Некоторые физические параметры Ge и Si

Параметр	Ge	Si
Диэлектрическая постоянная	16	12
Упругие постоянные
Эффективные массы в минимумах
Эффективные массы дырок
Эффективная масса проводимости
Эффективная масса плотности состояний	Одного минимума Четырех минимумов	Шести минимумов

О к о н ч а н и е т а б л и ц ы

Параметр	Ge	Si
Эффективная масса плотности состояний в валентной зоне	0,37m0	0,56m0
Ширина запрещённой зоны ЭВ при Т = 0 К	По оптическому поглощению 0.780	1,21
Концентрация носителей тока в области собственной проводимости T=300 К

Список литературы

1. Шалимова К.В. Физика полупроводников. – М.: Энергоиздат, 1985.

2. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твердотельная электроника. – М.: Сов. радио, 1985.

3. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. – М.: Наука, 1978.

4. Савельев И.В. Курс общей физики. т. 1. – М., 1978; 1979.

5. Сивухин Д.В. Общий курс физики. т. 3. – М., 1977; 1998.

6. Соминский М.С. Полупроводники. – Л., 1967.

7. Смит Р. Полупроводники. – М.: Мир, 1982.

8. Киреев П.С. Физика полупроводников. – М., 1975.

9. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Энергия, 1976.

10. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физматгиз, 1963.

Сборник лабораторных работ по физике полупроводников Описания лабораторных работ

Редактор Л.Н. Ветчакова

Технический редактор Н.В. Гаврилова

Компьютерная верстка В.Ф. Ноздрева

Подписано в печать 08.06.2007. Формат 6084 1/16. Бумага офсетная. Тираж 200 экз. Уч.-изд. л. 3,96. Печ. л. 4,25. Изд. № 358. Заказ № . Цена договорная

О тпечатано в типографии Новосибирского государственного технического университета 630092, г. Новосибирск, пр. К. Маркса, 20

69