
- •1 Цель и задачи к kуpcoboго проекта
- •2 Тематика комплексных курсовых проектов
- •3 Приблизительный перечень тем курсовых проектов
- •Проектирование радиоприемников:
- •4 Структура и содержание комплексного курсового проекта
- •5 Порядок выполнения комплексного курсового проекта
- •6 Применение сапр в курсовом проектировании
- •7 Требования к оформлению розрахунково-пояснювальної записки к комплексному курсовому проекту
- •8 Оpгаhізація выполнение и защиты комплексного курсового проекта
- •Кафедра микроэлектроники, электронных приборов и пристроил комплексный курсовой проект объяснительная записка
- •Календарный план
- •Студент _________________
Календарный план
Наименование этапов проектирования |
Срок выполнения |
Примечание |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Студент _________________
Руководитель проекта ________________
Приложение В
Пример составления реферата курсового проекта
РЕФЕРАТ
Объяснительная записка: 105 с., 15 рис., 2 табл., 2 приложения, 18 источников.
Объект исследования - пластины кремния, на которые изготовленные фотопреобразователи.
Цель работы – определение влияния структурных дефектов в кремнии на электрические характеристики фотопреобразователей и поиск оптимальной методики исследования p-n переходів.
Метод исследований - статистический анализ электрических характеристик.
Дефекты, которые наиболее сильно ухудшают ККД фотопреобразователей, такие: включение второй фазы, дефекты паковки, дислокации с плотностью, которая превышает 1,5 10-4 г/см3. Установлено, что пластины фотопреобразователей с высоким значением ККД имеют сложную структуру: показаниный, что домішкові вещества не наносят очень большого вредного влияния на электрические свойства фотопреобразователей; установлено, что выделение второй фазы, дефекты упаковки, сильное загрязнение кремниевых пластин неконтролируемыми примесями ухудшают электрические характеристики фотопреобразователей; показано, что визуализация p-n переходів может быть осуществленная в режиме вторичной электронной эмиссии; предложенная оптимальная методика использования растрового электронного микроскопа для визуализации p-n перехода, его профиля, структурных дефектов.
Результаты исследований могут быть введены в технологии производства кремниевых пластин, которые используются в солнечных батареях.
Прогнозу предположения о развитии объекта исследования - поиск оптимальной технологии производства пластин без дефектов.
КРЕМНИЙ, ПЛАСТИНА, СВОЙСТВА, ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, ЭМИССИЯ, ДЕФЕКТ, ПРИМЕСЬ, МИКРОСКОП, ВИЗУАЛИЗАЦИЯ, p-n ПЕРЕХОД, ККД.