Атомное ядро
Строение ядра
Ядро обозначается тем же символом, что и химический элемент
,
где X – символ химического элемента, Z – зарядовое число (порядковый номер в таблице Менделеева, число протонов в ядре), A – массовое число (число нуклонов в ядре). Число нейтронов в ядре N = A – Z.
Радиус
ядра
.
Заряд ядра qя = Zе, е = 1,610-19 Кл, масса ядра mя = mа – Zmе, где mа – масса атома (по таблице, в а.е.м.), mе = 0,000548 а.е.м. = 9,110-31 кг.
–
протон,
–
нейтрон. mр
= 1,00728 а.е.м,
mn
= 1,00867 а.е.м.
1 а.е.м.= 1,6610-27 кг.
m
= (Zmр
+ Nmn)-
mя
– дефект массы – m
= (Z
+ (A–Z)mn)-
mа.
Wсв
= c2m
– энергия связи ядра. [m]
= а.е.м., c2
= 931,5 МэВ/а.е.м, [Wсв]
= МэВ.
–
удельная энергия связи.
[wуд]
= 1 МэВ/нукл.
Радиоактивность
–
основной закон
радиоактивного распада,
где N – число нераспавшихся ядер в момент времени t, N0 – начальное число ядер, – постоянная распада.
–
период полураспада
– время, в течение которого распадается
половина начального количества ядер.
–
число ядер,
распавшихся за время
t.
= 1/ – среднее время жизни ядра – время, в течение которого число нераспавшихся ядер уменьшается в е раз.
–
число атомов,
содержащихся в радиоактивном изотопе
массой m,
m
– молярная
масса, NА
– число Авогадро.
NА =
6,021023 моль-1.
– активность
изотопа.
,
где А0
– активность изотопа в начальный момент
времени. [А]
= 1 Бк (беккерель) = 1 распад/с.
(беккерель).
1 Кu (кюри) = 3,71010 Бк.
а
= А/m
– удельная активность. [а]
= 1 Бк/кг.
,
где а0
– удельная активность изотопа в начальный
момент времени.
Виды распада
-распад:
–
ядро гелия.
+
–
правило
смещения при
-распаде,
X
– материнское ядро, Y
– дочернее ядро.
b–-распад:
b–
–
электрон.
+
+
–
правило
смещения при
b–-распаде,
–
антинейтрино.
b+-распад:
b+
–
позитрон.
+
+
–
правило
смещения при
b+-распаде,
–
нейтрино.
+
+
–
К- захват,
–
нейтрино.
Ядерные реакции
–
ядерная реакция
В ядерных реакциях выполняются законы сохранения:
числа нуклонов: А (до реакции) = А (после реакции),
заряда: Z (до реакции) = Z (после реакции).
Энергия ядерной реакции
Q = c2( масс до реакции - масс после реакции).
Q = ( энергий связи после реакции - энергий связи до реакции).
Q 0 – реакция экзотермическая, протекает с выделением тепла
Q 0 – реакция эндотермическая, протекает с поглощением тепла.
ФТТ
Теплоемкость
молярная теплоемкость твердого тела C = 3R – закон Дюлонга и Пти, где R = 8,31 Дж/(мольК).
Если твердое тело является химическим соединением C = n(3R) –
закон Неймана-Коппа, где n – число атомов в молекуле.
Максимальная энергия колебания Wmax
Wmax
= kТД
= max
= hmax
=
,
где , = 1,0510-34 Джс, h = 6,6210-34 Джс, k = 1,3810-23 Дж/К,
max,
max
максимальная
частота колебаний (
= 2),
min
– минимальная длина волны колебаний,
min
= 2d,
где d
–период решетки,
– скорость звука, ТД
– температура Дебая.
,
где n
– концентрация атомов.
энергия
фононов W
=
= h
=
,
квазиимпульс
фононов
,
где
–
волновое число.
Классическая теория электропроводности металлов
– закон Ома в
дифференциальной форме, j
– плотность тока,
,
где
I
– сила тока,
s
– площадь поперечного сечения,
,
где
–
е = 1,6×10-19 Кл,
n
– концентрация электронов,
др
– средняя дрейфовая скорость упорядоченного
движения носителей заряда,
–электропроводность,
,
–
удельное сопротивление, Е
– напряженность электрического поля.
– закон Джоуля-Ленца
в дифференциальной форме,
-
объемная
плотность тепловой мощности, Q –
количество теплоты, V
– объем, t
– время.
Квантовая теория электропроводности металлов
-
функция распределения Ферми-Дирака,
где f(W) – вероятность заполнения электронами уровня с энергией W, или среднее число электронов в состоянии с энергией W, WF – энергия Ферми, k = 1,3810-23 Дж/К – постоянная Больцмана, Т – абсолютная температура.
энергия
Ферми
,
где m*
=
mе = 9,110-31 кг,
n
– концентрация электронов.
Концентрация
атомов
,
- плотность, m
– молярная
масса,
NА
– число Авогадро.
NА =
6,021023 моль-1.
Электропроводность полупроводников
удельная
электропроводность
= e(nnun+
npup),
где е = 1,6×10-19 Кл,
nn
и
np
концентрации электронов и дырок,
соответственно, un
и
up
– подвижности
электронов и дырок, соответственно.
подвижность
.
Температурная
зависимость электропроводности:
,
сопротивления:
,
где Wg
– ширина запрещенной зоны, k
– постоянная Больцмана,
Т
– абсолютная температура, 0
и R0
– постоянные,
характерные для данного полупроводника.
Красная
граница внутреннего фотоэффекта
,
где с = 3×108 м/с
– скорость света в вакууме.
При
освещении полупроводника концентрация
n
неравновесных носителей заряда и,
соответственно, сила тока I
изменяются по закону
,
при затемнении полупроводника ––
,
где
- время жизни неравновесных носителей
заряда.
