
- •Конспект лекцій
- •1. Дискретні електричні компоненти 8
- •1.1. Електричні дроти та кабелі 8
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі 23
- •1.5. Перемикачі та реле 26
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої 33
- •1. Дискретні електричні компоненти
- •1.1. Електричні дроти та кабелі
- •1.1.1. Основні відомості про електричні провідники
- •1.1.2. Описи і назви кабелів
- •Ізоляція і матеріал оболонки
- •1.1.3. Енергетичні та інсталяційні кабелі – позначення типів відповідно до стандартів cenelec
- •1.1.4. Позначення кабелів за стандартом американським awg
- •1.2.1. Основні методи постійного з’єднання провідників
- •1.2.2. Основні типи сучасних роз’ємів
- •1.3. Запобіжники
- •1.3.1. Означення параметрів
- •1.3.2. Конструктивне виконання
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі
- •1.4.1. Струми витоку
- •1.4.2. Принцип дії різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.4.3. Схема та конструкція різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.5. Перемикачі та реле
- •1.5.1. Перемикачі
- •1.5.2. Виконувані перемикачем функції
- •1.5.3. Реле та контактори
- •1.5.4. Захист з’єднувальних пристроїв
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої
- •1.6.1. Трансформатори
- •1.6.2. Мережні перетворювачі
- •1.6.3. Завади
- •1.7.1. Електрохімічна чарунка - основа електрохімічних пристроїв
- •1.7.2. Первинні джерела напруги (гальванічні елементи)
- •1.7.3. Акумулятори (вторинні гальванічні елементи)
- •Заряджання свинцевих акумуляторів
- •1.7.4. Інтегратори, основані на ефекті поверхневого накопичення заряду (“іонікси”)
- •1.7.5. Ртутно-капілярні кулонометри
- •1.7.6. Сонячні елементи і панелі
- •1.8. Електричні світлові пристрої
- •1.8.1. Класифікація джерел світла
- •1.8.2. Величини і технічні одиниці світла
- •1.8.3. Електричні джерела світла
- •1.9. Сенсори
- •1.10. Електричні лічильники імпульсів і лічильники часу
- •1.10.1. Електричні лічильники імпульсів
- •1.10.2. Лічильники часу
- •1.11. Сигналізації
- •1.12. Відведення тепла
- •1.12.1. Радіатори
- •1.12.2. Вентилятори
- •1.13. Електромагніти і двигуни
- •1.13.1 Електромагніти
- •1.13.2. Електричні двигуни
- •1.14. Світловоди
- •1.15. Основні відомості про корпуси для електронних пристроїв
- •1.15.1. Матеріали корпусів
- •1.15.2. Пожежостійкість корпусів
- •1.15.3. Екранувальні властивості корпусів
- •1.15.4. Відведення тепла з корпусів
- •1.15.5. Корпуси стандартного типоряду 19"
- •1.15.6. Класи щільності електричних пристроїв. Норми ір
- •П ерша цифра Друга цифра
- •2. Дискретні електронні компоненти
- •2.1. Котушки індуктивності та дроселі
- •2.1.1. Приклади застосувань котушок індуктивності
- •2.1.2. Імпеданс котушок індуктивності
- •2.1.3. Резонанс
- •2.1.4. Підрахунок параметрів котушок індуктивності без осердь
- •2.1.5. Підрахунок параметрів котушок індуктивності з осердями
- •2.1.6. Магнітне поле
- •2.1.7. Магнітна проникність
- •2.1.8. Магнітні втрати
- •2.1.9. Поверхневий ефект
- •2.1.10. Підрахунок параметрів котушки з осердям
- •2.1.11. Індукція (густина потоку) в осерді
