним зв`язком
- •3.4.1. Підсилювачі з т-подібним ланцюгом від`ємного зворотного зв`язку
- •3.4.2. Підсилювачі змінної напруги
- •3.4.3. Підсилювачі з транзисторним вихідним каскадом
- •3.4.4. Підсилювачі струму
- •3.4.5. Підсилювач заряду
- •3.4.6. Багатовходовий суматор–сустрактор
- •3.4.7. Аналогові інтегратори
- •3.4.8. Аналогові диференціатори
- •3.4.9. Виділення модуля змінної напруги
- •3.4.10. Виділення середньоквадратичного значення напруги
- •3.4.11. Компаратори
- •3.4.12. Пристрої вибірки-зберігання
- •3.4.13. Джерела струму
- •3.4.14. Генератори сигналів синусоїдної форми
- •3.4.15. Генератори прямокутних імпульсів
- •3.4.16. Генератори трикутних імпульсів
- •4. Інтегральні ацп та цап
- •4.1. Аналого-цифрове перетворення
- •4.1.1. Похибка від зміни сигналу протягом перетворення
- •4.1.2. Основні метрологічні характеристики ацп
- •4.1.3. Класифікація аналого-цифрових перетворень
- •4.1.3.3. Ацп з квантуванням параметрів інтенсивності. В ацп даного типу перетворення може відбуватися паралельним чи послідовним способом.
- •4.2. Цифро-аналогові перетворювачі
- •4.2.1. Цап на основі резисторних матриць
- •4.2.2. Цап на основі ємнісних матриць
- •5.1.1.2. Класифікація цифрових пристроїв.
- •5.1.2. Перевід чисел з однієї системи числення в іншу
- •5.2. Принцип дії основних типів логічних елементів
- •5.2.1. Транзисторний ключ – основа схемотехніки логічних елементів
- •5.2.2. Базові елементи транзистор-транзисторної логіки
- •5.2.3. Елементи емітерно-зв`язаної логіки
- •5.2.4. Елементи інтегральної інжекційної логіки
- •5.2.5. Логічні елементи на основі комплементарних мдн-транзисторів
- •5.3. Основні поняття та закони булевої алгебри
- •5.3.1. Основні поняття булевої алгебри
- •5.3.2. Аксіоми Булевої алгебри
- •5.3.3. Основні закони бульової алгебри
- •5.3.4. Властивості логічних функцій
- •5.3.5. Форми зображення логічних функцій
- •5.3.6. Мінімізація логічних функцій
- •5.3.7. Форма зображення цифрових сигналів та способи їх передачі
- •5.4. Інтегральні цифрові мікросхеми
- •5.4.1. Вимоги до інтегральних мікросхем
- •5.4.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •5.4.3. Загальні параметри цифрових мікросхем
- •5.4.4. Основні характеристики мікросхем логічних елементів
- •5.4.5. Застосування логічних елементів
- •5.5. Шифратори, дешифратори та перетворювачі кодів
- •5.5.1. Шифратори
- •5.5.2. Дешифратори
- •5.5.3. Перетворювачі кодів
- •5.6. Мультиплексори та демультиплексори
- •5.6.1. Мультиплексор
- •5.6.2. Демультиплексори
- •5.6.3. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів та мульплексорів
- •5.6.3.1. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів.
- •5.7. Тригери
- •5.7.1. Структурна схема тригерів
- •5.7.2. Види тригерів
- •5.7.3. Двоступеневі тригери
- •5.8. Регістри
- •5.8.1. Регістри пам’яті
- •5.8.2. Регістри зсуву
- •5.8.3. Кільцеві лічильники
- •5.9. Лічильники
- •5.10. Арифметичні пристрої. Комбінаційні суматори. Накопичувальні суматори.
- •5.11. Цифрові компаратори
- •5.11.1. Цифрове порівняння чисел
- •5.11.2. Реалізація компараторів однорозрядних чисел
- •5.11.3. Реалізація компараторів багаторозрядних чисел
- •5.12. Арифметико-логічні пристрої
- •6. Мікропроцесори
- •6.1 Мікропроцесори. Узагальнена структурна схема мікропроцесора. Основні режими роботи.
- •6.2. Класифікація команд мікропроцесора. Види адресації. Структура і формат команд мікропроцесора
- •6.3.Структура програмного забезпечення
- •6.4. Способи проектування програмного забезпечення
- •6.5. Інтерфейси
- •6.5.1. Програмований паралельний інтерфейс
- •6.5.2. Приладний інтерфейс
- •6.5.3. Послідовний інтерфейс
- •Перелік посилань
- •Електронні пристрої випробувальних систем
2.2.2. Залежність від частоти
Щоб легше зрозуміти частотну поведінку резисторів, можна використати просту заступну схему (рис. 2.8), з аналізу якої можна зробити висновок про
Рис. 2.8 – Заступна схема резистора.
