Бақылау сұрақтары:
1. р-n ауысуы дегеніміз не?
2. Диод тікелей және кері қосқан кездегі одан жүретін тоқтардың табиғаты қандай?
3. Кедергі қабат дегеніміз не, ол қалай жасалады ?
4. Диодтың вольт-амперлік мінездемесі дегеніміз не?
№9 зертханалық жұмысы
Транзисторды зерттеу
Жұмыстың мақсаты: Сүлбе бойынша ортақ эмиттерге қосылған биполярлық транзистордың жұмыс жасау принципімен және құрылысымен танысу.
Құрал-жабдықтар: Оқу-демонстрациялық стенді, МП37 типті транзистор.
Жалпы теориялық мәліметтер
Транзистор деп күшейткіштік қасиеті негізгі емес заряд жасаушылардың инжекциясы (зарядтардың эмиттерден базаға өту процессі) мен экстракциясына (коллекторлық ауысуға жеткен кемтіктерді өріс көмегімен коллектордің өзіне тартып алуы) негізделген, бір-бірімен өзара әсіресе алатын екі р-n ауысуынан тұратын жартылай өткізгіш приборды айтады.
Транзистор ортасындағы қабатты база (Б) деп, шеткі қабаттардың бірін эмиттер (Э), екіншісін – коллектор (К) деп атайды. Егер сыртқы қабаты р-типті өткізгіштікке ие болатын болса, онда транзисторды р-n-р типті деп атайды. Ал сыртқы қабаты n-типті қабатқа ие болса, онда транзистор n-р-n типті деп аталады. Жалпы база (а) мен жалпы эмиттерге (б) ие болатын транзисторды қосу сүлбесі 1 суретте келтірілген.
транзисторды қосу түріне байланыссыз оны кіріс және шығыс вольт-амперлік характеристикасының жиынтығы сипаттайды. Ортақ базаға ие болатын транзисторды қосқанда кіріс сипаттамасы IЭ эмиттер тоғының шамасы транзистордың коллекторындағы кернеу UКБ = const тұрақты болғанда, түсірілген кернеу UЭБ эмиттер мен ортақ база арасына берілген кернеуге тәуелді болады.
Шығыс характеристикасының жиынтығы эмиттерден өтетін ток IЭ=const тұрақты болғанда IК коллектор тоғы мен коллектормен база арасына түсірілген UКБ кернеуге тәуелді болады. Кіріс (а) және шығыс (б) характеристикаларының түрлері 2 суретте келтірілген.
UКБ =0 тең болған кездегі транзистордың кіріс характеристикасы р-n ауысуының вольт-амперлік характеристикасына ұқсас. Бірақ, коллекторлық ауысуға кернеу берген кезде кіріс характеристикасы солға қарай ығысады. Шығыс характеристикасында үш ерекше аймақты бөліп алып қарастыруға болады. Бірінші аймақ коллекторлық ауысудың кері ығысуына және эмиттер-база ауысуының тікелей ығысуына сәйкес келеді. Бұл аймақты транзистордың белсеңді күшейтуі. Екінші аймақ-қанығу аймағы. Бұл аймақ транзистордың екі р-n ауысу аймағының тікелей бағытта ығысуына сәйкес келеді. Үшінші аймақ- кесу аймағы деп аталады. Бұл жерде р-n ауысуы кері бағытта ығысады. Транзистордың эмиттеріндегі ток IЭ=0 тең болғанда, шығыс характеристикасына диодтың кері бағытта ығысқан вольт-амперлік характеристикасының ұқсайды.
Ортақ эмиттерге ие болатын сүлбе бойынша қосылған транзистордың кіріс (а) және шығыс (б) вольт-амперлік характеристикасының жиынтығы 3 суретте келтірілген.
Бұл жағдайда кіріс характеристикасы базалық токтың база мен эмиттер арасындағы кернеу UКЭ=const болған кездегі тәуелділігін береді. коллектордағы кернеу шамасы UK=0 тең болған кезде кіріс характеристикасы координата бас нүктесі арқылы жүреді. Коллекторлық кернеуді үлкейткен кезде кіріс характеристикасы оңға және төмен ығысады. базалы ток шамасы IБ=const болған кездегі шығыс характеристикасының жиынтығы коллектордағы ток пен ондағы кернеуге тәуелді болады.
