- •Оглавление.
- •Глава 1. Общие сведения.
- •Глава II. Проводниковые и резистивные материалы.
- •Глава III. Полупроводниковые материалы.
- •Глава IV. Диэлектрические материалы.
- •4.6. Контрольные вопросы.
- •Глава V. Магнитные материалы.
- •5.1. Классификация.
- •Глава VI. Конструкционные материалы.
- •Глава VII. Пассивные радиокомпоненты.
- •7.6. Контрольные вопросы.
- •Глава I. Общие сведения.
- •Основные определения.
- •3. Технологические свойства:
- •1.2. Строение радиоматериалов.
- •1.2.1. Строение атома.
- •1.2.2. Виды химических связей.
- •1.2.3. Физическое состояние материалов.
- •1.3.4. Зонная теория твёрдого тела.
- •2.2. Электрические свойства и параметры.
- •2.2.1. Удельное электрическое сопротивление.
- •2.2.2. Температурный коэффициент удельного сопротивления.
- •2.2.3. ТермоЭдс.
- •2.3. Неэлектрические свойства.
- •2.3.1. Механические свойства.
- •2.3.2. Тепловые свойства.
- •2.3.3. Технологические свойства.
- •2.3.4. Специальные свойства.
- •2.4. Материалы высокой проводимости.
- •2.4.1. Медь.
- •2.4.2. Алюминий.
- •2.6. Материалы специального назначения
- •2.6.1. Благородные металлы.
- •2.6.2. Тугоплавкие материалы.
- •2.6.3. Припои.
- •2.6.4. Неметаллические проводники.
- •2.6.4.1. Углеграфитовые материалы.
- •2.6.4.2. Композиционные резистивные и проводящие материалы.
- •2.6.5. Материалы для контактов.
- •2.6.6. Материалы для термопар.
- •2.7. Сверхпроводники и криопроводники.
- •2.8. Контрольные вопросы.
- •Глава III. Полупроводниковые материалы.
- •3.1. Историческая справка.
- •3.2 Классификация полупроводников.
- •3.3. Типы полупроводников.
- •3.3.1. Собственные полупроводники.
- •3.3.2. Примесные полупроводники.
- •3.4. Электронно-дырочный переход.
- •3.6. Параметры полупроводников.
- •3.7. Простые полупроводники.
- •3.8. Полупроводниковые соединения.
- •3.10. Термоэлектрические эффекты.
- •3.11. Эффект Холла.
- •3.12. Проводимость в сильных электрических полях.
- •3.13. Пьезоэлектрические эффекты.
- •3.15. Контрольные вопросы к разделу III.
- •Глава IV. Диэлектрические материалы.
- •4.1. Электрические свойства диэлектриков.
- •4.1.1. Поляризация диэлектриков.
- •4.1.4. Проводимость диэлектриков. Проводимость твёрдых диэлектриков.
- •4.1.5. Диэлектрические потери.
- •4.2. Неэлектрические свойства диэлектриков.
- •4.2.1. Влажностные свойства диэлектриков.
- •4.2.2. Механические свойства.
- •4.2.3. Тепловые свойства.
- •4.3. Твёрдые пассивные органические диэлектрики.
- •4.3.2. Полимеры.
- •4.3.3. Полимеры, получаемые полимеризацией.
- •4.3.4. Полимеры, получаемые поликонденсацией.
- •4.3.6. Волокнистые материалы.
- •4.3.7. Лаки и эмали.
- •4.3.8. Компаунды.
- •4.3.9. Слоистые пластики.
- •4.3.10. Эластомеры.
- •4.4. Неорганические диэлектрики.
- •4.4.1. Свойства неорганических диэлектриков.
- •4.4.3. Ситаллы (стеклокерамика).
- •4.4.4. Электротехническая керамика.
- •4.4.5. Слюда.
- •4.4.6. Асбест.
- •4.4.7. Жидкие диэлектрики.
- •4.4.8. Газообразные диэлектрики.
- •4.5. Активные диэлектрики.
- •4.5.1. Сегнетоэлектрики.
- •4.5.3. Пироэлектрики.
- •4.5.5. Материалы квантовой электроники.
- •4.5.6. Материалы с оптическими эффектами.
- •4.6. Контрольные вопросы к главе IV.
- •Глава V. Магнитные материалы.
- •5.1 Классификация.
- •5.2 Свойства ферромагнетиков.
- •5.3.1. Материалы для постоянных и низкочастотных магнитных полей.
- •5.4. Литые высококоэрцитивные сплавы.
- •5.4.2. Металлокерамические и металлопластические материалы.
- •5.4.3. Магнитотвёрдые ферриты.
- •5.5. Контрольные вопросы.
- •Глава VI. Конструкционные материалы.
- •6.1. Строение конструкционных материалов.
- •6.2. Механические свойства.
