
- •Конспект лекцій
- •1. Дискретні електричні компоненти 8
- •1.1. Електричні дроти та кабелі 8
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі 23
- •1.5. Перемикачі та реле 26
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої 33
- •1. Дискретні електричні компоненти
- •1.1. Електричні дроти та кабелі
- •1.1.1. Основні відомості про електричні провідники
- •1.1.2. Описи і назви кабелів
- •Ізоляція і матеріал оболонки
- •1.1.3. Енергетичні та інсталяційні кабелі – позначення типів відповідно до стандартів cenelec
- •1.1.4. Позначення кабелів за стандартом американським awg
- •1.2.1. Основні методи постійного з’єднання провідників
- •1.2.2. Основні типи сучасних роз’ємів
- •1.3. Запобіжники
- •1.3.1. Означення параметрів
- •1.3.2. Конструктивне виконання
- •1.4. Різницево-струмові захисні вимикачі
- •1.4.1. Струми витоку
- •1.4.2. Принцип дії різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.4.3. Схема та конструкція різницево-струмових захисних вимикачів
- •1.5. Перемикачі та реле
- •1.5.1. Перемикачі
- •1.5.2. Виконувані перемикачем функції
- •1.5.3. Реле та контактори
- •1.5.4. Захист з’єднувальних пристроїв
- •1.6. Трансформатори, мережні пристрої живлення та проти аварійні пристрої
- •1.6.1. Трансформатори
- •1.6.2. Мережні перетворювачі
- •1.6.3. Завади
- •1.7.1. Електрохімічна чарунка - основа електрохімічних пристроїв
- •1.7.2. Первинні джерела напруги (гальванічні елементи)
- •1.7.3. Акумулятори (вторинні гальванічні елементи)
- •Заряджання свинцевих акумуляторів
- •1.7.4. Інтегратори, основані на ефекті поверхневого накопичення заряду (“іонікси”)
- •1.7.5. Ртутно-капілярні кулонометри
- •1.7.6. Сонячні елементи і панелі
- •1.8. Електричні світлові пристрої
- •1.8.1. Класифікація джерел світла
- •1.8.2. Величини і технічні одиниці світла
- •1.8.3. Електричні джерела світла
- •1.9. Сенсори
- •1.10. Електричні лічильники імпульсів і лічильники часу
- •1.10.1. Електричні лічильники імпульсів
- •1.10.2. Лічильники часу
- •1.11. Сигналізації
- •1.12. Відведення тепла
- •1.12.1. Радіатори
- •1.12.2. Вентилятори
- •1.13. Електромагніти і двигуни
- •1.13.1 Електромагніти
- •1.13.2. Електричні двигуни
- •1.14. Світловоди
- •1.15. Основні відомості про корпуси для електронних пристроїв
- •1.15.1. Матеріали корпусів
- •1.15.2. Пожежостійкість корпусів
- •1.15.3. Екранувальні властивості корпусів
- •1.15.4. Відведення тепла з корпусів
- •1.15.5. Корпуси стандартного типоряду 19"
- •1.15.6. Класи щільності електричних пристроїв. Норми ір
- •П ерша цифра Друга цифра
- •2. Дискретні електронні компоненти
- •2.1. Котушки індуктивності та дроселі
- •2.1.1. Приклади застосувань котушок індуктивності
- •2.1.2. Імпеданс котушок індуктивності
- •2.1.3. Резонанс
- •2.1.4. Підрахунок параметрів котушок індуктивності без осердь
- •2.1.5. Підрахунок параметрів котушок індуктивності з осердями
- •2.1.6. Магнітне поле
- •2.1.7. Магнітна проникність
- •2.1.8. Магнітні втрати
- •2.1.9. Поверхневий ефект
- •2.1.10. Підрахунок параметрів котушки з осердям
- •2.1.11. Індукція (густина потоку) в осерді
- •2.1.12. Виділення тепла
- •2.1.13. Залежність від температури
- •2.2. Резистори
- •2.2.1. Позначення резисторів
- •2.2.2. Залежність від частоти
- •2.2.3. Залежність від температури
- •2.2.4. Технічні характеристики
- •2.2.5. Шуми
- •2.2.6. Залежність від напруги
- •2.2.7. Конструкція
- •2.2.9. Потенціометри
- •2.2.10. Основні технічні характеристики потенціометрів
- •2.3. Конденсатори
- •2.3.1. Приклади застосувань конденсаторів
- •2.3.2. Типи конденсаторів
- •2.4. Напівпровідникові дискретні компоненти
- •2.4.1. Загальні відомості про напівпровідники
- •2.4.3. Різновиди діодів
- •2.4.4. Основні області використання діодів
- •2.4.4. Тиристори
- •2.4.6. Транзистори
- •2.4.7. Двобазові діоди
