Самостоятельная работа студентов
Тема: Назначение выводов модулей ОЗУ. Банк памяти. Видеопамять.
Изучить и законспектировать теоретический материал; ответить на контрольные вопросы по темам:
1.Назначение выводов модулей DIMM 168 pin
2. Назначение выводов модулей DDR DIMM 184 pin.
3. Видео память
Банк (bank) — это наименьший объем памяти, необходимый для формирования одинарной строки памяти, адресуемой процессором. Это минимальное количество считываемой или записываемой процессором физической памяти, которое обычно соответствует ширине шины данных процессора. Если процессор имеет 64-разрядную шину данных, то ширина банка памяти также достигает 64 разрядов (бит). При использовании двухканальной или чередующейся памяти формируется виртуальный банк, ширина которого вдвое больше абсолютной ширины шины данных процессора.
Назначение выводов модулей dimm
В табл. 1 приведено назначение выводов 168-контактых модулей DIMM.
Таблица 1 Сигналы на идентификационных выводах 168-контактных модулей DIMM
|
|
|
|
Контакт |
Обозначение |
Контакт |
Обозначение |
1 |
Общий |
85 |
Общий |
2 |
Бит данных 0 |
86 |
Бит данных 32 |
3 |
Бит данных 1 |
87 |
Бит данных 33 |
4 |
Бит данных 2 |
88 |
Бит данных 34 |
5 |
Бит данных 3 |
89 |
Бит данных 35 |
6 |
+3,3 В |
90 |
+3,3 В |
7 |
Бит данных 4 |
91 |
Бит данных 36 |
8 |
Бит данных 5 |
92 |
Бит данных 37 |
9 |
Бит данных 6 |
93 |
Бит данных 38 |
10 |
Бит данных 7 |
94 |
Бит данных 39 |
11 |
Бит данных 8 |
95 |
Бит данных 40 |
12 |
Общий |
96 |
Общий |
13 |
Бит данных 9 |
97 |
Бит данных 41 |
14 |
Бит данных 10 |
98 |
Бит данных 42 |
15 |
Бит данных 11 |
99 |
Бит данных 43 |
16 |
Бит данных 12 |
100 |
Бит данных 44 |
17 |
Бит данных 13 |
101 |
Бит данных 45 |
18 |
+3,3 В |
102 |
+3,3 В |
19 |
Бит данных 14 |
103 |
Бит данных 46 |
20 |
Бит данных 15 |
104 |
Бит данных 47 |
21 |
Разряд четности 1 |
105 |
Не соединен |
22 |
Разряд четности 2 |
106 |
Не соединен |
23 |
Общий |
107 |
Общий |
24 |
Не соединен |
108 |
Не соединен |
25 |
Не соединен |
109 |
Не соединен |
26 |
+3,3 В |
ПО |
+3,3 В |
27 |
Write Enable |
111 |
Column Address Strobe |
28 |
I/O Mask 0 |
112 |
Byte Mask 4 |
29 |
I/O Mask 1 |
113 |
Byte Mask 5 |
30 |
SO |
114 |
SI |
31 |
Зарезервирован |
115 |
Row Address Strobe |
32 |
Общий |
116 |
Общий |
33 |
Разряд адреса 0 |
117 |
Разряд адреса 1 |
34 |
Разряд адреса 2 |
118 |
Разряд адреса 3 |
35 |
Разряд адреса 4 |
119 |
Разряд адреса 5 |
36 |
Разряд адреса 6 |
120 |
Разряд адреса 7 |
37 |
Разряд адреса 8 |
121 |
Разряд адреса 9 |
38 |
Разряд адреса 10 |
122 |
Bank Address 0 |
39 |
Bank Address l |
123 |
Разряд адреса 11 |
40 |
+3,3 В |
124 |
+3,3 В |
41 |
+3,3 В |
125 |
Clock 1 |
42 |
Clock 0 |
126 |
Разряд адреса 12 |
43 |
Общий |
127 |
Общий |
44 |
Зарезервирован |
128 |
Clock Enable 0 |
45 |
S2 |
129 |
S3 |
46 |
Byte Mask 2 |
130 |
Byte Mask 6 |
47 |
Byte Mask 3 |
131 |
Byte Mask 7 |
48 |
Зарезервирован |
132 |
Разряд адреса 13 |
49 |
+3,3 В |
133 |
+3,3 В |
50 |
Не соединен |
134 |
He соединен |
51 |
