
Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:шпорки).docx
X
- •Электропроводность полупроводников. Генерация, рекомбинация носителей зарядов.
- •Электронно-дырочный переход при подаче внешнего напряжения. Вах идеализированного электронно-дырочного перехода. Параметры.
- •Вольт-амперная характеристика (вах)
- •Специальные типы полупроводниковых диодов.
- •11) Физические основы функционирования биполярных транзисторов. Статический коэффициент передачи эмиттерного тока.
- •12) Типы биполярных транзисторов, режимы работы, схемы включения.
- •Статические характеристики и параметры биполярного транзистора включённого по схеме с общей базой.
- •Статические характеристики и параметры биполярного транзистора включённого по схеме с общим эмиттером.
- •Математическая модель биполярного транзистора в режиме большого сигнала. Уравнения Эберса – Молла.
- •16. Малосигнальные т-образные эквивалентные схемы биполярного транзистора в физических параметрах.
- •Малосигнальные эквивалентные схемы биполярного транзистора в h-параметрах.
- •23. Схемы включения полевых транзисторов различных типов.
- •Пассивные фильтры: низкой и высокой частоты, полосовые пропускающие. Примеры построения и расчёта.
- •8. Математическая модель (уравнение Шокли) идеального и реального диода. Эквивалентные модели диодов.
8. Математическая модель (уравнение Шокли) идеального и реального диода. Эквивалентные модели диодов.
Прямой
ток диода создается основными носителями
заряда, а обратный – неосновными.
Концентрация основных носителей заряда
на несколько порядков превышает
концентрацию неосновных носителей.
Этим и обуславливаются вентильные
свойства p-n-перехода,
а следовательно и диода. Проведенному
теоретическому анализу вольт-амперной
характеристики диода соответствует ее
запись в аналитической форме:
,
называемая уравнением Шокли.
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]