Биполярные транзисторы (q)

Общая форма описания:

Qимя NC NB NE NS имя модели [массив значений]

Q -идентификатор биполярного транзистора

имя -обозначение элемента на схеме

NC,NB,NE -узлы подключения коллектора,базы,эмиттера бипо-

лярного транзистора соответственно

NS -узел подключения подложки

имя модели -имя модели транзистора

[массив значений] -относительное значение площади прибора

(по умолчанию 1.0)

Пример

Примечание. При анализе по постоянному току используется модель Гумеля-Пунна,а в случае отсутствия ряда параметров этой модели используется модель Эберса-молла. Желательно указывать узел подключения подложки.По умолчанию подложка подключается к "земле". Параметры модели имеют два имени (например VAF и VA), любое из этих имен может быть использовано для задания значений параметров.

Параметры ISE(C2) и ISC(C4) могут быть заданы величиной большей чем 1.В этом случае они интерпретируются как коэффициенты при IS, а не как абсолютные значения. Если ISE>1,то ISE заменяется на ISE*IS. Это же справедливо и для ISC.

В табл. 5 приведен перечень элементов описания биполярного

транзистора, указаны обозначения параметров моделей, принятые при

описании аналитических зависимостей, и соответствующие идентификаторы, используемые в машинных распечатках. Приведены также значения

параметров, принимаемых по умолчанию.

Таблица 5

N п/п	Параметр	Значение параметра	Единица измер.	Значение по умол.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19	IS EG XTI,PT BF NF VAF,VA IKF,IK ISE(C2) NE BR NR VAR,VB IKR ISC(C4) NC RB IRB RBM RE	Ток насыщения Энергетический барьер (ширина запрещенной зоны) Температур. коэфф. тока IS Прямой коэффициент усиления (максимальное значен.) Коэфф. эмиссии прямого тока Напряжение Эрли Точка изгиба кривой зависимости IC=f(Uэб) при больших токах Ток утечки эмит. Перехода Коэф. эмиссии тока ISE Обратный коэфф. Усиления Коэф. эмиссии тока коллектора в инверсном вкл. Напряжение Эрли при инверсном включении Точка изгиба кривой зависимости IE=f(VCB) при больших токах Ток утечки коллек. Перехода Коэф. эмиссии коллекторного перехода Сопротивление базы Ток,при котором RB уменьшается в два раза Минимальное значение RB Сопротивление эмиттера	A ЭЛ/В B A A В А А ОМ А ОМ ОМ ОМ	1E-14 1,11 3 100 1,0 0 1,5 1,0 1 0 2,0 0 0 0