
- •Основные понятия и определения
- •Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления
- •Укрупненная схема изготовления имс
- •Укрупненная схема изготовления гимс
- •Особенности выполнения отдельных этапов изготовления микросхем Пластины для полупроводниковых микросхем и подложки для гибридных микросхем
- •Осаждение тонких пленок в вакууме
- •Термическое вакуумное испарение (тви)
- •Техника вакуумного осаждения тонких пленок
- •Центрифугирование Пульверизация
- •Б)напыление проводящих элементов через другой трафарет;
- •Основы толстопленочной технологии
- •Электрофизические и электрохимические методы обработки имс
- •Технология элементов пленочных магнитных матриц зу
- •Технология полупроводниковых структур
- •Способы получение диэлектрических слоев
- •Эпитаксия
- •Термическая диффузия примесей
- •Ионное легирование полупроводников
- •Особенности металлизации поверхности кремниевых структур
- •Типы структур полупроводниковых имс
- •Технология мдп (моп) структур
- •Операции, предшествующие сборке имс
- •Сборочно-монтажные операции
- •Сборка и монтаж имс
- •Герметизация имс
- •Микроклимат и производственная гигиена
Б)напыление проводящих элементов через другой трафарет;
Если на подложке предусмотрены другие элементы, соответствующие слои также напыляются через маски.
Комбинированный метод - последовательность основных этапов следующая:
а)напыление сплошной резистивной пленки;
б)напыление проводящих элементов через трафарет;
в)фотолитография по резистивной пленке.
Основы толстопленочной технологии
Толстые пленки – это пленки толщиной 20-40мк. Их применяют для изготовления пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных площадок) в ГИМС. Кроме того их применяют в многоуровневых коммутационных платах микросборок в качестве чередующихся проводниковых и изоляционных слоев.
Толстопленочная технология дешевле и выгодна в серийном производстве. Суть ее в нанесении паст разного состава через сетчатые трафареты на керамическую подложку с последующим вжиганием в конвейерных печах при определенной температуре:
- проводниковых паст при 800 ºC
- диэлектрических паст при ≈700 ºC
- резистивных паст при ≈650 ºC
В состав паст входят - функциональная составляющая ( металлы - серебро, палладий, реже золото и др. и окислы), - конструкционная составляющая ( частицы легкоплавких стекол, например, свинцовоборосиликатных), - технологическая составляющая ( органическая связка, например, ланолин, канифоль и др.)-)
В процессе вжигания органическая связка улетучивается, стекломасса расплавляется и схватывается с керамикой, то есть паста закрепляется на поверхности керамики. Соотношение металлов и окислов обеспечивает электрические свойства слоя от проводников до диэлектриков.
Этапы технологического процесса изготовления толстопленочных гибридных микросхем:
-подготовка подложек;
-трафаретная печать, сушка, вжигание проводников;
-трафаретная печать, сушка, вжигание диэлектриков;
-трафаретная печать, сушка, вжигание верхних обкладок конденсаторов (если они предусмотрены);
-трафаретная печать, сушка, вжигание резисторов;
-подгонка элементов;
-нанесение лудящей пасты на контактные площадки;
-монтаж навесных компонентов;
-монтаж подложки в корпус;
-присоединение внешних выводов к корпусу;
-герметизация, контроль;
-испытания, маркировка.
Особенности технологии
Трафаретная печать элементов осуществляется путем продавливания пасты на подложку через открытые участки сетчатого трафарета, соответствующие рисунку топологического слоя. Давление и скорость движения инструмента для нанесения пасты (ракеля) регулируется в зависимости от вязкости пасты и вида трафарета.
Печатание каждого последующего слоя выполняется только после сушки и вжигания предыдущего. При сушке удаляются летучие компоненты органической связки. Для различных паст максимальная температура достигается постепенно от 120 до 400 ºC, а время сушки от 20 до 80 мин. Последующий цикл вжигания составляет 1 – 2 часа при постепенном достижении максимальной температуры, выдержке при ней и медленном охлаждении. В процессе вжигания происходит химическое взаимодействие окислов, стекла и керамики, а также физическое заполнение стеклом пор керамики.
Точность изготовления толстопленочных элементов составляет ±30%, поэтому обязательным этапом является подгонка параметров элементов до требуемого значения. Подгонка заключается в удалении части их материала. Для этого применяют лазерные установки.