9 Вибір радіатора

Знаходимо необхідну потужність, розсіювану на колекторі транзистора:

,

де ; , ξ=U_кэm/Е=10/15=0,667

I^*_Km=0,667·1,30=0,867 A; U^*_Km=0,667·10=6,67 B;

Радіатор для кожного з транзисторів розраховуємо, виходячи з максимальної температури переходу Т_пmax= +125⁰ С.

, де R_ТТ =1 ˚С/Вт.

Вибираємо ребристий радіатор площина якого дорівнює S=51 см².

Рисунок 12 – Ребристий радіатор

10 Розрахунок вхідних параметрів каскаду

Вхідний опір двотактного каскаду:

R_ВХ= h_11Е=7,08 Ом.

Вхідна потужність двотактного каскаду:

P_ВХ=U_Бm·I_Бm/2=(0,340·0,048)/2=8,16 мВт.

Коефіцієнт підсилення по потужності:

K_Р=P_Н/P_ВХ =5/8,16·10^–3=612,7.

Коефіцієнт підсилення по напрузі:

Коефіцієнт підсилення по струму:

K_I=K_P/K_U=612,7/18,6=32,9.

2 Розрахунок однотактного трансформаторного підсилювача потужності на біполярному транзисторі

Принципова схема однотактного підсилювача потужності приведена на рисунку 14. Початковими даними для розрахунку однотактного підсилювача потужності є вхідні параметри двотактного підсилювача потужності:

1. Р_Н=8,16 мВт;

2. R_Н=7,08 Ом;

3. Верхня гранична частота f_В=16,0 кГц.

4.

Рисунок 13 – Схема однотактного підсилювача потужності

на біполярному транзисторі.

Розрахунок каскаду виконується аналогічно розрахунку підсилювача із загальним емітером, але необхідно враховувати, що підключення опору навантаження R_Н до колекторного кола транзистора VT₁ відбувається через трансформатор Тр₁. По змінному струму напруга колектора VT₁ U_К і напруга навантаження U_Н зв'язані коефіцієнтом трансформації n:

1 Вибір ККД трансформатора здійснюємо за таблицею 1. _ТР=0,65.

2 Вибір типу транзистора VT₁. Розраховуємо необхідну допустиму потужність, розсіювану на колекторі транзистора.

де _К – ККД каскаду. Для транзисторів, що працюють в режимі A _К=(0,25 0,30). Вибираємо ККД каскаду рівним _К=0,25.

Розраховуємо граничну частоту, яка повинна бути в 510 разів більше верхньої граничної частоти сигналу в навантаженні:

f_ГР=(510)·f_В=(80 – 160) кГц.

Виходячи з одержаних даних, вибираємо транзистор КТ201Б [13, 60], n-p-n параметри якого: U_КЕmax=20  В, I_Кmax=20  мА, f_ГР=3  МГц, P_Кmax=150  мВ (при температурі навколишнього середовища Т_C=(–60+90) ⁰C.

3 Вибір положення робочої точки транзистора vt1 по постійному струму

Робочу точку А необхідно вибирати так, щоб напруга живлення каскаду мала стандартне значення [див. додаток Б] при цьому повинна виконуватися умова:

Робоча точка в режимі клас А звичайно знаходиться у середині активної області роботи транзистора VT₁. Користуючись вхідними і вихідними ВАХ вибираємо положення робочої точки транзистора VT₁, що працює в режимі підсилення клас А. Виходячи з цього, вибираємо:

Вибираємо Е_К=15 В.

Будуємо криву

Положення робочої точки А:

; ;

Рисунок 14– Вихідні ВАХ VT₁.

Рисунок 15– Вхідні ВАХ VT₁