- •Тема 2.1. Субмикронные полупроводниковые транзисторы
- •2.1.5. Субмикронные мдп–транзисторы и нанотранзисторы
- •2.1.5.1. Масштабирование субмикронных мдп–транзисторов [18]
- •2.1.5.2. Технология «кремний–на–изоляторе» [15,19]
- •2.1.5.3. Технология напряженного кремния [19,20]
- •2.1.6. Трехмерные транзисторные структуры
- •2.1.6.1. Переход к трехмерным структурам
- •2.1.6.2. Трехмерные структуры Matrix 3-d Memory [21]
- •2.1.6.3. Транзисторы Intel Tri-Gate [21,22]
- •2.1.6.4. Аналог Tri-Gate от amd
- •2.1.7. Перспективы совершенствования нанотранзисторов
- •2.1.8. Нанотранзисторы Intel и amd для микропроцессоров
- •Вопросы к лекции
Вопросы к лекции
1. По каким причинам при уменьшении размеров полевого транзистора в плоскости кристалла необходимо уменьшать толщину подзатворного диэлектрика?
2. Опишите технологии «кремний-на-изоляторе» и «напряженный кремний». Для чего они используются?
3. Опишите конструкцию и дайте характеристику транзистора Terahertz.
4. Опишите конструкцию и преимущества транзистора FinFET.
5. Чем обусловлено стремление перейти к вертикальным конструкциям МОП-транзисторов?
6. Опишите конструкцию и дайте характеристику транзистора Tri-Gate.
7. Какие технологические проблемы на этапе литографической обработки связаны с изготовлением субмикронных транзисторов?
8. По какой причине вновь разрабатываемые микропроцессоры имеют более низкое напряжение питания?
9. Какие отрицательные эффекты связаны со снижением питания микропроцессоров?
10. По какой причине в новых наноразмерных транзисторных структурах в качестве подзатворного диэлектрика используется окисел гафния вместо SiO2?