- •2.4.8. Електронні лампи
- •2.4.9. Оптоелектронні елементи
- •2.4.10. Основні відомості про виготовлення друкованих плат
- •3. Підсилювачі з від’ємним зворотним зв’язком
- •3.1. Інтегральні операційні підсилювачі
- •3.1.1 Визначення
- •3.1.2 Принципові схеми інтегральних операційних підсилювачів
- •3.1.3 Еквівалента схема операційного підсилювача для низьких частот
- •3.1.4. Основні параметри операційних підсилювачів
- •3.1.5. Частотна корекція оп
- •3.2. Інвертувальний і неінвертувальний підсилювачі
- •3.2.1. Схеми інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.2 Похибки підсилювачів
- •3.2.3. Адитивна складова похибки
- •3.2.4 Вхідні і вихідні опори інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.2.5. Динамічні властивості інвертувального і неінвертувального підсилювачів
- •3.3. Диференційні підсилювачі
- •3.3.1. Найпростіший диференційний підсилювач
- •3.3.2. Схеми диференціальних підсилювачів з регульованим коефіцієнтом підсилення
- •3.3.3. Інструментальні диференційні підсилювачі
- •3.3.4. Похибки диференційних підсилювачів
- •3.4. Операційні перетворювачі на базі підсилювачів з від`ємним зворотним зв`язком
- •3.4.1. Підсилювачі з т-подібним ланцюгом від`ємного зворотного зв`язку
- •3.4.2. Підсилювачі змінної напруги
- •3.4.3. Підсилювачі з транзисторним вихідним каскадом
- •3.4.4. Підсилювачі струму
- •3.4.5. Підсилювач заряду
- •3.4.6. Багатовходовий суматор–сустрактор
- •3.4.7. Аналогові інтегратори
- •3.4.8. Аналогові диференціатори
- •3.4.9. Виділення модуля змінної напруги
- •3.4.10. Виділення середньоквадратичного значення напруги
- •3.4.11. Компаратори
- •3.4.12. Пристрої вибірки-зберігання
- •3.4.13. Джерела струму
- •3.4.14. Генератори сигналів синусоїдної форми
- •3.4.15. Генератори прямокутних імпульсів
- •3.4.16. Генератори трикутних імпульсів
- •4. Інтегральні ацп та цап
- •4.1. Аналого-цифрове перетворення
- •4.1.1. Похибка від зміни сигналу протягом перетворення
- •4.1.2. Основні метрологічні характеристики ацп
- •4.1.3. Класифікація аналого-цифрових перетворень
- •4.1.3.3. Ацп з квантуванням параметрів інтенсивності. В ацп даного типу перетворення може відбуватися паралельним чи послідовним способом.
- •4.2. Цифро-аналогові перетворювачі
- •4.2.1. Цап на основі резисторних матриць
- •4.2.2. Цап на основі ємнісних матриць
- •5.1.1.2. Класифікація цифрових пристроїв.
- •5.1.2. Перевід чисел з однієї системи числення в іншу
- •5.2. Принцип дії основних типів логічних елементів
- •5.2.1. Транзисторний ключ – основа схемотехніки логічних елементів
- •5.2.2. Базові елементи транзистор-транзисторної логіки
- •5.2.3. Елементи емітерно-зв`язаної логіки
- •5.2.4. Елементи інтегральної інжекційної логіки
- •5.2.5. Логічні елементи на основі комплементарних мдн-транзисторів
- •5.3. Основні поняття та закони булевої алгебри
- •5.3.1. Основні поняття булевої алгебри
- •5.3.2. Аксіоми Булевої алгебри
- •5.3.3. Основні закони бульової алгебри
- •5.3.4. Властивості логічних функцій
- •5.3.5. Форми зображення логічних функцій
- •5.3.6. Мінімізація логічних функцій
- •5.3.7. Форма зображення цифрових сигналів та способи їх передачі
- •5.4. Інтегральні цифрові мікросхеми
- •5.4.1. Вимоги до інтегральних мікросхем
- •5.4.2. Класифікація інтегральних мікросхем
- •5.4.3. Загальні параметри цифрових мікросхем
- •5.4.4. Основні характеристики мікросхем логічних елементів
- •5.4.5. Застосування логічних елементів
- •5.5. Шифратори, дешифратори та перетворювачі кодів
- •5.5.1. Шифратори
- •5.5.2. Дешифратори
- •5.5.3. Перетворювачі кодів
- •5.6. Мультиплексори та демультиплексори
- •5.6.1. Мультиплексор
- •5.6.2. Демультиплексори
- •5.6.3. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів та мульплексорів
- •5.6.3.1. Синтез комбінаційних пристроїв на основі дешифраторів.
