
- •1. Особенности включения транзистора по схеме с об.
- •2. Особенности включения транзистора по схеме с оэ.
- •3. Особенности включения транзистора по схеме с ок.
- •4.Статические характеристики биполярного транзистора
- •5. Входная статические вах транзистора об
- •Входные характеристики транзистора об
- •6.Выходная статические вах транзистора об
- •7.Входные характеристики транзистора оэ. Статические вах транзистора оэ
- •8.Выходные характеристики транзистора оэ
- •9. Тиристоры. Назначение, определение, область применения.
- •10. Полупроводниковые фотоэлектрические приборы.
- •11.Фоторезистор.
- •12.Фотодиод
- •13. Фототранзистор
- •14. Полупроводниковые источники света
6.Выходная статические вах транзистора об
при
насыщение
0
а ) означает, что вход разомкнут (висит в воздухе):
Инжекции нет, КП смещен в обратном
направлении, через него протекает
неуправляемый обратный (тепловой) ток
.
Выходная характеристика в данном случае – это обычная характеристика обратно смещенного перехода.
Имеем режим отсечки – нерабочий режим.
Т.к. тепловой ток очень мал, то данная характеристика практически сливается с осью абсцисс, т.е. режим отсечки практически отсутствует у транзистора ОБ.
б
)
Имеем активный режим работы
транзистора, для которого справедливо:
(1)
Из выражения (1) вытекает:
каждому значению тока эмиттера соответствует свое значение тока коллектора (своя характеристика);
чем больше ток эмиттера, тем больше ток коллектора, т.е. тем выше идет характеристика.
Ток коллектора практически не зависит от выходного напряжения , т.е. характеристики идут практически параллельно оси абсцисс. Расстояние по вертикали между характеристиками примерно одинаково.
в) При прямом включении КП (
)
имеем режим насыщения – нерабочий
режим. При этом эмиттер и коллектор
инжектируют НЗ в базу, поэтому
,
а ток коллектора быстро падает до 0.
7.Входные характеристики транзистора оэ. Статические вах транзистора оэ
при
IБ,mA UКЭ =0 UКЭ=5В
UБЭ, В
0 1
а
)
n
p
n
Э
К
UБЭ
Б
Э
миттер
и коллектор закорочены, поэтому на
коллекторе будет такой же знак, что у
эмиттера, т.е. «минус», а это означает,
что КП прямо смещен.
Таким образом, оба перехода смещены в прямом направлении (режим насыщения). Эмиттер и коллектор инжектируют НЗ в базу, поэтому ток базы будет максимальным.
Транзистор в данном случае можно рассматривать как параллельное включение двух прямо смещенных диодов, т.е. будет наблюдаться экспоненциальная зависимость тока от напряжения.
б ) - активный режим
КП становится обратно смещенным,
инжекция НЗ коллектором в
базу прекращается, и ток базы уменьшается,
т.е. характеристика смещается
вправо (в область меньших токов).
Дальнейшее повышение выходного
напряжения
приведет к незначительному смещению
входной характеристики (характеристики
идут кучно), поэтому ограничиваются
двумя характеристиками: при
и при
.