МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
«КУРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Факультет физики, математики, информатики
Кафедра нанотехнологии
Утверждаю
Заведующий кафедрой нанотехнологии
д.т.н. профессор
Сизов А.С.
«___» февраля 2013 г.
Отчёт о прохождении преддипломной практики "Технологии конструирования и производства функциональных модулей микро- и наноэлектроники"
на предприятии НИЦ (г.Курск) ФГУП «18 ЦНИИ» МО РФ
Направление подготовки 210600.62 «Нанотехнология»
Профиль подготовки нет
Студент 4 курса 421 группы Ушаков С.И.
Руководитель практики от кафедры:
профессор кафедры нанотехнологии
д.т.н. с.н.с. Довбня В.Г.
М.П.
Курск 2013
СОДЕРЖАНИЕ
1. Назначение отдела..............................................................................................3
1.1 Структура отдела..............................................................................................3
1.2 Основные характеристики выпускаемой продукции
1.3 Особенности охраны окружающей среды при производстве микрополосковых СВЧ плат..................................................................................4
2 Краткая характеристика охраны труда на предприятии................................8
3 Краткая характеристика основных технологических процессов производства микрополосковых СВЧ плат........................................................10
3.1 Краткая характеристика основных участков по изготовлению и контролю качества микрополосковых СВЧ плат................................................................10
3.2 Краткая характеристика основной нормативной документации, регламентирующей производство микрополосковых СВЧ плат...................13
3.3 Краткая характеристика основного и вспомогательного оборудования, методов изготовления и контроля качества микрополосковых СВЧ плат...15
4 Технологический процесс..................................................................................16
5 Характеристика технологических процессов, применяемых на участке сборки и монтожа микросборок ..........................................................................20
Список использованной литературы...................................................................30
Приложение...........................................................................................................31
1 Назначение отдела
1.1 Структура отдела
Производственная (технологическая) практика на базе предприятия научно – исследовательского центра ФГУП «18 ЦНИИ МО РФ», в отделе микроэлектроники. В таблице 1 показана структура отдела.
Табл.1
участок подготовки
подложек
Структура 72 отдела
Назначение отдела:
Отдел предназначен для проведения исследований в области разработки и изготовления микрополосковых СВЧ плат в рамках научно – исследовательских, опытно – конструкторских, серийно – производственных работ и оперативных заказов, выполняемых в интересах всех НИУ, ОКБ, СКТБ предприятия и обеспечения ФГУП микрополосковых СВЧ плат.
1.2 Основные характеристики выпускаемой продукции
Общие замечания. В настоящее время в микроэлектронике СВЧ широкое применение получили интегральные схемы. Основу таких схем составляют, как правило, отрезки микрополосковых линий (МПЛ) в виде тонких слоев металла, нанесенных на листы диэлектрика (подложки) с диэлектрической проницаемостью 10 и более. (На практике в МПЛ применяют подложки и с меньшей диэлектрической проницаемостью, например из плавленного кварца (e = 3,78)). Наиболее распространены экранированные несимметричные МПЛ. МПЛ используют во всем диапазоне СВЧ. По сравнению с полыми волноводами МПЛ обладают рядом недостатков – имеют более высокие погонные потери и сравнительно низкую передаваемую мощность (средняя мощность – десятки ватт, импульсная – единицы киловатт). Кроме того, открытые МПЛ излучают энергию в пространство, из-за чего могут возникать нежелательные электромагнитные связи.
Но МПЛ обладают и важными достоинствами. Они имеют малые габариты и массу, дешевы в изготовлении, технологичны и удобны для массового производства методами интегральной технологии, что позволяет реализовывать на пластине из металлизированного с одной стороны диэлектрика целые узлы и функциональные модули в микрополосковом исполнении.
До последнего времени анализ и расчет параметров МПЛ проводились в квазистатическом приближении, т.е. в предположении, что в МПЛ распространяется лишь Т-волна. Такое приближение позволяет получить удовлетворительные результаты только в наиболее длинноволновой части диапазона СВЧ, когда длина волны значительно превышает поперечные размеры линии. С повышением частоты, по мере продвижения в область сантиметровых волн и освоения миллиметровых волн, квазистатический метод дает все большую погрешность. Это связано с тем, что не учитывается дисперсионность линии (зависимости параметров от частоты) и наличие в ней волн высших типов. Поэтому для строгого анализа и расчета параметров МПЛ, удовлетворяющих потребностям практики, необходимо использовать электродинамический подход и математические модели, адекватно отражающие физические процессы в реальной МПЛ.
В интегральных схемах диапазона СВЧ различают элементы с распределеннымии сосредоточенными параметрами. Элементы с сосредоточенными параметрами имеют максимальный размер l, значительно меньший, чем длина волны L в линии (как правило, l/L<0,1). В этом случае можно пренебречь фазовым сдвигом на длине элемента.
При большом объеме выпуска интегральных схем, элементы с сосредоточенными параметрами дешевле элементов с распределенными параметрами. Кроме того, они обладают большей широкополосностью. Однако на частотах более 10 ГГц элементы с сосредоточенными параметрами, как правило, имеют более высокие потери и низкую добротность по сравнению с элементами с распределенными параметрами, а также обладают паразитными связями. Поэтому на частотах выше 10 ГГц применяются главным образом элементы с распределенными параметрами.