Минобрнауки россии
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Юго-Западный государственный университет»
(ЮЗГУ)
Кафедра конструирования и технологии электронно- вычислительных средств
УТВЕРЖДАЮ
Первый проректор –
проректор по учебной работе
____________ Е.А. Кудряшов
«___» ___________ 2012 г.
Исследование вольтамперных и вольтфарадных характеристик полупроводниковых диодов
Методические указания по выполнению лабораторной работы по дисциплине
«Физические основы микроэлектроники»
для студентов специальности 210202.65 и направления подготовки бакалавров 210200.62
«Физические основы электроники»
для студентов специальностей 210402.65, 210403.65, 210404.65, 210406.65
и направления подготовки бакалавров 210406.62
Курск 2012
УДК 621.382
Составители: А.В. Кочура В.В. Умрихин
Рецензент
Доктор физико-математических наук, профессор А.П. Кузьменко
Исследование вольтамперных и вольтфарадных характеристик полупроводниковых диодов: методические указания по выполнению лабораторной работы по дисциплине «Физические основы микроэлектроники» / Юго-Зап. гос. ун-т.; сост.: А. В. Кочура, В. В. Умрихин. Курск, 2012. 12 с.: ил. 7, Библиогр.: с. 12.
Содержатся методические рекомендации по экспериментальному определению одного из основных параметров полупроводника - времени жизни носителей заряда.
Указывается порядок выполнения лабораторной работы.
Методические указания соответствуют требованиям программы, утвержденной учебно-методическим объединением по специальностям автоматики и электроники (УМО АЭ).
Предназначены для студентов специальности 210202.65, 210402.65, 210403.65, 210404.65, 210406.65 и направлений подготовки бакалавров 210200.62, 210406.62.
Текст печатается в авторской редакции
Подписано в печать
. Формат 60
84
1/16.
Усл. печ. л. . Уч.-изд. л. . Тираж 30 экз. Заказ . Бесплатно.
Юго-Западный государственный университет.
305040, Г. Курск, ул. 50 лет Октября, 94
1. Введение
Развитие современной электроники связано с совершенствованием полупроводниковых приборов и поисками способов наиболее полного использования их характеристик. Основным компонентом большинства полупроводниковых приборов является p-n-переход, проводимость которого имеет активную и реактивную составляющие. Емкость p-n-переходов является основной частью практически всех эквивалентных схем полупроводниковых приборов.
Полупроводниковый диод широко используют как электронно-управляемую емкость. Приборы, изготовленные для этой цели, получили название варикапов. Области применения варикапов самые различные: параметрическое усиление слабых сигналов, электронная настройка контуров, амплитудная и частотная модуляция сигналов, умножение частоты и т.д.
Целью настоящей работы является исследование вольтфарадной и вольтамперной характеристик диода и установления их связи с технологическими параметрами p-n-перехода.