1. Цели и задачи изучения дисциплины 2

2. Методические рекомендации по изучению дисциплины 2

3. Общие замечания к выполнению комплексного задания 4

4. Комплексное задание 4

5. Краткие теоретические сведения и методические рекомендации 5

5.1. Определение параметров полупроводникового материала 5

5.2. Определение концентрации носителей заряда в примесных полупроводниках 6

5.3. Определение положения уровня Ферми 7

5.4. Высота потенциального барьера p-n-перехода 7

5.5. Размеры р-n-перехода в состоянии равновесия 8

5.6. Определение параметров перехода при подаче внешнего напряжения 8

5.7. Определение емкости перехода 9

5.8. Удельное сопротивление p- и n-областей р-n-перехода 10

5.9. Определение обратного тока в переходе 10

5.10. Сила тока и сопротивление p-n-перехода при заданном внешнем напряжении 10

6. Исходные данные для комплексного задания 11

7. Пример решения комплексного задания 14

Список рекомендованной литературы 19

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1. Некоторые определения и понятия электроники 20

Приложение 2. Соотношения между единицами физических величин 28

Приложение 3. Некоторые физические постоянные 28

34