
- •Конспект лекцій
- •1. Дискретні електричні компоненти 8
- •1.1. Електричні дроти та кабелі 8
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі 23
- •1.5. Перемикачі та реле 26
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої 33
- •1. Дискретні електричні компоненти
- •1.1. Електричні дроти та кабелі
- •1.1.1. Основні відомості про електричні провідники
- •1.1.2. Описи і назви кабелів
- •Ізоляція і матеріал оболонки
- •1.1.3. Енергетичні та інсталяційні кабелі – позначення типів відповідно до стандартів cenelec
- •1.1.4. Позначення кабелів за стандартом американським awg
- •1.2.1. Основні методи постійного з’єднання провідників
- •1.2.2. Основні типи сучасних роз’ємів
- •1.3. Запобіжники
- •1.3.1. Означення параметрів
- •1.3.2. Конструктивне виконання
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі
- •1.4.1. Струми витоку
- •1.4.2. Принцип дії різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.4.3. Схема та конструкція різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.5. Перемикачі та реле
- •1.5.1. Перемикачі
- •1.5.2. Виконувані перемикачем функції
- •1.5.3. Реле та контактори
- •1.5.4. Захист з’єднувальних пристроїв
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої
- •1.6.1. Трансформатори
- •1.6.2. Мережні перетворювачі
- •1.6.3. Завади
- •1.7.1. Електрохімічна чарунка - основа електрохімічних пристроїв
- •1.7.2. Первинні джерела напруги (гальванічні елементи)
- •1.7.3. Акумулятори (вторинні гальванічні елементи)
- •Заряджання свинцевих акумуляторів
- •1.7.4. Інтегратори, основані на ефекті поверхневого накопичення заряду (“іонікси”)
- •1.7.5. Ртутно-капілярні кулонометри
- •1.7.6. Сонячні елементи і панелі
- •1.8. Електричні світлові пристрої
- •1.8.1. Класифікація джерел світла
- •1.8.2. Величини і технічні одиниці світла
- •1.8.3. Електричні джерела світла
- •1.9. Сенсори
- •1.10. Електричні лічильники імпульсів і лічильники часу
- •1.10.1. Електричні лічильники імпульсів
- •1.10.2. Лічильники часу
- •1.11. Сигналізації
- •1.12. Відведення тепла
- •1.12.1. Радіатори
- •1.12.2. Вентилятори
- •1.13. Електромагніти і двигуни
- •1.13.1 Електромагніти
- •1.13.2. Електричні двигуни
- •1.14. Світловоди
- •1.15. Основні відомості про корпуси для електронних пристроїв
- •1.15.1. Матеріали корпусів
- •1.15.2. Пожежостійкість корпусів
- •1.15.3. Екранувальні властивості корпусів
- •1.15.4. Відведення тепла з корпусів
- •1.15.5. Корпуси стандартного типоряду 19"
- •1.15.6. Класи щільності електричних пристроїв. Норми ір
- •П ерша цифра Друга цифра
- •2. Дискретні електронні компоненти
- •2.1. Котушки індуктивності та дроселі
- •2.1.1. Приклади застосувань котушок індуктивності
- •2.1.2. Імпеданс котушок індуктивності
- •2.1.3. Резонанс
- •2.1.4. Підрахунок параметрів котушок індуктивності без осердь
- •2.1.5. Підрахунок параметрів котушок індуктивності з осердями
- •2.1.6. Магнітне поле
- •2.1.7. Магнітна проникність
- •2.1.8. Магнітні втрати
- •2.1.9. Поверхневий ефект
- •2.1.10. Підрахунок параметрів котушки з осердям
- •2.1.11. Індукція (густина потоку) в осерді