- •2.1.12. Виділення тепла
- •2.1.13. Залежність від температури
- •2.2. Резистори
- •2.2.1. Позначення резисторів
- •2.2.2. Залежність від частоти
- •2.2.3. Залежність від температури
- •2.2.4. Технічні характеристики
- •2.2.5. Шуми
- •2.2.6. Залежність від напруги
- •2.2.7. Конструкція
- •2.2.9. Потенціометри
- •2.2.10. Основні технічні характеристики потенціометрів
- •2.3. Конденсатори
- •2.3.1. Приклади застосувань конденсаторів
- •2.3.2. Типи конденсаторів
- •2.4. Напівпровідникові дискретні компоненти
- •2.4.1. Загальні відомості про напівпровідники
- •2.4.3. Різновиди діодів
- •2.4.4. Основні області використання діодів
- •2.4.4. Тиристори
- •2.4.6. Транзистори
- •2.4.7. Двобазові діоди
- •2.4.8. Електронні лампи
- •2.4.9. Оптоелектронні елементи
- •2.4.10. Основні відомості про виготовлення друкованих плат
- •3. Підсилювачі з від’ємним зворотним зв’язком
- •3.1. Інтегральні операційні підсилювачі
- •3.1.1 Визначення
- •3.1.2 Принципові схеми інтегральних операційних підсилювачів
- •3.1.3 Еквівалента схема операційного підсилювача для низьких частот
- •3.1.4. Основні параметри операційних підсилювачів
- •3.1.5. Частотна корекція оп
- •3.2. Інвертувальний і неінвертувальний підсилювачі
- •3.2.1. Схеми інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.2 Похибки підсилювачів
- •3.2.3. Адитивна складова похибки
- •3.2.4 Вхідні і вихідні опори інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.5. Динамічні властивості інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.3. Диференційні підсилювачі
- •3.3.1. Найпростіший диференційний підсилювач
- •3.3.2. Схеми диференціальних підсилювачів з регульованим коефіцієнтом підсилення
- •3.3.3. Інструментальні диференційні підсилювачі
- •3.3.4. Похибки диференційних підсилювачів
- •3.4. Операційні перетворювачі на базі підсилювачів з від`ємним зворотним зв`язком
- •3.4.1. Підсилювачі з т-подібним ланцюгом від`ємного зворотного зв`язку
- •3.4.2. Підсилювачі змінної напруги
- •3.4.3. Підсилювачі з транзисторним вихідним каскадом
- •3.4.4. Підсилювачі струму
- •3.4.5. Підсилювач заряду
- •3.4.6. Багатовходовий суматор–сустрактор
- •3.4.7. Аналогові інтегратори
- •3.4.8. Аналогові диференціатори
- •3.4.9. Виділення модуля змінної напруги
- •3.4.10. Виділення середньоквадратичного значення напруги
- •3.4.11. Компаратори
- •3.4.12. Пристрої вибірки-зберігання
- •3.4.13. Джерела струму
- •3.4.14. Генератори сигналів синусоїдної форми
- •3.4.15. Генератори прямокутних імпульсів
- •3.4.16. Генератори трикутних імпульсів
- •4. Інтегральні ацп та цап
- •4.1. Аналого-цифрове перетворення
- •4.1.1. Похибка від зміни сигналу протягом перетворення
- •4.1.2. Основні метрологічні характеристики ацп
- •4.1.3. Класифікація аналого-цифрових перетворень
- •4.1.3.3. Ацп з квантуванням параметрів інтенсивності. В ацп даного типу перетворення може відбуватися паралельним чи послідовним способом.
- •4.2. Цифро-аналогові перетворювачі
- •4.2.1. Цап на основі резисторних матриць
- •4.2.2. Цап на основі ємнісних матриць
- •5.1.1.2. Класифікація цифрових пристроїв.
