
- •Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
- •Введение:
- •Основная часть
- •Описание и структурная схема источника питания
- •Основные технические характеристики типового источника питания:
- •Электрическая схема и описание типового источника питания.
- •Разработка источника питания.
- •Источник питания с rc фильтром и параметрическим стабилизатором:
- •Параметрические стабилизаторы постоянного напряжения
- •2.2.2. Расчет параметрического стабилизатора.
- •2.2.3.Расчет rc фильтра.
- •2.3. Источник питания с lc фильтром.
- •2.3.1.Расчет lc фильтра.
- •2.4. Операционные усилители.
- •2.4.1. Расчет источника питания с электрическим стабилизатором на оу
- •2.4.2. Стабилизатор на к…ен… Интегральные стабилизаторы напряжения
- •2.4.2 Расчет типовой схемы включения стабилизатора на к142ен3.
- •2.5. Источник питания с умножителем напряжения.
- •2.5.1. Расчет источник питания с умножителем напряжения.
- •2.6. Трансформатор
- •Номинальные величины
- •2.6.1 Расчёт мощности для выбора трансформатора.
- •Обозначения и расположение выводов элементов схемы
- •Заключение.
- •Литература
2.4.2. Стабилизатор на к…ен… Интегральные стабилизаторы напряжения
В источниках электропитания находят применение два вида интегральных стабилизаторов: гибридные интегральные стабилизаторы и полупроводниковые микросхемы стабилизаторов, которые принято называть просто интегральные стабилизаторы напряжения.
Гибридные интегральные стабилизаторы выполняются на бескорпусных интегральных микросхемах и полупроводниковых приборах, которые размещаются на диэлектрической подложке, на которой методом тонкопленочной или толстопленочной технологии наносятся резисторы, соединительные проводники. На диэлектрической подложке размещаются также входящие в стабилизатор дискретные компоненты - бескорпусные конденсаторы, переменные резисторы и др. Гибридные интегральные схемы выполняются в виде законченных устройств на фиксированные уровни выходных напряжений, например, 5, 6, 9, 12, 15В. Используя мощные бескорпусные транзистору и маломощную схему управления, выполненную по гибридно-пленочной технологии выполняются стабилизаторы на большие токи, например до 5А.
Электрические схемы гибридных стабилизаторов напряжения не отличаются от схем стабилизаторов на дискретных полупроводниковых приборах, а методы гибридно-пленочной технологии и идентичность процессов позволяют получать стабилизаторы с лучшими параметрами, чем полупроводниковые интегральные стабилизаторы на одном кристалле. Однако надежность гибридных стабилизаторов значительно ниже, а стоимость значительно выше, чем полупроводниковых интегральных стабилизаторов. Поэтому гибридные интегральные стабилизаторы находят ограниченное применение, в основном, в устройствах, которые изготавливаются малыми сериями или где требуются большие токи нагрузки.
Микросхемы полупроводниковых интегральных стабилизаторов напряжения имеют малую массу и габариты, высокую надежность, низкую цену, что обеспечивает им широкое применение. Промышленность выпускает два вида стабилизаторов: с регулируемым выходным сопротивлением и с фиксированным выходным напряжением. В микросхемах стабилизаторов с регулируемым выходом отсутствует делитель напряжения и элементы частотной коррекции, которые необходимо подключать с внешней стороны микросхемы на печатной плате. Среди таких микросхем наибольшее распространение получили маломощные микросхемы типа К142ЕН1, К142ЕН2 и стабилизаторы средней мощности типа К142ЕН3, К142ЕН4.
Микросхемы К142ЕН1 отличаются от микросхем типа К142ЕН2 только уровнем допустимого входного напряжения и, как следствие, пределами установки выходного напряжения. Микросхема типа К142ЕН3 отличается от К142ЕН4 только минимальным падением напряжения на регулирующем транзисторе. Это различие является следствием разброса параметров, возникающего при изготовлении микросхем.
Интегральные стабилизаторы типа К142ЕН1, К142ЕН2 выполнены на кристалле 1.7´1.7 мм по одной принципиальной схеме (См. Error: Reference source not found), а их классификационные параметры (буква в конце условного обозначения микросхемы А, Б, В или Г) устанавливаются при технологической разбраковке в процессе производства.