2.Статичні характеристики бт в схемі се.

В схемі з загальним емітером вхідним струмом є струм бази і_б, а вихідним - струм колектора і_К, відповідно, вхідною напругою є напруга u_БЕ, а вихідною - напруга u_КЕ. Вхідна характеристика у схемі СЕ представляє собою залежність u_БЕ = f₁(i_Б), однак, в довідниках приводиться графіки залежноісті:Прослушать

Odnak, realʹno v dovidnykakh pryvodytʹsya zvorotna zalezhnistʹ

Словарь - Открыть словарную статью

Вихідна характеристика транзистора в схеме СЕ являє собою залежність:

№10. ПР	Тема: Малосигнальні схеми заміщення транзисторів.
	БТ як активний чотириполюсник.
	Система рівнянь h-параметрів БТ.
	Визначення h-параметрів за характеристиками БТ.

1.Бт як активний чотириполюсник.

У загальному випадку транзистор являє собою активний (здатний перетворювати енергію джерела сигналу) нелінійний чотириполюсник, мал.). Його можна описати сімействами характеристик - нелінійними функціями двох змінних.

З алежно від схеми ввімкнення транзистора величинам i₁, i₂, u₁, u₂ відповідають ті чи інші реальні струми і напруги. Однак на практиці часто доводиться зустрічатися із завданням посилення малих сигналів. У цьому випадку на постійні складові струмів I(0) і напруг U(0) (які визначають робочу точку транзистора) накладені малі змінні сигнали або u(t), i(t):

Прослушать

О скільки інтерес представляють не величини I(0)+ i(t), U(0)+ u(t), а лише самі прирости u(t), i(t), тому систему рівнянь функцій f₁ та f₂ можна переписати у вигляді:

Коефіцієнти позначені символами h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂ і будемо називати h-параметрами транзистора.

2.Система рівнянь h-параметрів бт.

Залежно від схеми ввімкнення транзистора (СЕ, СБ СК) до позначень h-коефіцієнтів додається індекс, наприклад, h_11Е або h_11Б або h_11К . Визначимо фізичний зміст h-параметрами транзистора:

- вхідний опір транзистора при короткому замиканні на виході для малої змінної складової струму;

 - коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей тока;

- дифференциальный коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей;

- выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока.

Для схеми ввімкнення транзистора СЕ параметр h_21Е відповідає коефіцієнту β та наводиться в довідниках.

3.Визначення h-параметрів за характеристиками бт.

Значення h-параметрів транзистора можна знайти за допомогою сімейств вхідних та вихідних характеристик. Для цього:

1. Відзначають на характеристиках положення робочої точки за постійним струмом, в якій визначаються h-параметри.

2. Визначаються малі прирости струмів і напруг щодо робочої точки і розраховуються h-параметри.

Як приклад визначимо значення h_11Е, h_12Е, h_21Е, h_22Е - параметрів транзистора в робочій точці, що задається величинами І_Б(0), І_К(0), U_БЕ(0), U_КЕ(0).

П араметри h_22Е і h_21Е визначають за вихідними характеристикам транзистора в схемі СЕ (рис).

УПрослушать

Znachennya h-parametriv tranzystora mozhna znay̆ty za dopomohoyu simey̆stv vkhidnykh ta vykhidnykh kharakterystyk. Dlya tsʹoho: 1. Vidznachayutʹ na kharakterystykakh polozhennya robochoï tochky po postiy̆nomu strumu, v yakiy̆ vyznachayutʹsya h-parametry. 2. Vyznachayutʹsya mali pryrosty strumiv i napruh shchodo robochoï tochky i rozrakhovuyutʹsya h-parametry. Yak pryklad vyznachymo znachennya h11E, h12E, h21E, h22E - parametriv tranzystora v robochiy̆ tochtsi, shcho zadayetʹsya velychynamy IB (0), Ik (0), UBE (0), UKE (0). Parametry h22 i h21 vyznachayutʹ za vykhidnym kharakterystykam (rys. 3.34).

Словарь - Открыть словарную статью

Умова i_Б=0 означає, що в базовому струмі I_Б =I(0)+ i_Б лише змінна складова рівна 0, а не весь базовий струм. Тоді за характеристиками визначаємо:

Di_К =І´_К - I_К(0); Du_КЕ = U´_КЕ(0)- U_КЕ(0).

Ці виміри проводяться на вихідній характеристиці знятій при i_Б =I_Б(0).

.

Умова u_КЕ =0 означає, при вимірюванні u_КЕ не змінюється і рівна U_КЕ(0). Тоді за характеристиками визначаємо:

Di_К =І´´_К - I_К(0); Di_б =І´_б - I_б(0).

Параметри h_11Е и h_12Е визначаються аналогічно за вхідними характеристиками транзистора (рис.):

де u_БЕ = U_БЕ´ - U_БЕ(0), а Di_б =І´_б - I_б(0).

 

де u_БЕ = U_БЕ(0) - U´´_БЕ, а Du_КЕ = U´_КЕ - U_КЕ(0).

№11. Л	Тема: Транзистор в режимі ключа, частотні характеристики транзистора
	Особливості роботи БТ в ключовому режимі.
	Схеми електронних ключів на БТ.
	Частотні властивості БТ.