- •Минобрнауки россии
- •Исследование фотоэлектрических свойств фотодиодов
- •305040, Г. Курск, ул. 50 лет Октября, 94
- •1. Цель работы
- •2. Конструктивные особенности фотодиода
- •3. Фотогальванический эффект
- •4. Режимы работы и основные параметры фотодиода
- •5. Описание установки
- •6. Порядок выполнения работы
- •7. Контрольные вопросы
5. Описание установки
1. Для выполнения работы используют стенд ЛР №11.
2. В стенде размещены: фотодиод типа 1690Б, лампа подсветки с изменяемым световым потоком, регулируемый источник напряжения, вольтметр и микроамперметр.
3. Стенд позволяет снимать вольт-амперные характеристики фотодиода в отсутствие освещения и при двух значениях светового потока Ф-1 и Ф-2.
6. Порядок выполнения работы
1. Перед включением стенда в сеть необходимо органы управления установить в исходное положение :
- тумблер "Сеть" в положение "Выкл" ;
- тумблер "Подсветка" в положение "Выкл" ;
- тумблер "Ф -1 - Ф -2" в положение "Ф -1" ;
- тумблер "Питание" в положение "1В";
- тумблер "Вкл. Диода" в положение "Прямо" ;
- ручку "Рег. напряжения" в крайнее левое положение.
2. Снятие вольт-амперной характеристики фотодиода при отсутствии освещения проводится следующим образом:
- установить все органы управления в исходное положение ;
- включить стенд, для чего "Сеть" установить в положение "Вкл";
- изменяя напряжение на фотодиоде с помощью ручки "Рег.
напряжения",
снимите зависимость
.
Данные занести в таблицу.
Примечание: При установке переключателя "Питание" в положение "1В" вся шкала вольтметра соответствует 1 вольту, а при установке "10В" -10 вольтам.
3. Снятие обратной ветви вольт-амперной характеристики фотодиода проводится следующим образом:
- установить тумблер "Вкл. Диода" в положение "Обратно" ;
- установить тумблер "Питание" в положение "10В" ;
- изменяя
напряжение на фотодиоде с помощью
ручки "Рег.
напряжения",
снимите зависимость
.
4. Для снятия вольт-амперной характеристики при освещении необходимо:
- установить органы управления в исходное положение ;
- включить стенд ;
- установить тумблер "Подсветка" в положение "Вкл." ;
- пользуясь ручкой "Рег. Напряжения" и тумблерами "Вкл. Диода", "Питание" и " Ф -1 - Ф -2 ", снимите прямую и обратную ветви вольт-амперной характеристики фотодиода по методике, изложенной в пп. 2 и 3, сначала при световом потоке Ф -1, а затем при световом потоке Ф -2. Данные занести в таблицу, оформить в виде графиков.
5. Определить величину фото э.д.с. при двух значениях светового потока двумя способами: из прямой ветви вольтамперной характеристики и по выражению (4.2), при этом Is принять равным 1,110 -7 А.
6. Определить интегральную чувствительность фотодиода при двух значениях светового потока по выражению (4.3). При этом световой поток Ф(r), соответствующий положению переключателя в положении «Ф-1» равен 2,2310-2 лм, а в положении «Ф-2» - равен 4,1510-2 лм .
Значение IT при расчетах можно принять равным 0.
7. Контрольные вопросы
Чем определяется темновой ток фотодиода?
2. Какой механизм фотогенерации при освещении p-n-перехода приводит к возникновению фото э.д.с.
3. Будет ли наблюдаться фото э.д.с. при освещении n+-n или p+-p переходов?
4. Покажите, что ток короткого замыкания фотодиоджа при освещении равен фототоку Iф. Как будет изменяться этот ток при увеличении сопротивления нагрузки ?
5. Чем объясняется возможный рост чувствительности фотодиода при увеличении обратного напряжения ?
6. Чем определяется собственная постоянная времени фотодиода ?
7. Как можно повысить чувствительность фотодиода к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава?
8. Чем обусловлены различия диапазонов монохроматической чувствительности фотодиодов из германия и кремния ?
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
Епифанов Г.Н. Физические основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1971. 375 с.
Епифанов Г.Н. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 1977. 288с.
Дулин В.Н. Электронные приборы. М.: Энергия, 1977. 424 с.
Смит З. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 560 с.
Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1991. 351 с.