- •5.1.2. Перевід чисел з однієї системи числення в іншу
- •5.2. Принцип дії основних типів логічних елементів
- •5.2.1. Транзисторний ключ – основа схемотехніки логічних елементів
- •5.2.2. Базові елементи транзистор-транзисторної логіки
- •5.2.3. Елементи емітерно-зв`язаної логіки
- •5.2.4. Елементи інтегральної інжекційної логіки
- •5.2.5. Логічні елементи на основі комплементарних мдн-транзисторів
- •5.3. Основні поняття та закони булевої алгебри
- •5.3.1. Основні поняття булевої алгебри
- •5.3.2. Аксіоми Булевої алгебри
- •5.3.3. Основні закони бульової алгебри
- •5.3.4. Властивості логічних функцій
- •5.3.5. Форми зображення логічних функцій
- •5.3.6. Мінімізація логічних функцій
- •5.3.7. Форма зображення цифрових сигналів та способи їх передачі
- •5.4. Інтегральні цифрові мікросхеми
- •5.4.1. Вимоги до інтегральних мікросхем
- •5.4.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •5.4.3. Загальні параметри цифрових мікросхем
- •5.4.4. Основні характеристики мікросхем логічних елементів
- •5.4.5. Застосування логічних елементів
- •5.5. Шифратори, дешифратори та перетворювачі кодів
- •5.5.1. Шифратори
- •5.5.2. Дешифратори
- •5.5.3. Перетворювачі кодів
- •5.6. Мультиплексори та демультиплексори
- •5.6.1. Мультиплексор
- •5.6.2. Демультиплексори
- •5.6.3. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів та мульплексорів
- •5.6.3.1. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів.
- •5.7. Тригери
- •5.7.1. Структурна схема тригерів
- •5.7.2. Види тригерів
- •5.7.3. Двоступеневі тригери
- •5.8. Регістри
- •5.8.1. Регістри пам’яті
- •5.8.2. Регістри зсуву
- •5.8.3. Кільцеві лічильники
- •5.9. Лічильники
- •5.10. Арифметичні пристрої. Комбінаційні суматори. Накопичувальні суматори.
- •5.11. Цифрові компаратори
- •5.11.1. Цифрове порівняння чисел
- •5.11.2. Реалізація компараторів однорозрядних чисел
- •5.11.3. Реалізація компараторів багаторозрядних чисел
- •5.12. Арифметико-логічні пристрої
- •6. Мікропроцесори
- •6.1 Мікропроцесори. Узагальнена структурна схема мікропроцесора. Основні режими роботи.
- •6.2. Класифікація команд мікропроцесора. Види адресації. Структура і формат команд мікропроцесора
- •6.3.Структура програмного забезпечення
- •6.4. Способи проектування програмного забезпечення
- •6.5. Інтерфейси
- •6.5.1. Програмований паралельний інтерфейс
- •6.5.2. Приладний інтерфейс
- •6.5.3. Послідовний інтерфейс
- •Перелік посилань
- •Електронні пристрої випробувальних систем
2.1.2. Імпеданс котушок індуктивності
Котушки для змінного струму є залежним від частоти опором, який називається реактансом, і опором для сталого струму, який по суті є опором застосованого дроту. Індуктивний реактанс вираховують за формулою:
XL=ωL, (2.1)
де ω=2·π·f – кутова частота в рад/с; f – частота в Гц; L – індуктивність в Гн.
Імпеданс Z котушки для даної частоті є комплексною величиною опору і реактансу:
.
(2.2)
Для кращого розуміння індуктивної котушку як елемента електричного кола, можна застосувати спрощену схему, подану на рис. 2.1.
Рис. 2.1 – Схема заміщення котушки індуктивності
L - індуктивність котушки; RS - послідовний опір, значення якого рівне опору дроту та інших втрат в дроті і в осерді; CL - власна ємність котушки.
Добротність Q (Q від англ. слова Quality) є відношенням реактансу котушки до її послідовного опору. Нижче значення опору дає вищу добротність Q і фільтри мають більшу крутизну скатів.
Q=XL /RS, (2.3)
2.1.3. Резонанс
Котушка індуктивності спільно з конденсатором створює резонансний контур, який характеризується резонансною частотою, при якій реактанси індуктивності і конденсатора є рівними. При резонансній частоті повний імпеданс системи індуктивність-конденсатор є найнижчим при послідовному з’єднанні (рис. 2.2.а). Формула для резонансної частоти
.
(2.4)
Частота подається в Герцах, оскільки індуктивність L подається у Гн, то ємність CL - у Ф. Якщо L і CL подається відповідно в мГн і мкФ, то частоту отримаємо в МГц.
Р
ис.
