
- •1 Вопрос
- •2 Вопрос
- •3 Вопрос
- •5 Вопрос
- •6 Вопрос
- •7 Вопрос
- •9 Вопрос
- •10 Вопрос
- •11 Вопрос
- •12 Вопрос
- •13 Вопрос
- •14 Вопрос
- •15 Вопрос.
- •16 Вопрос.
- •17 Вопрос
- •18 Вопрос
- •19 Вопрос
- •20 Вопрос
- •21 Вопрос
- •22 Вопрос
- •23 Вопрос
- •24 Вопрос
- •25 Вопрос
- •26 Вопрос
- •27 Вопрос
- •28 Вопрос
- •29 Вопрос
- •30 Вопрос
- •31 Вопрос
- •33 Вопрос
- •35 Вопрос
- •36 Вопрос
- •37 Вопрос
15 Вопрос.
Входная (базовая) вольтамперная характеристика биполярного транзистора ( в схеме с ОЭ)
Семейство входных статических характеристик представляет собой зависимость
Однако, реально в справочниках приводится обратная зависимость
Вид этих характеристик показан на рис. 3.10.
Рис. 3.10. Входные характеристики схемы с общим эмиттером
При Uкэ = 0 эта характеристика представляет собой прямую ветвь вольт-амперной характеристики эмиттерного перехода. При этом коллекторный переход оказывается включенным в прямом направлении на напряжение источника E1
16 Вопрос.
Выходная вольтамперная характеристика биполярного транзистора ( в схеме с ОЭ)
Выходные статические характеристики (рис. 3.12) представляют собой зависимости
Рис. 3.12. Выходные характеристики схемы с общим эмиттером
При Iб=0 эта характеристика представляет собой обратную ветвь вольт-амперной характеристики коллекторного перехода. При Iб>0 характеристики имеют большую крутизну в области малых значений Uкэ , т. к. при условии Е2< E1 (рис. 3.12), коллекторный переход включен в прямом направлении; поэтому сопротивление его незначительно и достаточно небольшого изменения напряжения на нем, чтобы ток Iк изменился значительно. Более того, при Uкэ=0 (рис. 3.12) все характеристики кроме начальной исходят не из начала координат, а ниже (рис. 3.13), так как ток коллекторного перехода в этом случае является прямым и имеет направление противоположное по отношению к обычному току коллектора.
17 Вопрос
Передаточная характеристика биполярного транзистора ( в схеме с ОЭ)
Передаточная характеристика схемы с общим эмиттером показана на
рис. 21.9. Режимам отсечки, активному и насыщения соответствуют участки
АВ, ВС и CD передаточной характеристики.
Р
ис.
21.9
Таким образом, схема с общим эмиттером может работать в качестве
инвертирующего усилителя с коэффициентом усиления
Ku= dUвых/dU вх = - Rк/ Rбβ
(активный режим работы транзистора) или электронного ключа (режимы насыщения и отсечки).
18 Вопрос
Каково назначение элементов в усилители с ОЭ?
Назначение элементов каскада. Резисторы R1 и R2 задают потенциал базы в режиме покоя каскада (в отсутствие сигнала) и, следовательно, участвуют в задании положения точки покоя на линии нагрузки.
Резистор R3 задает совместно с источником питания положение линии нагрузки, служит для выделения выходного сигнала и одновременно определяет коэффициент усиления каскада.
Резистор R4 в цепи эмиттера предназначен для термостабилизации режима работы каскада. При повышении температуры транзистора увеличивается ток покоя коллектора за счет возрастания числа неосновных носителей заряда в полупроводнике. Это вызывает смещение точки покоя на линии нагрузки, что может вызвать нарушение нормальной работы усилительного каскада. Термостабилизация происходит следующим образом. Например, при увеличении температуры увеличивается ток покоя коллектора IК0. Это ведет к увеличению напряжения на резисторе R4 (UR4=R4IК0). Поскольку сопротивления R1 и R2 практически не зависят от температуры, постоянное напряжение между базой и корпусом UБ КОРП при изменении температуры не изменится. Тогда, согласно уравнению, записанному по 2-му закону Кирхгофа для контура R2, UБЭ, R4, напряжение база-эмиттер UБЭ уменьшится
,
что приведет к уменьшению тока покоя коллектора. Уменьшение тока покоя коллектора за счет действия резистора R4 не может полностью скомпенсировать его рост за счет повышения температуры, но влияние температуры на ток IК0 при этом во много раз снижается.
Кроме обеспечения термостабилизации, резистор R4 участвует совместно с базовым делителем, состоящим из сопротивлений R1 и R2, в создании начального смещения UБЭ между базой и эмиттером
,
где IЭ0 – ток покоя эмиттера.
Применение резистора R4 для термостабилизации ведет к уменьшению коэффициента усиления каскада из-за возникающей при этом отрицательной обратной связи. Для ослабления этой обратной связи параллельно резистору R4 включают конденсатор С3. Емкость конденсатора С3 выбирают такой, чтобы даже на самой нижней частоте полосы пропускания каскада его сопротивление было много меньше сопротивления R4.
Конденсатор С1 разделяет по постоянному току источник сигнала и усилительный каскад.
Конденсатор С2 разделяет по постоянному току усилительный каскад и нагрузку.
Транзистор обеспечивает усиление сигнала.
Источник питания ЕП обеспечивает энергию усиления сигнала.