
- •ОглавлеНие
- •Исследование температурной зависимости электропроводности и вычисление ширины запрещенной зоны полупроводников Цель и содержание работы
- •Теоретическое введение
- •Методика измерений
- •Задание к работе
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Определение концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниках по измерению эффекта холла Цель и содержание работы
- •Теоретическое введение
- •Методика измерений
- •Задание к работе
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Определение температурной зависимости уровня ферми методом термоэдс и эффективной массы носителей заряда Цель и содержание работы
- •Теоретическое введение
- •Методика измерений
- •Задание к работе
- •Содержание отчета
- •Контрольные вопросы
- •Исследование поперечного магнитосопротивления в полупроводниках Цель работы
- •Теоретическое введение
- •Методика измерений
- •Задание к работе
- •Контрольные вопросы
- •Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках Цель и содержание работы
- •Теоретическое введение
- •Методика измерений
- •Задание к работе
- •Методика измерений
- •Задание к работе
- •Методика эксперимента
- •Задание к работе
- •Контрольные вопросы
- •Исследование свойств кремниевых солнечных батарей Цель и содержание работы
- •Теоретическое введение
- •Методика эксперимента
- •Задание к работе
- •Исходные данные для расчетов
- •Контрольные вопросы
- •Основные физические постоянные
- •Некоторые физические параметры Ge и Si
- •Список литературы
- •Сборник лабораторных работ по физике полупроводников Описания лабораторных работ
Методика измерений
Существует несколько методов измерения эффекта Холла. Основными из них являются:
метод постоянных магнитного поля и электрического тока;
метод постоянного магнитного поля и переменного электрического тока;
метод переменного магнитного поля и постоянного электрического тока;
метод переменных магнитного поля и электрического тока.
Наиболее простой и надежный – первый метод, наиболее точный, но и наиболее трудоемкий – четвертый.
В настоящей работе используется первый метод. Форма образца с контактами показана на рис. 2. Образец представляет собой удлиненный прямоугольный параллелепипед (1 и 2 – омические (невыпрямляющие) токовые контакты, 3 и 4 – зонды для определения электропроводности, ЭДС Холла измеряется между зондами 4 и 5).
Рис. 2. Схема измерения эффекта Холла
Холл-фактор A определяется механизмом рассеяния носителей заряда:
где < > означает усреднение по энергии.
ЭДС Холла измеряется между зондами 4 и 5 (рис. 2). В силу несовершенства геометрической формы образца и при наличии градиента температуры напряжение между зондами 4 и 5:
(14)
где
– ЭДС Холла, равная
(d
– расстояние между зондами 4
и 5),
Eн
определяется по формуле (8); UIR
– разность потенциалов, появление
которой связано с асимметричным
расположением зондов относительно
эквипотенциальной поверхности (знак
UIR
– определяется только направлением
тока I
через контакты 1
и 2).
Уменьшить UIR
можно
при помощи потенциометра по методу
средней точки (рис. 2); UЭТ
– ЭДС Эттингсгаузена; UНЭ
– ЭДС Нернста–Эттингсгаузена.
Эффект Эттингсгаузена заключается в том, что между зондами 4 и 5 появляется разность температур, вследствие того что для горячих электронов или дырок сила Лоренца больше (1), так как у них больше скорости:
Разность температур создает ЭДС Эттингсгаузена.
Эффект Нернста–Эттингсгаузена возникает при наличии градиента температур вдоль оси Х (т.е. между контактами 1 и 2). Данный градиент создает ток, дополнительный к току I от задаваемого источника питания схемы. Этот дополнительный ток создает между зондами 4 и 5 ЭДС Нернста–Эттингсгаузена вследствие действия силы Лоренца, как и в эффекте Холла.
Для того чтобы определить из формулы (14), нужно осуществить четыре измерения при двух направлениях тока и магнитного поля:
(+ B, + I), U1 = + UIR + UЭТ + UНЭ,
(+ B, – I), U2 = – – UIR – UЭТ + UНЭ, (15)
(– B, – I), U3 = – UIR + UЭТ – UНЭ,
(– B, + I), U4 = – + UIR – UЭТ – UНЭ.
Отсюда
(16)
Чтобы исключить UЭТ, нужно применить один из методов на переменных полях с частотами больше 50 Гц, когда эффект Эттингсгаузена не может образоваться в силу своей инерционности. Однако обычно этот эффект очень мал и им можно пренебречь. Тогда из (16)
U = UН.
Постоянную Холла находим по формуле
где а – расстояние между противоположными гранями образца вдоль оси Z (рис. 2). Из величины RН можно определить концентрацию носителей заряда.
Величина Холл-фактор задается преподавателем.
После измерения ЭДС Холла измеряется и удельная электропроводность. Измеряется напряжение U34 между зондами 3 и 4. При этом переключатель рода работы ставится в положение «электропроводность». Удельная электропроводность определяется по формуле
где l – расстояние между зондами, d – толщина образца.
Подвижность
определяется по формуле
Геометрические размеры образца, величина тока и магнитной индукции задаются преподавателем.