
- •2. Источники погрешности измерений
- •3Классификация погрешностей измерений
- •4Классификация средств измерений
- •14Масштабный измерительный преобразователь
- •25Датчики
- •Параметрические датчики активного сопротивления
- •Терморезисторы
- •Параметрические датчики реактивного сопротивления Индуктивный датчик
- •Реверсивный индуктивный датчик
- •Трансформаторный индуктивный датчик
- •Емкостные датчики
- •29Измерение активных сопротивлений
- •30Краткие сведения о резонансном методе измерения параметров
- •31Измерение параметров катушек индуктивности Общие сведения
- •32Измерение параметров конденсаторов Общие сведения
- •33Измеритель нелинейных искажений
- •Устройство и классификация
30Краткие сведения о резонансном методе измерения параметров
сосредоточенных элементов электрических цепей
Резонансный метод основан на измерении параметров колебательного контура, составленного из рабочего (образцового) элемента и исследуемой цепи. В качестве образцового элемента обычно используют конденсатор переменной емкости с воздушным диэлектриком, обладающий высокой стабильностью, малыми потерями и низким температурным коэффициентом емкости (ТКЕ). Градуировка рабочего конденсатора делается с большой точностью: от этого зависит погрешность метода. Настраивая контур в резонанс и измеряя его добротность, можно по опытным данным рассчитать параметры исследуемой цепи.
Достоинством резонансного метода является то, что он позволяет производить измерения в широком диапазоне частот (от долей до сотен мегагерц). Важная особенность метода возможность определить действующие значения параметров, т. е. фактические значения сопротивления, индуктивности или емкости на зажимах исследуемой цепи с учетом паразитных составляющих ее эквивалентной схемы. Кроме того, по результатам измерений на нескольких частотах можно определить паразитные параметры измеряемых элементов собственную (межвитковую) емкость катушки, собственную индуктивность конденсатора и т. п.
Резонансный метод измерения параметров сосредоточенных элементов реализуется в измерителях добротности (куметрах). Упрощенная структурная схема прибора (рис. 2.1) содержит диапазонный генератор гармонических колебаний, колебательный контур, состоящий из рабочего конденсатора C0 и измеряемой цепи, а также электронный вольтметр, по показаниям которого фиксируют момент настройки в резонанс колебательного контура и определяют его добротность Q. В комплект прибора входит набор образцовых (рабочих) катушек индуктивности, используемых, в основном, при измерении емкости методом замещения. На каждой катушке указан диапазон частот, в пределах которого возможен резонанс для рабочего конденсатора данного куметра.
Принцип измерения добротности с помощью куметраоснован на известном свойстве последовательного колебательного контура при резонансе амплитуда напряжения на емкости в Q раз превышает амплитуду напряжения на входе цепи. Измеряемый элемент подключают либо к клеммам “LХ “, последовательно с рабочим конденсатором куметра, либо к клеммам “CХ “ (в этом случае к клеммам “LХ“ должна быть подключена рабочая катушка индуктивности, соответствующая частоте измерения).
31Измерение параметров катушек индуктивности Общие сведения
Основным параметром, характеризующим контурные катушки, дроссели, обмотки трансформаторов является индуктивность L. В высокочастотных цепях применяются катушки с индуктивностью от сотых долей микрогенри до десятков миллигенри; катушки, используемые в низкочастотных цепях, имеют индуктивность до сотен и тысяч генри. Измерение индуктивности высокочастотных катушек, входящих в состав колебательных систем, желательно производить с погрешностью не более 5%; в большинстве других случаев допустима погрешность измерения до 10-20%.
Рис. 1. Эквивалентные схемы катушки индуктивности.
Каждая катушка, помимо индуктивности L, характеризуется также собственной (межвитковой) ёмкостью CL и активным сопротивлением потерь RL, распределёнными по её длине. Условно считают, что L, CL и RL сосредоточены и образуют замкнутую колебательную цепь (рис. 1, а) с собственной резонансной частотой
fL = 1/(LCL)0,5
Вследствие влияния ёмкости CL при измерении на высокой частоте f определяется не истинная индуктивность L, а действующее, или динамическое, значение индуктивности
Lд = L/(1-(2*π*f)2*LCL) = L/(1-f2/ fL2)
которое может заметно отличаться от индуктивности L, измеренной на низких частотах.
С повышением частоты возрастают потери в катушках индуктивности, обусловленные поверхностным эффектом, излучением энергии, токами смещения в изоляции обмотки и каркасе, вихревыми токами в сердечнике. Поэтому действующее активное сопротивление Rд катушки может заметно превышать её сопротивление RL, измеренное омметром или мостом постоянного тока. От частоты f зависит и добротность катушки:
QL = 2*π*f*Lд/Rд.
На рис. 1, б, представлена эквивалентная схема катушки индуктивности с учётом её действующих параметров. Так как значения всех параметров зависят от частоты, то испытание катушек, особенно высокочастотных, желательно проводить при частоте колебаний источника питания, соответствующей их рабочему режиму. При определении результатов испытания индекс «д» обычно опускают.
Для измерения параметров катушек индуктивности применяются в основном методы вольтметра - амперметра, мостовой и резонансный. Перед измерениями катушка индуктивности должна быть проверена на отсутствие в ней обрыва и короткозамкнутых витков. Обрыв легко обнаруживается с помощью любого омметра или пробника, тогда как выявление коротких замыканий требует проведения специального испытания.
Для простейших испытаний катушек индуктивности иногда используют электронно-лучевые осциллографы.