- •Оглавление.
- •Глава 1. Общие сведения.
- •Глава II. Проводниковые и резистивные материалы.
- •Глава III. Полупроводниковые материалы.
- •Глава IV. Диэлектрические материалы.
- •4.6. Контрольные вопросы.
- •Глава V. Магнитные материалы.
- •5.1. Классификация.
- •Глава VI. Конструкционные материалы.
- •Глава VII. Пассивные радиокомпоненты.
- •7.6. Контрольные вопросы.
- •Глава I. Общие сведения.
- •Основные определения.
- •3. Технологические свойства:
- •1.2. Строение радиоматериалов.
- •1.2.1. Строение атома.
- •1.2.2. Виды химических связей.
- •1.2.3. Физическое состояние материалов.
- •1.3.4. Зонная теория твёрдого тела.
- •2.2. Электрические свойства и параметры.
- •2.2.1. Удельное электрическое сопротивление.
- •2.2.2. Температурный коэффициент удельного сопротивления.
- •2.2.3. ТермоЭдс.
- •2.3. Неэлектрические свойства.
- •2.3.1. Механические свойства.
- •2.3.2. Тепловые свойства.
- •2.3.3. Технологические свойства.
- •2.3.4. Специальные свойства.
- •2.4. Материалы высокой проводимости.
- •2.4.1. Медь.
- •2.4.2. Алюминий.
- •2.6. Материалы специального назначения
- •2.6.1. Благородные металлы.
- •2.6.2. Тугоплавкие материалы.
- •2.6.3. Припои.
- •2.6.4. Неметаллические проводники.
- •2.6.4.1. Углеграфитовые материалы.
- •2.6.4.2. Композиционные резистивные и проводящие материалы.
- •2.6.5. Материалы для контактов.
- •2.6.6. Материалы для термопар.
- •2.7. Сверхпроводники и криопроводники.
- •2.8. Контрольные вопросы.
- •Глава III. Полупроводниковые материалы.
- •3.1. Историческая справка.
- •3.2 Классификация полупроводников.
- •3.3. Типы полупроводников.
- •3.3.1. Собственные полупроводники.
- •3.3.2. Примесные полупроводники.
- •3.4. Электронно-дырочный переход.
- •3.6. Параметры полупроводников.
- •3.7. Простые полупроводники.
- •3.8. Полупроводниковые соединения.
- •3.10. Термоэлектрические эффекты.
- •3.11. Эффект Холла.
- •3.12. Проводимость в сильных электрических полях.
- •3.13. Пьезоэлектрические эффекты.
- •3.15. Контрольные вопросы к разделу III.
- •Глава IV. Диэлектрические материалы.
- •4.1. Электрические свойства диэлектриков.
- •4.1.1. Поляризация диэлектриков.
- •4.1.4. Проводимость диэлектриков. Проводимость твёрдых диэлектриков.
- •4.1.5. Диэлектрические потери.
- •4.2. Неэлектрические свойства диэлектриков.
- •4.2.1. Влажностные свойства диэлектриков.
- •4.2.2. Механические свойства.
- •4.2.3. Тепловые свойства.
- •4.3. Твёрдые пассивные органические диэлектрики.
- •4.3.2. Полимеры.
- •4.3.3. Полимеры, получаемые полимеризацией.
- •4.3.4. Полимеры, получаемые поликонденсацией.
- •4.3.6. Волокнистые материалы.
- •4.3.7. Лаки и эмали.
- •4.3.8. Компаунды.
- •4.3.9. Слоистые пластики.
- •4.3.10. Эластомеры.
- •4.4. Неорганические диэлектрики.
- •4.4.1. Свойства неорганических диэлектриков.
- •4.4.3. Ситаллы (стеклокерамика).
- •4.4.4. Электротехническая керамика.
- •4.4.5. Слюда.
- •4.4.6. Асбест.
- •4.4.7. Жидкие диэлектрики.
- •4.4.8. Газообразные диэлектрики.
- •4.5. Активные диэлектрики.
- •4.5.1. Сегнетоэлектрики.
- •4.5.3. Пироэлектрики.
- •4.5.5. Материалы квантовой электроники.
- •4.5.6. Материалы с оптическими эффектами.
- •4.6. Контрольные вопросы к главе IV.
- •Глава V. Магнитные материалы.
- •5.1 Классификация.
- •5.2 Свойства ферромагнетиков.
- •5.3.1. Материалы для постоянных и низкочастотных магнитных полей.
