Составители: Э.А.Засовин, В.Ш.Берикашвили , М.Е.Белкин,
Н.Т.Ключник Редактор Э.А.Засовин
Предлагаемые методические указания рекомендуются для проведения лабораторных работ по дисциплинам: «Волоконно-оптические устройства и системы», «Оптические устройства в радиотехнике», «Интегральная и волоконная оптика». Изложено описание лабораторных стендов, методик проведения лабораторных работ, форма представления отчетов. Даются контрольные вопросы и упражнения, позволяющие проверить степень усвоения материала.
Печатаются по решению редакционно-издательского совета университета.
Рецензенты: В.И. Смирнов, ЮЛ. Пантелеев
© МИРЭА, 2006
Литературный редактор О.А. Брот
Подписано в печать 29.03.2006. Формат 60x84Vi6.
Бумага офсетная. Печать офсетная. Усл. печ. л. 1,86. Усл. кр.-отт. 7,44. Уч.-изд. л. 2,0.
Тираж 200 экз. Заказ 24]. Бесплатно
Государственное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
Мо^кий государственный институт радиотехники
электроники и автоматики (технический университет)"
119454, Москва, пр. Вернадского, 78
Введение
В последние годы бурно развивается техника волоконно-оптических систем сбора, обработки и передачи информации. Волоконно-оптические линии связи характеризуются высокой информационно-пропускной способностью, помехозащищенностью и "закрытостью" канала. Они находят широкое применение в разных областях техники. Методические указания содержат ряд новых научных и практических сведений для приобретения навыков работ с современными оптическими устройствами, входящими в состав волоконно-оптических систем передачи информации, и необходимы для правильного выполнения лабораторных работ по дисциплинам «Волоконно-оптические устройства и системы», «Оптические устройства в радиотехнике», «Интегральная и волоконная оптика».
Лабораторная работа № 1
ИССЛЕДОВАНИЕ ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
СВЕТОДИОДОВ
1. Цель работы
Ознакомление с устройством и функционированием полупроводниковых светодиодов, изучение их основных излучателъных характеристик и особенностей работы с аппаратурой для измерения мощности оптического излучения.
2. Устройство и функционирование полупроводниковых
светодиодов
Полупроводниковые светодиоды широко используются в современной радиоэлектронной аппаратуре в качестве индикаторов и источников излучения для волоконно-оптических информационных систем. В последнем случае используются светодиоды видимого и инфракрасного излучения. Конструкция, условное
з
графическое
отображение и принцип раооты показаны,
соответственно.
на рис 1а,
1б,
и 1в.
Как и всякий диод, светодиод основан на использовании р-п -перехода в полупроводниковой структуре. При подаче напряжения с плюсом на p и минусом на п в цепи возникает ток. При подаче напряжения противоположной полярности (ниже уровня пробоя) - ток в цепи не протекает. Вольтамперная характеристика светодиода приведена на рис. 2.
При протекании тока в области р-п -перехода в область р проникают ннжекционные электроны, которые, соударяясь с электронами атомов области р, выбивают последние с низшего энергетического уровня E0 на более высокие уровни E1, E2 , E3 и т.д. На этих уровнях электроны находятся в неустойчивом состоянии и переходят на низшие уровни с выделением энергии излучения:
ΔEij = Ei - Ej = h∙νij,
где h - постоянная Планка, νij - частота излучения, i и j -индексы энергетических уровней начального и конечного состояния одного перехода (рис. 1в).
При некоторых переходах выделяется малая энергия без прояления излучения. Они называются безизлучательными. Некоторые из них сопровождаются излучением в радиочастотном диапазоне. Полупроводниковый материал и легирующие присадки оп-
ределяют длину основной волны излучения светодиода в видимой или инфракрасной области. Зависимость мощности (яркости) излучения от тока P(J) называется ватт-амперной характеристикой светодиода.
