Iкср доп  (1,2…1,5) Iк0 (1.18)

Iкmax  (2,2…3) Iк0 (1.19)

P_{k доп}  I_к0* U_ке0 (1.20)

Крім того, транзистори необхідно вибирати за частотними властивостями, для чого необхідно виконання умови:

1 / M²_Bi – 1 / f_в  _s + (1…3) K_u*_k (1.21)

де M_Bi – рівень лінійних спотворень каскаду, що розраховується на верхній робочій частоті f_в; K_u – коефіцієнт підсилення за напругою; _k – стала часу кола колектора; _s – стала часу за крутизною. Значення _k і _s розраховуються відповідно:

_k = r_б^'C_k (1.22)

де r_б^' - розподілений опір бази, C_k – ємність кола колектора (довідкові значення),

_s = 1/ 2f_s (1.23)

_s = f_тr_e / r’_б = f_т / (r’_бS₀) (1.24)

де f_s – межова частота транзистора за крутизною, f_т – частота одиничного підсилення, r_e – динамічний опір емітеру транзистора, S₀ – крутизна транзистора.

Якщо в довіднику відсутнє значення f_т, то його можна розрахувати так:

f_т = f_вим|| (1.25)

де || _значення модулю коефіцієнта передачи струму бази на частоті вимірювання f_вим (довідкове значення).

Динамічний опір емітера і крутизна S₀ визначаються режимом роботи, а саме постійною складовою струму колектора

r_e  _т / I_к0 =1 /S₀ (1.26)

де _т = 25.3мВ – тепловий потенціал за температурою +25 С.

1.6 Розрахунок опору резистора емітерної стабілізації Re

Вибравши струм спокою згідно п. 1.4 можна розрахувати значення опору резистора R_e. Напругу U_Rе на практиці вибирають у межах (0,1…0,2) E_ж. Тому

R_e = (0,1…0,2) E_ж / I_е0 = (0,1…0,2) E_ж / (I_к0 + I_б0) (1.27)

1.7 Розрахунок опору колекторного навантаження

Зі схеми рис. 1.1 випливає, що:

R_k = (E_ж - V_k) / I_к0 (1.28)

Якщо потенціал спокою V_k, згідно рекомендацій п. 1.3, дорівнює V_k = E_ж / 2, то

R_k = E_ж / (2*I_к0) (1.29)

В іншому випадку (тобто V_k  E_ж / 2):

R_k = (E_ж – U_ке0 – U_Rе) / I_k0 (1.30)

де U_ке0, U_Rе – вибрані згідно рекомендацій п. 1.3.

1.8 Розрахунок кола зміщення

Для поліпшення температурної стабільності зміщення виби-раємо струм подільника I_д набагато більшим за постійну складову струму бази:

I_д = (5…10) I_б0 (1.31)

Тепер можна розрахувати R_б2 і R_б1:

R_б2 = (U_Rе + U_бе0) / I_д (1.32)

R_б1 = (E_ж – U_Rе – U_бе0) / (I_д + I_б0) (1.33)

За розрахунком R_б1, R_б2 необхідно мати на увазі, що чим більше значення I_д, тим краще температурна стабільність каскаду. Але номинали R_б1, R_б2 за цього зменшуються і результуючий опір R_б = R₁ || R₂ значно шунтує вхід. Тому слід перевіряти, щоб якнайменше R_б  (2…3) R_вх.

1.9 Розрахунок параметрів кола зворотного зв’язку

Як відомо, коефіцієнт підсилення за напругою каскаду зі спільним емітером, охопленого послідовним зворотним зв’язком по струму, дорівнює [1,3]:

K_uзз = S₀R_H~ / (1 + S₀R_ЗЗ~) (1.34)

де R_H~ - еквівалентний опір навантаження за змінною складовою, R_ЗЗ~ - еквівалентний опір зворотного зв’язку. Для схеми рис. 1.1 значення R_Н~, R_ЗЗ~ розраховуються відповідно:

R_H~ = R_H||R_к||r_ke = R_HR_кr_ke / (R_Hr_кe + R_HR_к + R_кr_кe) (1.35)

де r_кe – динамічний вихідний опір транзистора,

R_зз~ = R_е||R_зз = R_еR_зз / (R_е + R_зз) (1.36)

Необхідно зазначити, що (1.36) справедливо за коректним вибором ємності С_е (дивись пп.1.11.2 )

Динамічний вихідний опір r_ke для будь-якого струму колектора з високою точністью можливо розрахувати так

r_кe = (U_Y + U_кe0) / I_к0 (1.37)

де U_Y – потенціал Ерлі, який можна визначити за вихідними ВАХ транзистора (рис. 1.2).

Рисунок 1.2 - Визначення потенціалу Ерлі

Тепер, якщо врахувати (1.26), то формулу (1.34) можна представити у вигляді:

K_Uзз = – (R_к||R_н|| r_кe) / (r_e + R_E||R_зз), (1.38)

звідки розраховуємо значення опору R_зз:

R_зз = R_E*R_зз~ / (R_E – R_зз~), (1.39)

де R_зз~ = ( R_E||R_зз) знаходиться з (1.34)

R_зз~ = [R_к||R_н||r_кe / K_Uзз – r_e], (1.40)

а K_Uзз визначено в пункті 1.1.