1.1. Физические параметры транзистора
К числу основных физических параметров транзистора, определяющих его динамические свойства при рассмотрении переменных составлявших токов и напряжений в электрических цепях, относятся следующие:
Коэффициент передачи тока эмиттера /дифференциальный/ для схемы ОБ (рис. 2-а):
;
Uk=const
Для биполярных транзисторов α = 0,9÷0,995
2. Коэффициент передачи тока базы (дифференциальный) для схемы с общим эмиттером (рис 2-б)
;
Uк=const
3. Сопротивление эмиттерного перехода (дифференциальное)
;
Uк=const
Характеризуется нелинейной зависимостью от тока эмиттера и практически не зависит от коллекторного напряжения. При изменении температуры линейно меняется приблизительно на 0,33% / oС.
4. Сопротивление коллекторного перехода (дифференциальное)
;
Iэ=const
Изменяется обратно пропорционально току эмиттера, имеет нелинейную, с точкой экстремума зависимость от коллекторного напряжения и температуры окружающей среды.
5. Объемное сопротивление базы (или сопротивление базы) rб при увеличении тока эмиттера уменьшается и возрастает при увеличении коллекторного напряжения. Изменение от температуры обусловлено концентрацией примесей в базовой области.
Зависимость этих физических параметров от h- параметров приводится в табл 1.
Таблица 1.
№ n/n |
Символ |
Параметры четырёхполюсника |
Физические параметры |
|||
Схема ОЭ |
Схема ОБ |
Схема ОК |
||||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
|
1 |
h11э |
1100 Ом |
|
h11k |
|
|
2 |
h12э |
2,5х10-4 |
|
1-h12k |
|
|
3 |
h21э |
50 |
|
-(1+h21k) |
|
|
4 |
h22э |
25х10-6 См |
|
h22k |
|
|
5 |
h11б |
|
21,6 Ом |
|
|
|
6 |
h12б |
|
2,9х10-4 |
|
|
|
7 |
h21б |
|
-0,98 |
|
|
|
8 |
h22б |
|
0,49х10-6 См |
|
|
|
9 |
h11к |
h11э |
|
1100 Ом |
|
|
10 |
h12к |
1-h12э |
|
|
|
|
11 |
h21к |
-(1+h21э) |
|
-51 |
|
|
12 |
h22к |
h22э |
|
25х10-6 См |
|
|
13 |
α |
|
-h21б |
|
0,98 |
|
14 |
rk |
|
|
|
2,04 МОм |
|
15 |
rэ |
|
|
|
10 Ом |
|
16 |
rб |
|
|
|
590 Ом |
|