- •2.1.12. Виділення тепла
- •2.1.13. Залежність від температури
- •2.2. Резистори
- •2.2.1. Позначення резисторів
- •2.2.2. Залежність від частоти
- •2.2.3. Залежність від температури
- •2.2.4. Технічні характеристики
- •2.2.5. Шуми
- •2.2.6. Залежність від напруги
- •2.2.7. Конструкція
- •2.2.9. Потенціометри
- •2.2.10. Основні технічні характеристики потенціометрів
- •2.3. Конденсатори
- •2.3.1. Приклади застосувань конденсаторів
- •2.3.2. Типи конденсаторів
- •2.4. Напівпровідникові дискретні компоненти
- •2.4.1. Загальні відомості про напівпровідники
- •2.4.3. Різновиди діодів
- •2.4.4. Основні області використання діодів
- •2.4.4. Тиристори
- •2.4.6. Транзистори
- •2.4.7. Двобазові діоди
- •2.4.8. Електронні лампи
- •2.4.9. Оптоелектронні елементи
- •2.4.10. Основні відомості про виготовлення друкованих плат
- •3. Підсилювачі з від’ємним зворотним зв’язком
- •3.1. Інтегральні операційні підсилювачі
- •3.1.1 Визначення
- •3.1.2 Принципові схеми інтегральних операційних підсилювачів
- •3.1.3 Еквівалента схема операційного підсилювача для низьких частот
- •3.1.4. Основні параметри операційних підсилювачів
- •3.1.5. Частотна корекція оп
- •3.2. Інвертувальний і неінвертувальний підсилювачі
- •3.2.1. Схеми інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.2 Похибки підсилювачів
- •3.2.3. Адитивна складова похибки
- •3.2.4 Вхідні і вихідні опори інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.5. Динамічні властивості інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.3. Диференційні підсилювачі
- •3.3.1. Найпростіший диференційний підсилювач
- •3.3.2. Схеми диференціальних підсилювачів з регульованим коефіцієнтом підсилення
- •3.3.3. Інструментальні диференційні підсилювачі
- •3.3.4. Похибки диференційних підсилювачів
- •3.4. Операційні перетворювачі на базі підсилювачів з від`ємним зворотним зв`язком
- •3.4.1. Підсилювачі з т-подібним ланцюгом від`ємного зворотного зв`язку
- •3.4.2. Підсилювачі змінної напруги
- •3.4.3. Підсилювачі з транзисторним вихідним каскадом
- •3.4.4. Підсилювачі струму
- •3.4.5. Підсилювач заряду
- •3.4.6. Багатовходовий суматор–сустрактор
- •3.4.7. Аналогові інтегратори
- •3.4.8. Аналогові диференціатори
- •3.4.9. Виділення модуля змінної напруги
- •3.4.10. Виділення середньоквадратичного значення напруги
- •3.4.11. Компаратори
- •3.4.12. Пристрої вибірки-зберігання
- •3.4.13. Джерела струму
- •3.4.14. Генератори сигналів синусоїдної форми
- •3.4.15. Генератори прямокутних імпульсів
- •3.4.16. Генератори трикутних імпульсів
- •4. Інтегральні ацп та цап
- •4.1. Аналого-цифрове перетворення
- •4.1.1. Похибка від зміни сигналу протягом перетворення
- •4.1.2. Основні метрологічні характеристики ацп
- •4.1.3. Класифікація аналого-цифрових перетворень
- •4.1.3.3. Ацп з квантуванням параметрів інтенсивності. В ацп даного типу перетворення може відбуватися паралельним чи послідовним способом.
- •4.2. Цифро-аналогові перетворювачі
- •4.2.1. Цап на основі резисторних матриць
- •4.2.2. Цап на основі ємнісних матриць
- •5.1.1.2. Класифікація цифрових пристроїв.
