1. Індуктивність

65.  

Є чорний ящик з наступними значенням струму і напруги: 

  

Визначити, який елемент у ящику і його параметр. Ответ: 0,53(+-0.01)

1.  Є чорний ящик з наступними значенням струму і напруги: 

 Визначити, який елемент у ящику.

1. Резистор

66. Є чорний ящик з наступними значенням струму і напруги: 

 ,

 Визначити, який елемент у ящику і його параметр. Ответ: 10

1. Є чорний ящик з наступними значенням струму і напруги: 

,

 Визначити, який елемент у ящику.

2. Активний опір

1. Є чорний ящик з наступними значенням струму і напруги: 

 

,

 Визначити, який елемент у ящику і його параметр Ответ: 5

1. Є чорний ящик з наступними значенням струму і напруги: 

,

Визначити, який елемент у ящику.

1. Ємність

2. Є чорний ящик з наступними значенням струму і напруги: 

  ,

 Визначити, який елемент у ящику і його параметр. Ответ: 500

1. Резонансна частота контуру 173 МГц. Ємність коливального контуру зросла з 200 пФ до 600 пФ. Якою стане резонансна частота? Ответ: 100

2. Резонансна частота контуру 829 кГц. Ємність коливального контуру зросла з 30 пФ до 330 пФ. Якою стане резонансна частота?

Ответ: 250

3. Резонансна частота контуру 100 кГц. Індуктивність коливального контуру зменшилась з 0,5 мГн  до 0,1 мГн. Якою стане резонансна частота? Ответ: 224(+-2)

4. Резонансна частота контуру 15 МГц. Ємність коливального контуру 2000 пФ , активний опір 0,53 Ом. Якою стане добротність при збільшенні опору в 5 разів? Ответ: 2

5. Резонансна частота контуру 300 кГц. Індуктивність коливального контуру 25 мкГн, активний опір 4,7 Ом. Якою стане добротність при зменшенні опору в 3 рази? Ответ: 30

6. Резонансна частота контуру 1.6 МГц, добротність 80. Якою стане ширина смуги пропускання ( в кГц) контуру при збільшенні його опору в 2 рази? Ответ: 40

Темы: Напівпровідникові матеріали та p-n переходи

1. Напівпровідникові матеріали мають питомий опір

   1. 

2. При виготовленні дискретних напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем використовується переважно

   1.  кремній

   2. германій

   3. арсенід галлію

3. Носіями заряду в напівпровідниках є

   1. Електрони

   2.  Дірки

4. При зміні температури питомий опір напівпровідників змінюється за законом 2.

5. Домішки можуть

   1. Збільшувати опір напівпровідника

   2.  Зменшувати опір напівпровідника

   3. Не змінювати опір напівпровідника

   4. І збільшувати і зменшувати

6.  При освітленні напівпровідників їх опір може

2. Зменшуватись

3. Не змінюватись

7. При утворенні кристалу напівпровідника валентні рівні розщеплюються в

2. Валентну зону

8. Електрони отримують енергію, достатню для переходу з валентної зони в зону провідності за рахунок

   1. 2. Нагрівання кристалу

   2. 3.    Освітлення кристалу

   3. 4. Опромінення кристалу

9. Донорні домішки утворюють енергетичні рівні в n типі напівпровідників

   1. 3. В забороненій зоні біля дна зони провідності

10. Акцепторні домішки утворюють енергетичні рівні в n типі напівпровідників

    1. 4. В забороненій зоні біля стелі валентної зони

11. Власна провідність напівпровідників здійснюється за рахунок

    1. 2. Носіїв, створених за рахунок міжзонних переходів

12. Домішкова провідність напівпровідників здійснюється за рахунок

3. Носіїв, створених за рахунок донорних дефектів

4. Носіїв, створених за рахунок акцепторних дефектів

13. Подвійний електричний шар на контакті двох напівпровідників різного типу провідності виникає внаслідок

2. Дифузії електронів

3. Дрейфу електронів

4. Дифузії дірок

5. Дрейфу дірок

14. Густина електронного дифузійного струму через p-n перехід визначається співвідношенням

2

15. Густина діркового дифузійного струму через p-n перехід визначається співвідношенням

5

16. Густина електронного дрейфового струму через p-n перехід визначається співвідношенням

4.

17. Густина струму через p-n перехід визначається співвідношенням

2.

18. Густина діркового дрейфового струму через p-n перехід визначається співвідношенням

3.

19. Контактна різниця потенціалів p-n переходу визначається співвідношенням

    1. 

20. Струм через p-n перехід визначається співвідношенням

    1. 

21. При підвищенні температури зворотній струм p-n переходу

    1. Зростає

22. Напівпровідникові діоди класифікують за такими ознаками

    1. Матеріал, з якого виготовлено діод

    2. Матеріал корпусу

    3. Робоча частота

    4. Потужність

    5. Призначення

    6. Фізичні процеси в діоді

    7. Конструкція

23. При прямому ввімкнені домінує

    1. Дифузійна ємність переходу

24. При зворотному ввімкнені домінує

2. Бар’єрна ємність переходу

25. Випрямляючі діоди характеризуються наступним

    1. Використовуються для випрямлення змінного струму

3. Використовують при струмах до 1000 А і більше

26. ВАХ випрямляючого діода має вигляд

    1. 

27. ВАХ імпульсного діода має вигляд

5

28. ВАХ опорного діода має вигляд

3

29. ВАХ фотодіода має вигляд

2

30. ВАХ тунельного діода має вигляд

5

31. Тунельний діод має

4. N – подібну ВАХ

32. Варикапи використовують для

    1. електронної перестройки частоти коливальних контурів

    2. генерації НВЧ сигналів

    3. в помно­жувачах частоти

33.  Стабістори працюють

4. на прямій гілці ВАХ

34. Стабілітрони працюють

    1. в режимі зворотного пробою

3. на оберненій гілці ВАХ

35. Відзначити схематичне зображення випрямляючого (високочастотного) діода

    1. 2

36. Відзначити схематичне зображення тунельного діода

6

37. Відзначити схематичне зображення світлодіода

3

38. Відзначити схематичне зображення діода Шотткі

4

39. Відзначити схематичне зображення варикапа (варактора)

4

40. Відзначити схематичне зображення стабілітрона

    1. 

41. P-n перехід сформовано з двох частин кремнію з концентраціями електронів, відмінними в

 раз. Визначити контактну різницю потенціалів при 300К з точність до 0.01еВ.

Ответ: 0.5(+-0.1)

1. P-n перехід сформовано з двох частин кремнію з концентраціями електронів, відмінними в

 раз.  Визначити контактну різницю потенціалів при 300К з точність до 0.01В.

Ответ: 0.7(+-0.1)

2. P-n перехід сформовано з двох частин кремнію з концентраціями дірок, відмінними в

  раз. Визначити контактну різницю потенціалів при 300К  з точність до 0.01В.

Ответ: 0.8(+-0.1)

3. P-n перехід сформовано з двох частин кремнію з

, 

  Визначити контактну різницю потенціалів при 300К  з точність до 0.01В.

Ответ: 0.4(+-0.1)

4. P-n перехід сформовано з двох частин кремнію з  

,

   Визначити контактну різницю потенціалів при 300К  з точність до 0.01В.

Ответ: 0.3(+-0.1)

5. P-n перехід сформовано з двох частин кремнію з  

,

   Визначити контактну різницю потенціалів при 300К  з точність до 0.01В.

Ответ: 0.3(+-0.1)