Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Metoda.docx
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
5.66 Mб
Скачать

Создание библиотеки компонентов

Заходим File/New/Library/Shematic Library как показано на рисунке 1.

Рисунок 1. Создание библиотеки компонентов

У нас появляется среда для создания УГО (Рисунок 2), если слева не появилась вкладки SCH Library то тогда в нижнем правом углу заходим в SCH и выбираем SCH Library. Должно, получится следующее. Файл будет иметь расширение .SchLib.

Рисунок 2. Интерфейс редактора компонентов

После создание библиотеки компонентов её следует сохранить, выбрав в меню File/Save или нажав пиктограмму .

Начальные настройки рабочей области

Настройки можно задать как глобально (для всех документов) так и локально. Для локальных настроек надо вызвать окно Library Editor Workspace (Рисунок 3 а) командой Tools/Document Options.

  • Style — стандарт размеров (Standard или ANSI, оба стандарта не соответствуют ГОСТ), здесь размер листа не критичен, а при со­здании схемы или платы размер следует задавать через опцию Custom Size, или подгружать из форматки.

  • Size — формат листа,

  • Border — цвет границы листа,

  • Workspace — цвет рабочей области,

  • Custom Size — пользовательский размер листа.


Рисунок 3 а. Окно Library Editor Workspace

Во вкладке Units выберем метрическую систему, как показано на рисунке 2.3 б.

Рисунок 3 б. Окно Library Editor Workspace

Алгоритм создания условно графического обозначения (уго)

При создании УГО по ЕСКД удобнее всего использовать сетку с шагом 5 мм, но для более плотного размещения лучше подходит 2,5 мм. Рассмотрим особенности формирования схемного символа на примере биполярного транзистора. В соответствии с ГОСТ 2.730-73 УГО биполярного транзистора формируется геометриче­ским построением. В круге диаметром 12 или 14 мм под углом 60 градусов друг к другу и симметрично относительно диаметра стро­ятся два луча. Размер «А» между исходной точкой лучей и точкой их пересечения с окружностью составляет 9 или 11 мм и определя­ет все остальные размеры УГО. Линия базы транзистора строится на расстоянии 0,5А от исходной точки лучей и имеет длину, также равную А (рисунок 4а).

Так как создание УГО точно по ГОСТу не удобно в данной программе, рациональным решением будет построить биполярный транзистор, так как показано на рисунке 2.4б.

Л инии УГО проводятся через узлы 5-миллиметровой сетки, линии выводов также имеют длину 5 или 10 мм, а окруж­ность, изображающая корпус транзистора, смещена вправо так, что ее контур проходит через точки окончания линий эмиттера и коллектора. Угол раствора коллектора и эмиттера составляет при этом 53 градуса. Графика

Рисунок 4. Создание биполярного транзистора

транзистора в этом случае будет немного не соответствовать ГОСТ (что не различимо при печати), при не­обходимости создания более точной графики следует рисовать УГО с меньшим шагом сетки.

Условно создание УГО можно разделить на два этапа:

  • во-первых, рисуется графическое изображение символа,

  • во-вторых, устанавливаются выводы символа.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]