- •5.1.2. Перевід чисел з однієї системи числення в іншу
- •5.2. Принцип дії основних типів логічних елементів
- •5.2.1. Транзисторний ключ – основа схемотехніки логічних елементів
- •5.2.2. Базові елементи транзистор-транзисторної логіки
- •5.2.3. Елементи емітерно-зв`язаної логіки
- •5.2.4. Елементи інтегральної інжекційної логіки
- •5.2.5. Логічні елементи на основі комплементарних мдн-транзисторів
- •5.3. Основні поняття та закони булевої алгебри
- •5.3.1. Основні поняття булевої алгебри
- •5.3.2. Аксіоми Булевої алгебри
- •5.3.3. Основні закони бульової алгебри
- •5.3.4. Властивості логічних функцій
- •5.3.5. Форми зображення логічних функцій
- •5.3.6. Мінімізація логічних функцій
- •5.3.7. Форма зображення цифрових сигналів та способи їх передачі
- •5.4. Інтегральні цифрові мікросхеми
- •5.4.1. Вимоги до інтегральних мікросхем
- •5.4.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •5.4.3. Загальні параметри цифрових мікросхем
- •5.4.4. Основні характеристики мікросхем логічних елементів
- •5.4.5. Застосування логічних елементів
- •5.5. Шифратори, дешифратори та перетворювачі кодів
- •5.5.1. Шифратори
- •5.5.2. Дешифратори
- •5.5.3. Перетворювачі кодів
- •5.6. Мультиплексори та демультиплексори
- •5.6.1. Мультиплексор
- •5.6.2. Демультиплексори
- •5.6.3. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів та мульплексорів
- •5.6.3.1. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів.
- •5.7. Тригери
- •5.7.1. Структурна схема тригерів
- •5.7.2. Види тригерів
- •5.7.3. Двоступеневі тригери
- •5.8. Регістри
- •5.8.1. Регістри пам’яті
- •5.8.2. Регістри зсуву
- •5.8.3. Кільцеві лічильники
- •5.9. Лічильники
- •5.10. Арифметичні пристрої. Комбінаційні суматори. Накопичувальні суматори.
- •5.11. Цифрові компаратори
- •5.11.1. Цифрове порівняння чисел
- •5.11.2. Реалізація компараторів однорозрядних чисел
- •5.11.3. Реалізація компараторів багаторозрядних чисел
- •5.12. Арифметико-логічні пристрої
- •6. Мікропроцесори
- •6.1 Мікропроцесори. Узагальнена структурна схема мікропроцесора. Основні режими роботи.
- •6.2. Класифікація команд мікропроцесора. Види адресації. Структура і формат команд мікропроцесора
- •6.3.Структура програмного забезпечення
- •6.4. Способи проектування програмного забезпечення
- •6.5. Інтерфейси
- •6.5.1. Програмований паралельний інтерфейс
- •6.5.2. Приладний інтерфейс
- •6.5.3. Послідовний інтерфейс
- •Перелік посилань
- •Електронні пристрої випробувальних систем
1.12. Відведення тепла
Напівпровідники, наприклад транзистори і силові діоди, з огляду на досить великі корпуси, мають можливість віддачі оточенню виділеного в них в результаті втрат енергії тепла, без потреби застосування додаткових пристроїв. Щоб запобігти підвищенню температури вище дозволеної межі, необхідно збільшити відведення тепла. Це можна зробити за допомогою радіаторів, котрі переносять тепло, що утворилось в електричному пристрої до середовища через теплопередачу та випромінювання або ж примусову конвекцію.
1.12.1. Радіатори
Плоска металева плита є найпростішою формою радіатора, але це не є найефективніше вирішення. У більшості випадків застосовуються складніші конструкції, котрі оптимізують вартість, розміри та вагу радіатора.
У напівпровіднику тепло виділяється на p-n переході, звідти в основному переноситься на корпус, а пізніше через радіатор до довколишнього повітря. Таке перенесення тепла можна порівняти з протіканням струму через електричний дріт. Аналогічно до електричного опору R (R=U/I, де U – спад напруги на ділянці кола під час проходження струму I), відповідає йому термічний опір K (K=T/P, де T – температура у певному об’ємі при втраті потужності P в ньому). Наступна формула може слугувати для визначення параметрів радіатора
,
(1.17)
де Тj - температура p-n переходу; Тamb - температура довколишнього повітря; Р – потужність, що виділяється у напівпровіднику; Кj-m - термічний опір між pn переходом та корпусом (ця величина повинна знаходитись в технічних даних елементу, які вказуються виробником); Кm-h - термічний опір між корпусом та радіатором, величина залежить від площі контактної поверхні, якості, розмірів, як і способу виконання (ця величина повинна подаватись у технічних даних); Кh - термічний опір радіатора (це термічний опір між поверхнею радіатора і довколишнім повітрям (поверхня контакту радіатора з повітрям).