Не соединен |
135 |
He соединен |
52 |
Не соединен |
136 |
He соединен |
53 |
Не соединен |
137 |
He соединен |
54 |
Общий |
138 |
Общий |
55 |
Бит данных 16 |
139 |
Бит данных 48 |
56 |
Бит данных 1 7 |
140 |
Бит данных 49 |
57 |
Бит данных 18 |
141 |
Бит данных 50 |
58 |
Бит данных 19 |
142 |
Бит данных 51 |
59 |
+3,3 В |
143 |
+3,3 В |
60 |
Бит данных 20 |
144 |
Бит данных 52 |
61 |
Не соединен |
145 |
Не соединен |
62 |
Voltage Reference |
146 |
Voltage Reference |
63 |
Clock Enable 1 |
147 |
Не соединен |
64 |
Общий |
148 |
Общий |
65 |
Бит данных 21 |
149 |
Бит данных 53 |
66 |
Бит данных 22 |
150 |
Бит данных 54 |
67 |
Бит данных 23 |
151 |
Бит данных 55 |
68 |
Общий |
152 |
Общий |
69 |
Бит данных 24 |
153 |
Бит данных 56 |
70 |
Бит данных 25 |
154 |
Бит данных 57 |
71 |
Бит данных 26 |
155 |
Бит данных 58 |
72 |
Бит данных 27 |
156 |
Бит данных 59 |
73 |
+3,3 В |
157 |
+3,3 В |
74 |
Бит данных 28 |
158 |
Бит данных 60 |
75 |
Бит данных 29 |
159 |
Бит данных 61 |
76 |
Бит данных 30 |
160 |
Бит данных 62 |
77 |
Бит данных 31 |
161 |
Бит данных 63 |
78 |
Общий |
162 |
Общий |
79 |
Clock 2 |
163 |
Clock 3 |
80 |
Не соединен |
164 |
Не соединен |
81 |
Не соединен |
165 |
Serial PD Address 0 |
82 |
Serial Data I/O |
166 |
Serial PD Address 1 |
83 |
Serial Clock Input |
167 |
Serial PD Address 2 |
84 |
+3,3 В |
168 |
+3,3 В |
В модуле DIMM используется метод Serial Presence Detect (определение наличия микросхем методом последовательного поиска). Для реализации этого метода в модуле DIMM предусмотрена небольшая микросхема EEPROM или даже микросхема флэш-памяти, которая содержит описание DIMM в специальном формате. Эти последовательно поступающие данные могут считываться через специальные контакты и позволяют системной плате автоматически выбирать конфигурацию, в точности соответствующую типу установленного модуля DIMM.
Существует несколько различных вариантов модулей DIMM, например модули памяти с буфером или без буфера, с напряжением питания 3,3 или 5 В. Модули DIMM с буфером содержат в себе дополнительные микросхемы буфера, используемые для взаимодействия с системной платой. К сожалению, микросхемы буфера замедляют модули памяти DIMM и поэтому совершенно не эффективны при более высоких скоростях. Исходя из этих соображений, во всех персональных компьютерах используются модули DIMM без буфера. Напряжение питания большинства модулей DIMM, предназначенных для ПК, составляет 3,3 В. Установка 5-вольтного модуля памяти в разъем 3,3 В приведет к его повреждению. Чтобы этого избежать, в разъемах и модулях памяти используются соответствующие ключи.
Рис. 1. Ключ 184-контактного модуля DIMM памяти DRAM
Буферизированные модули памяти с рабочим напряжением 5 В обычно используются в компьютерах Apple, а также в других системах, не относящихся к семейству х86. К счастью, установочные ключевые пазы модулей DIMM различных типов, как показано на рис. 1, расположены по-разному. Подобная конструкция позволяет избежать установки модуля памяти в разъем другого типа.