- •6.3. Производство чугуна и сталей.
- •6.4. Конструкционные металлические сплавы.
- •6.4.1. Сплавы на основе железа.
- •6.4.2. Сплавы на основе алюминия.
- •6.4.3. Сплавы на основе меди.
- •Глава VII. Пассивные радиокомпоненты.
- •7.1. Общие сведения.
- •7.2.1. Классификация.
- •7.2.2. Параметры резисторов.
- •7.2.5. Свойства резисторов.
- •7.2.6. Специальные резисторы.
- •7.3. Конденсаторы.
- •7.3.2. Классификация конденсаторов.
- •7.3.3. Условные обозначения и маркировка.
- •7.4. Катушки индуктивности.
- •7.4.1. Свойства катушек индуктивности.
- •7.4.3. Классификация катушек индуктивности.
- •7.4.4. Условные графические обозначения.
- •7.4.5. Основные параметры катушек индуктивности.
- •7.4.6. Специальные катушки индуктивности.
- •7.6. Контрольные вопросы.
1.2.2. Виды химических связей.
Атомы в твёрдых телах удерживаются силами химических связей. При объединении атомов в молекулы происходит перестройка электронных оболочек взаимодействующих атомов, сопровождающаяся понижением энергии всей системы (молекула, кристалл) и образованием единого электронного облака. Тип химической связи во многом определяет свойства вещества.
В образовании химической связи участвуют валентные электроны, которые расположены на внешних энергетических уровнях и наименее прочно связаны с ядром. В результате образуются молекулы, ионы, свободные радикалы.
Молекула ― наименьшая электронейтральная частица вещества, обладающая его химическими свойствами и способная к самостоятельному существованию.
Ион ― заряженная частица, представляющая собой атом или группу химически соединённых атомов (анионы, катионы).
Свободные радикалы ― частицы, обладающие ненасыщенной (свободной) валентностью. Обладают высокой химической активностью и не существуют в виде стабильного вещества.
Вступая в соединение, атом стремится приобрести электронную конфигурацию атома ближайшего инертного газа (восьмиэлектронную, двухэлектронную), как отвечающую минимуму энергии и поэтому наиболее стабильную. Различают четыре вида химических связей в веществе.
Металлическая связь является самой
прочной. Слабосвязанные валентные
электроны в металлах легко покидают
свои атомы и свободно перемещаются в
пределах кристалла. Таким образом,
происходит объединение валентных
электронов всех атомов в кристалле. В
узлах кристаллической решётки металла
располагаются положительно заряженные
катионы, а коллективизированные валентные
электроны образуют отрицательно
заряженный электронный газ. Ионы и
электроны связаны электростатическими
силами. Электронный газ определяет
высокую электропроводность и
теплопроводность, пластичность, прочность
и другие характерные свойства металлических
материалов. Стремление атомов металлов
к сближению и уплотнению приводит к
образованию более сложных типов решёток
(рис.1.1).
Рис. 1.1 Кристаллические решётки металлов: а) кубическая объёмно-центрированная; б) кубическая гранецентрированная; в) гексагональная.
Ковалентная связь образуется в результате обобществления валентных электронов соседних атомов. При этом их электронные облака образуют единое облако, принадлежащее одновременно обоим атомами, и каждый атом имеет стабильную двух– или восьмиэлектронную конфигурацию внешней электронной оболочки. Вещества с типично ковалентной связью: Н2, О2, алмаз, Si, Ge и др. Энергия связи значительна. Вещества имеют высокую температуру плавления, прочность и твёрдость.
Ионная связь является результатом электростатического притяжения разноименно заряженных ионов. Типично ионная связь образуется между элементами I и VII групп (NaCl, CsF и т.д.). Атом элемента отдаёт валентный электрон и становится положительно заряженным ионом, а атом неметалла его принимает и становится отрицательно заряженным ионом; при этом их внешние электронные оболочки приобретают стабильную восьмиэлектронную конфигурацию. Энергия ионной связи сопоставима с ковалентной. Ионные соединения отличаются высокой температурой плавления, твёрдостью, прочностью. Все электроны локализованы на орбиталях отдельных атомов и не могут принимать участие в электропроводности, поэтому ионные кристаллы являются изоляторами.
Молекулярная связь Ван-дер-Ваальса ― наиболее слабая химическая связь, которая сводится к электростатическому взаимодействию между атомами, ионами и молекулами в веществе. Её энергия на два порядка ниже энергии, ионной и ковалентной связей. Она обусловлена взаимным влиянием полей электронов, движущихся вокруг ядер соседних атомов. При образовании связи Ван-дер-Ваальса не происходит ни обобществления, ни обмена электронами, имеет место лишь действие сил притяжения между молекулами или атомами, являющимися малыми диполями. Силы Ван-дер-Ваальса быстро уменьшаются с увеличением расстояния между атомами.