- •5.7. Тригери
- •5.7.1. Структурна схема тригерів
- •5.7.2. Види тригерів
- •5.7.3. Двоступеневі тригери
- •5.8. Регістри
- •5.8.1. Регістри пам’яті
- •5.8.2. Регістри зсуву
- •5.8.3. Кільцеві лічильники
- •5.9. Лічильники
- •5.10. Арифметичні пристрої. Комбінаційні суматори. Накопичувальні суматори.
- •5.11. Цифрові компаратори
- •5.11.1. Цифрове порівняння чисел
- •5.11.2. Реалізація компараторів однорозрядних чисел
- •5.11.3. Реалізація компараторів багаторозрядних чисел
- •5.12. Арифметико-логічні пристрої
- •6. Мікропроцесори
- •6.1 Мікропроцесори. Узагальнена структурна схема мікропроцесора. Основні режими роботи.
- •6.2. Класифікація команд мікропроцесора. Види адресації. Структура і формат команд мікропроцесора
- •6.3.Структура програмного забезпечення
- •6.4. Способи проектування програмного забезпечення
- •6.5. Інтерфейси
- •6.5.1. Програмований паралельний інтерфейс
- •6.5.2. Приладний інтерфейс
- •6.5.3. Послідовний інтерфейс
- •Перелік посилань
- •Електронні пристрої випробувальних систем
1.7.1. Електрохімічна чарунка - основа електрохімічних пристроїв
Основним елементом конструкції всіх ЕХП є електрохемічна чарунка, яка складається з електродної системи, що знаходиться в зв`язку з електролітом (рідким чи твердим) (рис. 1.13). В електрохемічній чарунці, межі електрод – електроліт створюють електрохемічну систему, в якій локалізуються діючі в ЕХП процеси хемічного перетворення речовин і обмін носіями заряду. Як відомо, електроліти є провідниками з високою іонною, а метали – з електронною провідністю.
Рис.
1.13. - Схема електрохемічного приладу
З цієї причини процес проходження струму через електрохемічну чарунку можливий лише у випадках, коли в результаті хемічних перетворень на електроді частина електронів з металу витрачається на створення відновленої форми іонних носіїв, а в результаті окислення іонних носіїв на електроді в металевий електрод переходять електрони. Цей процес є складним і утворює предмет вивчення спеціального розділу фізичної хімії – електрохемії. Фізика рідин, поверхневих явищ та електрохемічних процесів на межі рідина – тверде тіло ще не достатньо вивчена, що в суттєвій степені стримує подальший розвиток ЕХП.
Для того, щоб електрохемічна чарунка ЕХП забезпечила збереження своєї внутрішньої будови (фазову будову електроліту, стан поверхні електрод - електроліт) за тривалий час експлуатації та конструктивне сполучення з іншими елементами апаратури, її поміщають в спеціальний корпус 2 з електродами 1 і електролітом 3 (рис. 1.13). Електроди 1 з’єднані з електричними виводами 4.
Електрохімічна чарунка ЕХП може зображатись трьома найбільш типовими схемами (рис. 1.14). Металеві електроди α і α' перебувають у зв’язку з
Рис. 1.14 - Типові схеми електрохемічних чарунок
електролітом β і β', при чому, фазова будова електроліту в електродних межах αβ і α'β' може бути різною. На поверхні самих металевих (або графітових) електродів α і α' можуть бути покриваючі шари з іншого металу або зі з’єднань металу з матеріалом електродів α і α' (наприклад, шар хлориду срібла на сріблі; оксиду танталу на танталі та ін.). В схемі показаній на (рис. 1.14.а) металеві електроди з’єднуються з зовнішніми електричними виводами електрохемічної чарунки з цього ж матеріалу, а на (рис. 1.14.б) для металевих виводів використовується матеріал, що відрізняється від матеріалу електродів α і α'. Всі процеси, що відбуваються в електрохемічній чарунці протікають за рахунок проходження струму I від зовнішнього джерела. На схемі (рис. 1.14.в) завдяки контакту електродів α і α' з електролітом між ними виникає е.р.с., яка під час з’єднання електродів через зовнішнє навантаження викликає протікання через електрохімічну чарунку струму I. В цьому випадку ЕХП є хімічним джерелом струму.
