
- •1. Базовые логические элементы цифровых интегральных схем
- •1.1. Классификация и основные параметры базовых логических элементов
- •1.2. Элементы транзисторно-транзисторной логики
- •1.3. Элементы эмиттерно-связанной логики
- •1.4. Элементы на моп-транзисторах
- •1.4.1. Элементы на однотипных моп-транзисторах (моптл)
- •1.4.2. Элементы на комплементарных моп-транзисторах (кмоптл)
- •1.5. Элементы интегральной инжекционной логики
- •1.6. Сравнительная оценка базовых логических элементов
1.3. Элементы эмиттерно-связанной логики
Элементы эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) строят на основе переключателя тока (рис. 10.13,а). Для управления по нескольким входам в одно плечо переключателя параллельно включают несколько транзисторов - на рис. 1.16 это Т1 и ТЗ.
В
состав логического элемента входят
также два эмиттерных повторителя
на транзисторах Т4 и Т5. Они обеспечивают
низкое выходное
сопротивление и согласование выходных
логических уровней
с входными уровнями, необходимыми для
работы переключателя
без режима насыщения транзисторов.
Рассмотрим
работу ЭСЛ
элемента. Если на обоих входах действует
низкий уровень напряжения
,
который в соответствии
с (10.31) обеспечивает запертое состояние
транзисторов Т1 и ТЗ
и открытое состояние Т2, то потенциал
коллекторов Т1 и Т3 равен
нулю и на первом выходе ЛЭ
будет высокий уровень напряжения
(1.5)
который
определяется падением напряжения на
эмиттерном переходе
транзистора Т4. На коллекторе транзистора
Т2 напряжение
(рис.
10.13, в) передается на второй выход ЛЭ:
(1.6)
При
подаче хотя
бы
на один вход высокого напряжения
(10.31)
общий ток
переключается в левое плечо, и на выходах
уровни напряжения меняются на
противоположные: на первом
выходе - высокий, на втором - низкий.
Из вышесказанного следует, что ЛЭ по первому выходу выполняет операцию ИЛИ-НЕ, по второму - ИЛИ.
Для
оценки логических уровней
и U°
следует
исходить из того, что они должны быть
одинаковыми на входах и выходах элемента.
Согласно выражениям (10.31) и (1.5) равенство
(1.7)
обеспечивается
при
.
Причем наибольший логический перепад
(наибольшая помехоустойчивость)
получается
при
=
.
С учетом этого из (1.6) следует, что
(1.8)
Опорное
напряжение
.
Логический
перепад у ЭСЛ
элемента
мал, составляет
около 0,8 В. Это обуславливает невысокую
помехоустойчивость,
но в то же время способствует повышению
быстродействия
(быстрее происходит перезаряд паразитных
емкостей). Учитывая,
что целевым предназначением ЭСЛ
элемента является обеспечение
максимального быстродействия, присущие
ему низкая
помехоустойчивость, большая потребляемая
мощность и несовместимость
по логическим уровням с другими базовыми
ЛЭ
в ряде
случаев становятся не определяющими
для применения недостатками.
Наибольшее
распространение получили такие серии
ИС
на основе
ЭСЛ,
как 100, К500, К700, К1500. Их базовые ЛЭ
имеют
около 2нс при
=25...40мВт. Перспективные элементы имеют
задержки в субнаносекундном диапазоне
при меньшей потребляемой
мощности.
На
рис. 1.17 приведена cхема базового ЛЭ
серии 500: входы
ЛЭ
через резисторы утечки подключены к
источнику
питания. Такое включение позволяет
оставлять неиспользуемые
входы свободными. Для ослабления влияния
импульсных
помех,
возникающих в коллекторных цепях
эмиттерных повторителей
при работе на низкоомную нагрузку,
используются две шины
«корпус»: одна для эмиттерных повторителей,
другая для переключателя
тока. Причем шины делают большого
сечения. Эмиттерные
повторители могут нагружаться на внешние
(в составе отдельной
ИС)
низкоомные резисторы R9,
R10
и
запитываться от отдельного
источника
.
С
целью уменьшения потребляемой мощности
к неиспользуемым выходам внешние
резисторы не подключаются.
Опорное напряжение создается
термокомпенсированной
схемой (Т6,
Д1,
Д2, R3, R7, R8).
Как и в сериях ТТЛ, наряду с базовыми ЛЭ в состав серий ЭСЛ -включаются вспомогательные ЛЭ.