Для зменшення термічного опору радіатора (для збільшення відбору виділеного тепла) використовується примусовий обдув радіатора вентилятором. Термічний опір радіатора множиться на коефіцієнт F, щоб отримати зменшені значення, котрі відповідають різним швидкостям повітря (рис. 1.32). Термічний опір між напівпровідником і радіатором повинен бути якомога меншим, чого можна досягти шляхом застосування великої, плоскої і добре обробленої поверхні дотику. Гвинти повинні бути закручені із вказаним моментом, достатнім, щоб отримати добре передавання тепла, але без ризику механічного пошкодження. З метою заповнення контактної поверхні і виведення з неї пухирців повітря, використовують силіконові змазки між напівпровідником та радіатором. Але не варто його використовувати надмірно. Грубі шари зменшують провідність тепла.
Рис. 1.32. – Залежність коефіцієнта охолодження від швидкості повітря вентилятора
Термічний опір Кm-h змінюється в межах (0,14-0,05) °С/Вт.
Часто потрібно ізолювати напівпровідник від радіатора тонкою ізоляційною плівкою. Термічний опір різниться для різних видів матеріалів, з котрих виконуються плівки. Для слюдяної плівки, товщиною 0,05 мм, він становить близько 1 °С/Вт, для слюдяної плівки, товщиною від 0,4 до 0,06 мм, котра є посріблена з обидвох боків, становить близько 0,5 °С/Вт, а для 3 мм товщини алюмінієвої плівки з ізоляційним окисом алюмінію близько 0,3 °С/Вт. Існують також плівки, виконані з картону, силіконової гуми та окису берилію. Найкращою є плівка з окису берилію. Застосовується вона передусім в рівнях сили пристроїв великої частоти. Однак, матеріал є отруйним і не продається в деяких державах, наприклад, Швеції. Ті, хто займається сервісом радіопристроїв, виготовлених за кордоном, повинні мати на увазі те, що вони можуть на ізоляційних плівках містити отруйний окис берилію. Якщо плівка буде поламана або пошкоджена, то вдихання виникненого пилу може загрожувати життю. В результаті цього може бути хронічне отруєння берилієм, що може викликати астматичні захворювання. Довший контакт може викликати онкологічні захворювання. У змазках, що є термічними провідниками, також може знаходитись окис берилію.
Значення термічного опору радіаторів подається зазвичай для чорних поверхонь і вертикальному положенні радіатора. Якщо радіатор є змонтований таким чином, що охолоджувальна поверхня буде горизонтальною, то значення термічного опору зростає на приблизно 20 %. А якщо б випромінювальна поверхня не була чорною або матово оксидною, а білою, то значення термічного опору зросло б приблизно на 15 %. Важливо звернути увагу, що радіатори, котрі пропонуються в різних кольорах, відповідно також мають і різний термічний опір.
Щоб збільшити ефект охолодження, можна застосовувати вимушене охолодження повітря при допомозі вентилятора. Іншим методом збільшення охолодження є застосування елементів Пельтьє, холодна частина якого тоРКК ається напівпровідника, а тепла частина скеровується в напрямку довколишнього повітря або тоРКК ається радіатора. В професійних пристроях застосовуються також радіатори з вбудованими каналами, котрими проходить охолоджувальна рідина – вода або фреон.
В конструкціях, де виникають дуже великі імпульсні втрати енергії істотне значення має термічний імпеданс і термічна ємність радіатора. Вона залежить від тривалості імпульсів, від маси та порогу чутливості інерційної системи. Для дуже коротких термічних імпульсів значення термічного опору корпусу має вирішальне значення для правильної роботи пристроїв.