R
– опір резистора; CL
- власна ємність резистора; LR
- індуктивність резистивного елемента;
LS
- індуктивність виводів.
наявність резистивних, індуктивних та ємнісних складових. При застосуваннях в колах змінного струму, починають відігравати роль реактивності, які в поєднанні з опором створюють імпеданс, і, в деяких випадках, їх вплив потрібно враховувати.
Наприклад, який імпеданс матиме резистор, виконаний в тонкошаровій технології з номінальним опором 10 кОм на частоті 400 МГц? Припускаємо, що значення власної ємності резистора CL становить 0,1 пФ. Виводи мають довжину 10 мм і діаметр 0,6 мм. За допомогою формули для індуктивності дроту отримаємо індуктивність LS, яка дорівнює 8,4 нГн для кожного виводу. Індуктивність резистивного елементу LR можна підрахувати за формулою для одношарової повітряної котушки. Припускаємо, що діаметр корпусу становить 2 мм, довжина - 4 мм і є 3 навої. Формула дає нам 6,9 нГн. В перерахунку на реактанс отримуємо відповідно: 3979 Ом для CL, 21 Ом для LS і 17 Ом для LR.
Можемо припустити, що індуктивні реактанси є нехтувально малими порівняно з іншими складовими. Провідність G (імпеданс Z) при паралельному з’єднанні буде становити
,
(2.36)
де
- ємнісний опір.
Це рівняння також можна записати як
Р
ис.
2.9 - Заступна схема напиленого резистора
з номінальним значенням опору 10 кОм
на частоті 400 МГц
.
(2.37)
Опір
зі значенням 10 кОм
на частоті 400
МГц
матиме імпеданс
тільки приблизно 3,7 кОм.
Плівкові резистори зі значеннями меншими від 100 Ом можна вважати елементами з індуктивним характером (імпеданс зростає з частотою), від 100 до 470 Ом - майже ідеальним резистором. Резистори зі значеннями вищими від 470 Ом набувають ємнісного характеру (імпеданс зменшується із зростанням частоти). Чим більша значення опору, тим більша ємність. З графіків рис. 2.10 можна підрахувати імпеданс як процент від опору в залежності від частоти для металізованого резистора при різному значенні опору (опір постійному струму).
Дротові резистори мають як високу індуктивність, так і ємність. Їх імпеданс буде найбільшим при резонансній частоті. При частотах нижчих від резонансної мають індуктивний характер, при вищих – ємнісний.
Рис. 2. 10 - Залежність імпедансу від частоти для металізованих резисторів .
2.2.3. Залежність від температури
Струм, що проходить через резистор, спричиняє його нагрівання. Кількість тепла залежить від виділюваної в ньому потужності Р. Вона дорівнює добутку струму І, що проходить через резистор, і спадку напруги U на ньому Р=І·U. Різниця температур між поверхнею резистора та довкіллям поділена на значення виділюваної на ньому потужності називається термічним опором Rth.
Т
емпературу
резистора можна підрахувати за формулою
,
(2.38)
де Ths - температура у найгарячішому місці поверхні; Tamb - температура довкілля; P - потужність у Вт; Rth - термічний опір у К/Вт.
Максимальне значення температури Ths залежить від, наприклад, ізоляційних матеріалів, корпусу і термічної ізоляції Rth між резистивним елементом і поверхнею. Подавана в технічних даних максимальна потужність це потужність, при якій зростання температури P·Rth і температура оточення Tamb спільно спричинили б виникнення максимального значення його температури, яке резистор витримує без зміни параметрів. Якщо температура оточення є вищою, ніж температура, для якої є визначена максимальна потужність (як правило 25, 40 або 70 °С), то максимальна корисна потужність резистора зменшується лінійно зі зростанням температури аж до нуля, це так звана температура нульової потужності і становить для лакованих епоксидною смолою резисторів приблизно 150 °С, для резисторів, ізольованих силіконом і покритих алюмінієм, приблизно 200 °С, а для резисторів, покритих склом приблизно 350 °С.
Якщо перетнути максимальну температуру резистора Ths, то це означатиме скорочення часу служби. Якщо її значно перевищити, то час служби може становити секунди або ж навіть і їх частини.
Існують різні норми визначення часу служби, що використовуються виробниками. Ці норми відрізняються між собою вимогами до способу монтажу, довжини виводів, циркуляції повітря (вертикальний монтаж або горизонтальний), температура оточення, приросту температури, температури поверхні і очікуваного часу служби. Тому резистор, який для одного виробника витримує потужність 1 Вт, для іншого може витримати лише 1/10 Вт, незважаючи на те, що вони є однакового розміру. Досвід показує, що резистори при максимальній потужності використовуються дуже зрідка, навіть і тому, що температура злютованого з’єднання не повинна перевищувати 100°С, щоб воно не підлягало прискореному зношенню.