2.2 – Еквівалентні схеми та частотні
залежності імпедансів послідовного
(а) та паралельного (б) з’єднань реактансів
Власна ємність котушки CL разом з індуктивністю створюють резонансний контур. Частота такого контуру називається частотою власного резонансу. Власна ємність може створювати проблеми на вищих частотах, оскільки, зазвичай, не передбачається її при підрахунках. Частота при вимірюванні добротності повинна становити не більше, ніж 1/10 резонансної частоти.
2.1.4. Підрахунок параметрів котушок індуктивності без осердь
Енергію, накопичену в котушці індуктивності можна підрахувати за формулою
W=1/(2L·І2), (2.5)
де W – енергія, Дж; L - індуктивність котушки, Гн; І - струм (А), що проходить через котушку.
Перед тим, як перейти до підрахунку параметрів котушок потрібно відмітити, що простий відрізок дроту також має індуктивність. Це важливо враховувати на високих частотах. Тому виводи котушок індуктивності повинні бути якомога коротші, наприклад, при послідовному підключенні з конденсатором. В противному випадку може виникнути нестійке коло. Індуктивність дроту визначається за формулою
.
(2.6)
При довжині дроту l і діаметрі d в см, індуктивність отримаємо в мкГн. Коефіцієнт х залежить від частоти і форми. Якщо дріт прямий, то на високій частоті х=1, а на низькій частоті х=0,75. Якщо дріт буде зігнутий, то індуктивність буде нижча. Для одновиткового круга х=2,45 на високих і х=2,20 на низьких частотах, натомість для квадрата, відповідно, 2,85 і 2,60.
Якщо потрібно збільшити індуктивність, то можна оточити провідником магнітний матеріал, наприклад, у вигляді фериту або намотати багато навоїв спірально. В останньому випадку дріт є справді зігнутим, але ефект взаємодії навоїв буде великим (взаємна індуктивність навоїв). Індуктивність котушки зростає пропорційно до квадрату кількості навоїв у котушці.
Індуктивність одношарової повітряної котушки підраховується за формулою
L=(0,08d2n2)/(3d+9s), (2.6)
де s - довжина котушки (см); d - діаметр подаються (см); n – кількість навоїв; індуктивність котушки отримується в мкГн.
Найвище значення добротності котушки отримується тоді, коли довжина s котушки є в 2-2,5 рази більша, ніж її діаметр. Діаметр котушки d повинен бути в 5 разів більший, ніж діаметр дроту.
Індуктивність багатошарової повітряної котушки підраховується за формулою:
L=(0,08 d2n2)/(3d+9s+10a), (2.7)
де d – середнє значення діаметру; a – товщина котушки вздовж радіуса (всі величини в см); індуктивність в мкГн.
Для друкованих котушок, які виконуються на фольгованих друкованих платах з товщиною плівки 35 мкм, індуктивність вираховується за формулою
L=nDm (nK1+K2), (2.8)
де L - індуктивність в мкГн; n – кількість навоїв; Dm - діаметр котушки в см; K1, K2 - це сталі, значення яких залежать від форми котушки.
Нижче поданий спосіб підрахування Dm, К1 і К2. Наприклад, друкована котушка індуктивності має такі параметри: d1=d2=0,5 мм, товщина мідної фольги, 14 навоїв і d=10 мм. Підрахунок індуктивності:
с=n(d1+d2)=14(0,5+0,5) мм=1,4 см; Dm=c+d=1,4+1,0=2,4 см;
c/Dm=1,4/2,4≈0,58, тоді з рис. 2.3.а знаходимо К1=9,2·10-3; (d1+d2)/ d1=(0,5+0,5)/0,5=2, тоді з рис. 2.3.б знаходимо К2=3,5·10-3. Остаточно отримуємо L=nDm (nK1+K2)=14·2,4(14·9,2·10-3+3,5·10-3)=4,45 мкГн.
Н
а
рис. 2.4. подано математичні співвідношення
для підрахунку
Рис. 2.3 - Залежності для підрахунку сталих К1 та К2 для друкованих котушок індуктивності
еквівалентного діаметра Dm котушок різної конфігурації.
Рис.
2.4 - Обчислення значень Dm
еквівалентного діаметра котушок різної
конфігурації