Литература

Основная:

1. Опадчий, Ю.Ф. Аналоговая и цифровая электроника [Текст]: учебник для вузов / Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров; под ред. О.П. Глудкина. - М.: Горячая линия – Телеком, 2008. – 768 с.: ил.; 20 см. – Библиогр.: с. 763. - 5000 экз. – ISBN 5-93517-002-7.

2. Ткаченко Ф.А. Электронные приборы и устройства [Text]: учебник/ Ф.А. Ткаченко.- Минск: Новое знание :М. : ИНФРА-М, 2011.-682 с.: ил..- (Высшее образование)- 10 экз.

3. Игумнов Д.В. Основы полупроводниковой электроники [Text]: учебное пособие/ Д.В. Игумнов, Г.П. Костюнина.-2-е изд., доп. – М.: Горячая линия- Телеком, 2011.-394 с.: ил. -20 экз.

4. Ямпурин Н.П., Баранова А.В. Электроника: учебное пособие.

М.: Академия, 2011. -20 экз.

Дополнительная:

5. Ушаков, В.Н. Электротехника и электроника [Текст]: учеб. пособие для вузов/ В.Н.Ушаков. – М.: Радио исвязь, 1997. – 328 с.: ил.; 21 см. - Библиогр.: с.322. - 3000 экз. – ISBN 5-256-01281-7.

6. Нефедов, В.И. Основы радиоэлектроники [Текст]: учебник для вузов/ В.И. Нефедов - М.: Высшая школа, 2000.- 399с.: ил.; 24см. – Библиогр.: с.397. - 8000 экз. – ISBN 5-06-003735-5.

7. Бобровский, Ю.Л. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника [Текст]: учеб. пособие для вузов/ Ю.Л. Бобровский, С.А. Корнилов, И.А. Кратиров и др.; под ред. проф. Н.Д. Федорова. - М.: Радио и связь, 1998. – 560 с.: ил.; 22 см. – На обл. авт. не указаны. - Библиогр.: с.550-551. - 2000 экз. – ISBN 5-256-01169-3.

8. Волощенко, Ю.И. Основы радиоэлектроники [ Текст ]: учеб. пособие/Ю.И. Волощенко, Ю.Ю. Мартюшев, И.Н. Никитина и др.; под ред. проф. Г.Д. Петрухина - М.: Изд-во МАИ, 1993. – 416 с.: ил.; 20 см. – На обл. авт. не указаны. – Библиогр.: с. 411-412. - 25000 экз. – ISBN 5-7035-0150-4.

Приложение

Справочные данные кремниевых транзисторов

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p.

Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры		КТ104А	КТ104Б	КТ104В	КТ104Г
Термин	Буквен. обозн.
Коэффициент передачи тока	h21Э h21Б	9…36 7…40	20…80 15…80	40…160 19…160	15…60 10…60
Входное сопротивление	h11Б, Ом	120	120	120	120
Обратный ток коллектора	IКБО или IКО, мкА	 1	 1	 1	 1
Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер	UКЭ MAX или UКЭ ДОП, В	- 30	- 15	- 15	- 30
Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер	UБЭ MAX или UБЭ ДОП, В	10	10	10	10
Максимальный ток коллектора	IК МАХ, мА	50	50	50	50
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора	PК МАХ, мВт	150	150	150	150

КТ201А, КТ20Б1, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д.

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы n-p-n.

Предназначены для работы в устройствах широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры		КТ201А	КТ201Б	КТ201В	КТ201Г	КТ201Д
Термин	Буквен. обозн.
Коэффициент пере- дачи тока	h21Э	20…60	30…90	30…90	70…210	30…90
Обратный ток кол- лектора	IКБО, мкА	 1	 1	 1	 1	 1
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер	UКЭ MAX, В	20	20	10	10	10
Максимальное напряжение база-эмиттер	UБЭ MAX, В	20	20	10	10	10
Максимальный ток коллектора	IК МАХ, мА	20	20	20	20	20
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора	PК МАХ, мВт	150	150	150	150	150

КТ203А, КТ203Б, КТ203В

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p.

Предназначены для использования в усилительных и импульсных устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры		КТ203А	КТ203Б	КТ203В
Термин	Буквен. обозн.
Коэффициент передачи тока	h21Э	≥ 9	30…150	30…200
Входное сопротивление	h11Б, Ом	≤ 300	≤ 300	≤ 300
Обратный ток коллектора	IКБО, мкА	≤ 1	≤ 1	≤ 1
Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер	UКЭMAХ, В	60	-30	-15
Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер	UБЭ MAX, В	30	15	10
Максимальный ток коллектора	IК МАХ, мА	50	50	50
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора	PК МАХ, мВт	150	150	150

КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е,

КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М.

Кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы p-n-p.

Предназначены для работы в усилителях и генераторных устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Параметры		КТ208А КТ208Г КТ208Ж КТ208Л	КТ208Б КТ208Д КТ208И КТ208М	КТ208В КТ208Е КТ208К
Термин	Буквен. Обозн.
Коэффициент передачи тока	h21Э	20…60	40…120	80…240
Обратный ток коллектора	IКБО, мкА	1	1	1
Максимальное (допустимое) напряжение коллектор-эмиттер	UКЭMAХ, В	-15 -30 -45 -60	-15 -30 -45 -60	-15 -30 -45
Максимальное (допустимое) напряжение база-эмиттер	UБЭ MAX, В	-10	-10	-10
Максимальный ток коллектора	IК МАХ, мА	300	300	300
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора	PК МАХ, мВт	200	200	200

Учебное издание