Рис. 2. Вольтамперная харак- Рис. 3. Диаграмма направлен-
теристика светодиода ности и угол расходимости све-
тодиода
При малых токах, как правило, мощность (яркость) излучения светодиода Ризл пропорциональна протекающему в нем току J:
Ризл = α∙J,
где α - коэффициент пропорциональности, характеризующий излучательную способность светодиода
Отношение мощности излучения Ризл к мощности электрического тока Ртока, затрачиваемого на возбуждение излучения, называется квантовым выходом светодиода: Квых = Ризл / Ртока .
Излучение светодиода имеет угловую расходимость θ, показанную на рис. 3. Распределение мощности относительно оси излучения называется диаграммой направленности излучения. Количественной характеристикой расходимости является угол расходимости θ между двумя лучами, проведенными к точкам с уровнем 0,5 Рmax. Количественной характеристикой расходимости является также числовая апертура источника излучения, которая определяется как: NA = sin θ ,
где угол расходимости в выражен в градусах.
5
Плотность мощности излучения на единицу поверхности уменьшается с расстоянием от источника по закону:
Pз = AG/r2 = A/(r2 θr) ,
где А - постоянная, угол расходимости θr выражен в радианах а G = 1/θr - коэффициент направленности излучения.
Ослабление излучения в линии связи можно выразить через коэффициент ослабления К: P1 = К Р0 где Р0 исходная мощность, P1 - мощность на выходе линии.
Иногда ослабление удобнее выражать в децибелах: α = 10 lg(Р0/P1) = 10 lg (1/К).
При ослаблении мощности излучения в 10 раз говорят, что она снизилась на 10 дБ.
3. Описание стенда
Электрическая схема стенда приведена на рис. 4. Она состоит из схемы питания светодиода и схемы блока измерения мощности излучения. Схемы включают следующие элементы: блок питания БП, предельное и регулировочное сопротивления R1 и R2 , миллиамперметр mA1 , вольтметр V, контактный разъем КР, светодиод VD1, фотодиод VD2 , измерительные миллиамперметры mA2 и mA3, переключатель Кл.
Рис. 4. Электрическая схема стенда для исследования ватт-амперных характеристик светодиодов (а - схема питания светодиода, б - схема измерения мощности излучения)
Напряжение с блока питания БП подается через сопротивления R1 , R2 , миллиамперметр mA1, , контактный разъем КР на светодиод VD1. Излучение светодиода попадает в окно фотодио-
да VD2 (ФД-24К), фототок которого измеряют миллиамперметрами mA2 или mA3. Мощность излучения светодиода определяют по фототоку с помощью графика "ток-мощность", прилагаемого к стенду. При отсутствии графика «ток-мощность» принять ток фотодиода 100 мкА соответствующим мощности излучения 1 мВт.
4. Задание по лабораторной работе При проведении лабораторной работы выполнить следующее:
Ознакомиться с описанием стенда и основными характеристиками светодиода.
Осмотреть и определить основные устройства стенда и его контрольно-измерительные приборы.
Провести собеседование с преподавателем и отвегить на контрольные вопросы.
Вывести сопротивление R2 в крайнее левое положение.
Вставить исследуемый светодиод в разъем КР.
Включить блок питания и проверить наличие тока в цепи светодиода по миллиамперметру тА] (если тока нет поменять полярность светодиода в разъеме).
Провести измерение вольт-амперной характеристики и построить график.
Вплотную приблизить светодиод к фотодиоду, измерить мощность его излучения по измерению силы тока в цепи фотодиода миллиамперметрами тА2 или тА3 (с помощью графика "ток-мощность", прилагаемого к стенду). При отсутствии графика «ток-мощность» принять ток фотодиода 100 мкА соответствующим мощности излучения 1 мВт.
Если измерить зависимость по п. 7 и 8 не удается из-за зашкаливания миллиамперметров тА2 или mA3s необходимо ослабить излучение в 2-4 раза, отодвинув светодиод от фотодиода, и провести измерения с учетом коэффициента ослабления мощности.
10. Построить график зависимости мощности излучения свето диода от силы тока в его цепи (ватт-амперную харак теристику).
11. Определить зависимость квантового выхода от силы тока и по строить график.
7
12 Снять зависимость плотности мощности от расстояния в см между светодиодом и фотодиодом.