- •5.4. Литые высококоэрцитивные сплавы.
- •5.4.2. Металлокерамические и металлопластические материалы.
- •5.4.3. Магнитотвёрдые ферриты.
- •5.5. Контрольные вопросы.
- •Глава VI. Конструкционные материалы.
- •6.1. Строение конструкционных материалов.
- •6.2. Механические свойства.
- •6.3. Производство чугуна и сталей.
- •6.4. Конструкционные металлические сплавы.
- •6.4.1. Сплавы на основе железа.
- •6.4.2. Сплавы на основе алюминия.
- •6.4.3. Сплавы на основе меди.
- •Глава VII. Пассивные радиокомпоненты.
- •7.1. Общие сведения.
- •7.2.1. Классификация.
- •7.2.2. Параметры резисторов.
- •7.2.5. Свойства резисторов.
- •7.2.6. Специальные резисторы.
- •7.3. Конденсаторы.
- •7.3.2. Классификация конденсаторов.
- •7.3.3. Условные обозначения и маркировка.
- •7.4. Катушки индуктивности.
- •7.4.1. Свойства катушек индуктивности.
- •7.4.3. Классификация катушек индуктивности.
- •7.4.4. Условные графические обозначения.
- •7.4.5. Основные параметры катушек индуктивности.
- •7.4.6. Специальные катушки индуктивности.
- •7.6. Контрольные вопросы.
2.8. Контрольные вопросы.
1. Какие материалы относятся к материалам высокой проводимости?
2. Какие основные области применения у материалов высокой проводимости?
3. Классификация проводниковых материалов.
4. Свойства и параметры меди.
5. Свойства и параметры алюминия.
6. Какие материалы имеют высокое сопротивление?
7. Электрические свойства проводников.
8. Неэлектрические свойства проводников.
9. Свойства и параметры углеграфитовых материалов.
10. Свойства и параметры тугоплавких материалов.
11. В чём проблемы создания надёжных контактов?
12. Назначение, материалы, принцип работы термопар.
13. Свойства сверхпроводников и криопроводников.
14. Способы обеспечения надёжных контактов в электронике.
15. По каким параметрам можно сравнивать и выбирать проводниковые материалы?
Глава III. Полупроводниковые материалы.
Достигнутый уровень развития полупроводниковых материалов и технологий производства полупроводниковых приборов позволил создавать миниатюрные и сверхбыстродействующие вычислительные машины и системы автоматического и дистанционного управления. Без этих достижений немыслима современная энергетика и промышленное производство.
Основным свойством полупроводниковых материалов является возможность менять их проводимость с помощью энергетических воздействий (рис.3.1).
Рис. 3.1 Зависимость удельной проводимости металлов (1)и полупроводников (2) от температур.
3.1. Историческая справка.
1833г Фарадей, изучая свойства сернистого серебра, обнаружил уменьшение его сопротивления при нагревании.
1839г Беккерель обнаружил появление фотоЭДС при освещении полупроводника.
1821÷1856г открыты термоэлектрические эффекты Т. Зеебека, Ж. Пельтье, Томсона.
1873г. открыта возможность менять сопротивление селена, меняя освещённость.
1874г. Браун обнаружил свойства p–n перехода.
1916г. А.Ф. Иоффе установил, что массовое серийное производство полупроводниковых приборов возможно только из особо чистых полупроводников.
1916г. Вильсон разработал зонную теорию твёрдого тела.
1948г. В США созданы транзисторы.
В конце 50-х годов разработана планарная технология массового производства полупроводниковых приборов; изобретены интегральные схемы.
3.2 Классификация полупроводников.
1. Проводники различают по химическому составу:
а) простые (германий, кремний, селен);
б) бинарные (химические соединения типа АnВm, где А и В – химические элементы, n и m ― номера подгрупп; сложные химические соединения из трёх и более химических элементов.
2. По количеству примесей:
а) собственные, имеющие собственную проводимость за счёт генерации электронно-дырочных пар;
б) примесные, имеющие примесную проводимость за счёт участия примесей в генерации электронно-дырочных пар.
г) компенсированные полупроводники в которых одна примесь вводится для компенсации действия другой;
д) вырожденные полупроводники по свойствам приближаются к металлам из-за высокой концентрации примесей.
Из всего многообразия материалов в полупроводниковой промышленности используется порядка десяти. Основными являются кремний, германий, арсенид галлия.
