4.10 Просмотр сеточной структуры модели, анимации токов и е-поля

Просмотр токов и полей электромагнитной структуры может быть полезен при изучении её физических характеристик. Чтобы просмотреть токи на проводниках:

1. Щёлкните правой кнопкой мыши объект My_Cap в группе EM Structures и выберите Add Annotation. Откроется диалоговое окно Add Annotation to the EM Structure.

2. Выберите EM_CURRENT (для анимации токов) в списке Measurement.

3. Нажмите Apply и OK.

4. Щёлкните левой кнопкой мышки по окну 3D электромагнитной структуры My_Cap, чтобы сделать его активным.

5. Выберите Animate > Animate Play в выпадающем меню или щёлкните левой кнопкой мышки по значку Animate Play на панели инструментов. Анимация токов в трёхмерном представлении будет отображена на рабочем поле (рисунок 15).

6. Выберите Animate > Animate Stop или щёлкните левой кнопкой мышки по значку Animate Stop на панели инструментов, чтобы закрыть анимацию.

Примечание. Для просмотра сеточной структуры модели (2D и 3D) а также анимации E-поля следует выбрать соответственно: EM_MESH_2D, EM_MESH или EM_E_FIELD в списке Measurement (п. 2).

Рисунок 15 – Просмотр анимации токов

5 Требования к отчету о выполнении работы

Отчет о выполнении работы представляется в печатном виде и сопровождается устными пояснениями полученных результатов. Во время защиты работы необходимо также представление MWO проекта.

Отчет должен содержать:

1 Титульный лист, цель работы;

2 Вариант задания, исходные данные;

3 Карту слоев;

4 EM-структуру;

5 Графики частотных зависимостей модуля коэффициентов S₁₁ и S₂₁ для идеального конденсатора, его TFC-модели, эквивалентной схемы и EM-структуры.

6 Оценку расхождения графиков плученных частотных зависимостей. Причины расхождения.

6 Контрольные вопросы

1 Назначение блока электромагнитного моделирования Microwave Office;

2 Принципы построения трехмерной модели;

3 Создание слоев и управление их параметрами;

4 Краевые условия электромагнитной структуры;

5 Сеточная структура модели;

6 Влияние допущенных приближений при создании модели на точность моделирования.

7 Рекомендуемая литература

1 Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств / С. И. Бахарев, В. И. Вольман, Ю. Н. Либ и др.; Под ред. В. И. Вольмана. – М.: Радио и связь, 1982. – 328 с., ил.

2 Данилина Т.И. Технология тонкопленочных микросхем: Учебное пособие. – Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2006. – 164 с.

3 Коледов Л. А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: Учебник для вузов. – М.: Радио и связь, 1989. – 400 с.: ил.

4 Лопухин В. А., Шелест Д. К. Системы технологий компьютерного производства. Технология интегральных микросхем: Учеб. Пособие / СПбГУАП, СПб., 2000. 124 с.

5 Конструирование экранов и СВЧ-устройств: Учебник для вузов / А. М. Чернушенко, Б. В. Петров, Л. Г. Малорацкий и др.; Под ред. А. М. Чернушенко. – М.: Радио и связь, 1990. – 352 с.: ил.

0