
- •Учреждение образования белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
- •Сборник задач и материалов
- •По курсу электроника и микросхемотехника
- •"Автоматическое управление в технических системах "
- •Задачи для практических занятий и курсовых работ
- •Приложение 1
- •Порядок составления входного файла описания аналоговых электронных схем различного назначения.
- •Порядок запуска входного файла на выполнение
- •Краткое описание входного языка пакета pSpice
- •Описание схемных компонентов. Пассивные элементы схем
- •Конденсаторы
- •Индуктивности
- •Взаимные индуктивности (трансформаторы)
- •Линии передачи
- •Полупроводниковые диоды (d)
- •Биполярные транзисторы (q)
- •Окончание Табл.5
- •Описание модели биполярного транзистора в общем виде выглядит следующим образом:
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n- переходом
- •Транзисторы на основе арсенид-галлия (gasfet)
- •Независимые источники тока и напряжения
- •Источник трапецeидальных импульсов
- •Синусоидальный источник
- •Кусочно-линейный источник
- •Экспоненциальный источник
- •Амплитудно-модулированный источник
- •Примеры формы написания независимых источников
- •Синусоидальный источник Управляемые источники напряжения и тока
- •1.Источники тока,управляемые напряжением.
- •2. Источники тока,управляемые током
- •3.Источники напряжения, управляемые током
- •Poly - указывает на то, что источник нелинейный
- •Автоматическое управление в технических системах
- •Корректор е.Н.Батурчик
Описание модели биполярного транзистора в общем виде выглядит следующим образом:
.MODEL ИМЯ ТИП П1=ЗН1 П2=ЗН2 .......
ИМЯ -имя модели
ТИП -один из следующих типов:
NPN-модель транзистора с проводимостью типа n
PNP-модель транзистора с проводимостью типа p
П1,П2...-наименование параметров (табл.6)
ЗН1,ЗН2,..-значения параметров. Параметрам, значение которых не
указаны в описании модели, присваиваются значения по умолчанию.
Пример:
Полевые транзисторы с изолированным затвором
(МОП-транзиторы) (MOSFET)
Общая форма описания
Mимя ND NG NS NB имя модели [L] [W] [AD] [AS]
+[PD] [PS] [NRD] [NRS]
M -идентификатор МОП -транзистора
имя -обозначение элемента на схеме
ND,NG,NS -узлы подключения стока,затвора,истока
МОП - транзистора соответственно
NB -узел подключения подложки
имя модели -имя модели транзистора
L -длина канала (может устанавливаться пользователем)
W -ширина канала (может устанавливаться пользователем)
AD -площадь стока в м
AS -площадь истока в м
PD -периметр стока в м
PS -периметр истока в м
NRD -относительное сопротивление стока
NRS -относительное сопротивление истока
В табл.6 приведен перечень элементов описания МОП транзистора, указаны обозначения параметров моделей, принятые при описании аналитических зависимостей, и соответствующие идентификаторы, используемые в машинных распечатках. Приведены также значения параметров, принимаемых по умолчанию.
Описание модели МОП-транзистора в общем виде выглядит следующим образом:
.MODEL ИМЯ ТИП П1=ЗН1 П2=ЗН2 .......
ИМЯ -имя модели
ТИП -один из следующих типов:
NMOS-модель МОП-транзистора с каналом типа n
PMOS-модель МОП-транзистора с каналом типа p
П1,П2...-наименование параметров (см.табл.6)
ЗН1,ЗН2,..-значения параметров. Параметрам, значение которых не
указаны в описании модели, присваиваются значения по умолчанию.
Пример
M1 14 2 13 0 PNOM L=25U W=12U
M2A 0 2 100 100 NW L=33U W=12U AD=288P AS=288P
+ PD=60U PS=60U
+ NRD=14 NRS=24
Таблица 6
N п/п |
Параметр |
Значение параметра |
Единица измер. |
Значение по умол. |
1 2 3 4
5 6 7
8
9 10 11 12 13 14
15
16
17
18 19
20
21 |
LEVEL LD WD VTO
KP GAMMA PHI
LAMBDA
RD RS IS JS PB CBD
CBS
CJ
CJSW
MJ MJSW
FC
CGSO |
Тип модели (1,2 или 3) Длина канала Ширина канала (по диффузии) Напряжение порога при нулевом токе стока Проводимость передачи Коэф. влияния подложки Объемный потенциал при слабой инверсии Коэф. модуляции длины канала (для LEVEL 1 или 2) Сопротивление стока Сопротивление истока Ток насыщения переходов Плотность тока насыщения Встречный потенц. подложки Емкость перехода подл-сток при нулевом напр.на перех. Емкость перех. подл.-исток при нулевом напр. на перех. Емкость подл.-сток при ну- нулевом напр. на перех. Удельная емкость боковой поверх. перех. подл.-сток Показатель качества перех. подл.-сток Показатель качества боковой поверх. перех. подл-сток Коэфф. нелинейности прямосмещен. перех. подл.-исток Относительная емкость перекрытия затвор-исток (на единицу ширины канала) |
М М
В А/В В
В
1/В ОМ ОМ А А/М В
F
F
F/M
F/M
F/M |
1 0 0
0 2.0E-5 0
0.6
0 0 0 1.E-14 0 0
0
0
0
0 0.5
0.3
0.5
0 |
Таблица 6 (продолжение)
N п/п |
Параметр |
Значение параметра
|
Единица измер. |
Значение по умол. |
22
23
24 25 26
27 28
29 30 31
32
33
34
35 36 37
38
39
40 41 42 |
CGDO
CGBO
NSUB NSS NFS
TOX TPG
XJ UO UCRIT
UEXP
UTRA
VMAX
NEFF XQC DELTA
THETA
ETA
KAPPA KF AF |
Относительная емкость перекрытия затвор-сток (на единицу ширины канала) Относительная емкость перекрытия затвор-подл. (на единицу ширины канала) Уровень легирования подл. Плотность поверхностных состояний Плотность быстрых поверхностных состояний Толщина окисла Тип затв.:+1-против. подл. -1-аналог.подл 0-AL Металлургическая глубина перехода Подвижность носителей Критическое поле для ограничения скорости носителей Показатель ограничения скорости носителей Коэф. поперечного поля ограничения подвижности носителей Скорость максимального дрейфа носителей Коэф. заряда канала Часть зарядов канала, притянутая стоком Коэф. влияния ширины канала на пороговое напряж. Коэф. модуляции подвижности (для LEVEL=3) Статическая обратная связь (для LEVEL=3) Коэф. поля насыщения (для LEVEL=3) Коэф. фликкер-шума Показатель фликкер-шума |
F/M
F/M 1/CM 1/CM
1/CM M
M CM/B-S
B/CM
M/CEK
1/B |
0
0 0 0
0
0 600.0
1.E4
0
0
0 1.0 0
0
0
0 0.2 0 1.0 |