Взаимные индуктивности (трансформаторы)

Общая форма описания

K имя L1 L2 ML

K -идентификатор взаимной индуктивности (трансформатора)

имя -обозначение элемента на схеме

L1,L2 -имена индуктивностей на схеме. между которыми имеется

взаимная связь.

ML -величина взаимной индуктивности

(0 <ML <1)

Примеры

KTR L1 L2 0.1

L1 2 3 1

L2 5 6 0.5

Примечание. * помещается в первый узел индуктивности.

Полярность определяется только последовательностью узлов

в описании индуктивностей и не зависит от порядка описания

индуктивностей в операторе "К".

Если трансформатор состоит из нескольких обмоток, то в операторах "К" нужно перечислить все взаимосвязанные пары. Например, транс-форматор со средним отводом от первичной обмотки и с двумя вторичными обмотками описывается так:

*Первичная обмотка *Взаимная связь

L1 1 2 100UH K12 L1 L2 .9999

L2 2 3 100UH K13 L1 L3 .9999

*Вторичная обмотка K14 L1 L4 .9999

L3 11 12 100UH K23 L2 L3 .9999

L4 13 14 100UH K24 L2 L4 .9999

K34 L3 L4.9999

Линии передачи

Общая форма описания

Tимя X1+ X2- X3+ X4- ZO[TD] [F] [NL]

T -идентификатор линии передачи

имя -обозначение элемента на схеме

X1,X2 -узлы подключения на первой паре

X3,X4 -узлы подключения на второй паре

ZO -характеристическое сопротивление

TD -время задержки в секундах

F -частота в герцах

NL -длина волны на частоте F

Примечание. (+) и (-) вывода позволяют определить направление тока

(от (+) к (-)). Параметры, указанные в квадратных скобках,

являются необязательными параметрами. По умолчанию

NL=0.25.

Полупроводниковые диоды (d)

Общая форма описания:

Dимя N+ N- имя модели [массив значений]

D -идентификатор диода

имя -обозначение элемента на схеме

N+ -узел подключения положительного вывода диода (анода)

N- -узел подключения отрицательного вывода диода (катода)

имя модели -имя модели диода

[массив значений] -масштабирование значений компонентов

модели IS,RS,CJO,IBV,BV

Примечание: Массив значений (необязательный параметр). Значения

IBV и BV должны задаваться как положительные.

Пример

В табл.4 приведен перечень элементов описания полупроводнико-вого диода, указаны обозначения параметров моделей, принятые при описании аналитических зависимостей и соответствующие идентификаторы, используемые в машинных распечатках. Приведены также значения параметров, принимаемых по умолчанию.

Описание модели диода в общем виде выглядит следующим образом:

.MODEL ИМЯ ТИП П1=ЗН1 П2=ЗН2 .......

ИМЯ -имя модели

ТИП -D для плоскостного диода

П1,П2...-наименование параметров (табл.4)

ЗН1,ЗН2,..-значения параметров. Параметрам, значения которых не

указаны в описании модели, присваиваются значения по умолчанию.

Пример:

Таблица 4

N п/п	Параметр	Значение параметра	Единица измер	Значение по умол.
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14	IS RS N TT CJO VJ M EG XTI KF AF FC BV IBV	Ток насыщения перехода Омическое сопротивление Коэффициент эмиссии Время пролета неосновных носителей Емкость перехода диода при нулевом смещении Встроенный потенциал пере хода Коэффициент качества пере хода Энергетический барьер (ширина запрещенной зоны) Температурный коэф. IS Коэфф. фликкер-шума Показатель фликкер-шума Коэф. емкости прямосмещенного перехода Напряжение пробоя (обр.) Ток насыщения при пробое диода обратным напряжением	A OM Ceк Ф В ЭЛ/В В А	1Е-14 0 1 0 0 1 0,5 1,11 3,0 0 1 0,5 1Е-10