Електрохімічну
чарунку ЕХП γαββ'α'
разом із зовнішнім колом можна розглядати
як термодинамічно закриту систему [5].
Струм I
являє собою швидкість потоку позитивних
зарядів від α
до α'
у зовнішньому колі. У внутрішньому колі
на електродах відбувається електрохімічна
реакція перетворення dm
молів речовин, а у зовнішньому колі
виникає
електронів, у відповідності із законами
електролізу Фарадея:
I=F(dne¯)/dt, (1.5)
де
F-
стала Фарадея (F=96493
1
Кл);
t-
час; I
-
струм, А.
Всередині чарунки заряд між α і α' переноситься окисленою або відновленою формою носіїв, чи тою та іншою разом.
У відповідності із законами Фарадея кількість виділеної речовини на одному електроді і поглинутої на іншому пропорційна пропущеній через електрохімічну чарунку кількості електрики і хімічним еквівалентам, що беруть участь в електродних реакціях речовин.
Реакційні проміжки αβ і α'β' називають подвійним електричним шаром. Він утворений різнойменно зарядженими частинками, що розміщені по обидва боки межі розділу. Розміри реакційних проміжків αβ і α'β' (власне подвійний електричний шар та дифузійна частина електричного шару) визначаються фізико–хімічними властивостями межі електрод–електроліт, складом електроліту, умовами навколишнього середовища (тиск, температура, наявність конвекційних потоків в електроліті), значенням стуму I та тривалістю його протікання. В першому наближенні за реакційні проміжки αβ і α'β' можна взяти щільну частину подвійного електричного шару, напруженість електричного поля, в якій досягає 106 В·см-1. Настільки висока напруженість електричного поля в реакційній зоні особливою мірою пояснює величезний вплив подвійного електричного шару на кінетику електродних процесів. За експериментальними даними в більшості випадків ємність подвійного шару змінюється в межах від 1 до 100 мкФ·см-2. Товщина дифузійної обкладки подвійного шару в сторону електроліту від поверхні електродів α і α' змінюється від 10-8 до 10-6 см в концентрованих розчинах і до 10-4 см в розчинах слабої концентрації.
Питання будови подвійного електричного шару є ключовими для розуміння не тільки механізму електрохімічних реакцій, але й цілого ряду специфічних поверхневих явищ. За рахунок вибору спеціальних конструкцій електрохімічних чарунок, варіації матеріалами електродів та складом електроліту можна змінити структуру подвійного електричного шару і, як наслідок, дістати ЕХП з різними функціональними властивостями.
В більшості практичних випадків, намагаючись створити такі режими роботи електрохімічної чарунки, при яких складова зміни ентропії прямує до нуля dS(i)→0. Це забезпечує найбільшу часову стабільність роботи хемотронних приладів та електролітичних конденсаторів, а для хемічних джерел струму дозволяє дістати наближені до граничних питомі енергетичні характеристики.
Складову зміни ентропії системи dS(e) в одних умовах застосування ЕХП намагаються звести до мінімуму, в інших – до якомога більших значень. Прагнення зменшити dS(e) пов’язане з необхідністю скоротити залежність електричних характеристик ЕХП від дії факторів середовища і, насамперед, від дії теплових полів. Для деяких видів ЕХП, навпаки, намагаючись так організувати внутрішню будову електрохімічної чарунки, щоб dS(e) мало якнайбільше значення для цілком визначених j-х діючих чинників зовнішнього середовища ωj. Якщо в електрохімічній чарунці можливий обмін із середовищем не тільки енергією, а і речовиною, то ЕХП потрібно розглядати як термодинамічно відкриті системи.
В роботі [2] наведена класифікація ЕХП - перетворювачів інформації з використаних для їх побудови фізико–хімічних ефектів, а в [5] міститься докладний огляд з прикладених електрохімічних систем, хімічних джерел струму.