
- •Учреждение образования белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
- •Сборник задач и материалов
- •По курсу электроника и микросхемотехника
- •"Автоматическое управление в технических системах "
- •Задачи для практических занятий и курсовых работ
- •Приложение 1
- •Порядок составления входного файла описания аналоговых электронных схем различного назначения.
- •Порядок запуска входного файла на выполнение
- •Краткое описание входного языка пакета pSpice
- •Описание схемных компонентов. Пассивные элементы схем
- •Конденсаторы
- •Индуктивности
- •Взаимные индуктивности (трансформаторы)
- •Линии передачи
- •Полупроводниковые диоды (d)
- •Биполярные транзисторы (q)
- •Окончание Табл.5
- •Описание модели биполярного транзистора в общем виде выглядит следующим образом:
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n- переходом
- •Транзисторы на основе арсенид-галлия (gasfet)
- •Независимые источники тока и напряжения
- •Источник трапецeидальных импульсов
- •Синусоидальный источник
- •Кусочно-линейный источник
- •Экспоненциальный источник
- •Амплитудно-модулированный источник
- •Примеры формы написания независимых источников
- •Синусоидальный источник Управляемые источники напряжения и тока
- •1.Источники тока,управляемые напряжением.
- •2. Источники тока,управляемые током
- •3.Источники напряжения, управляемые током
- •Poly - указывает на то, что источник нелинейный
- •Автоматическое управление в технических системах
- •Корректор е.Н.Батурчик
Задачи для практических занятий и курсовых работ
ЗАДАЧА 1
Произвести анализ работы биполярного транзистора в режиме с
нагрузкой по постоянному току и по переменному току при исходных данных, указанных в табл. П1.1:
1.Начертить на миллиметровке семейство входных и выходных
статических характеристик транзистора для схемы включения с общим эмиттером согласно своему варианту.
2.На семействе статических выходных характеристик построить
динамическую выходную характеристику транзистора по постоянному току, т.е. нагрузочную прямую Iк=(Eк-Uк)/Rк.
3.По заданному значению тока покоя базы Iоб отметить положе-
ние рабочей точки на динамической выходной характеристике транзистора и графически определить напряжение на коллекторе Uок, напряжение на резисторе в цепи коллектора Rк и ток коллектора Iок, соответствующие найденной рабочей точке.
4.Через рабочую точку провести нагрузочную прямую по пере-
менному току для величины Rн, соответствующей своему варианту.
RH * RK
RHK= ————— .
RH + RK
Построить динамическую характеристику управления.
5.По заданному значению амплитуды входного сигнала Umвх гра-
фически определить по входной, выходной динамическим характеристикам по переменному току и характеристике управления численные значения следующих величин:
- амплитуду переменной составляющей тока базы Imб,
- амплитуду переменной составляющей тока коллектора Imк,
- амплитуду переменной составляющей коллекторного
напряжения Umк,
- входное сопротивление транзистора по переменному току Rвхт,
- выходное сопротивление транзистора по переменному
току Rвых,
- мощность входного сигнала Pвх ,
~
- мощность выходного сигнала Pвых ,
~
- мощность рассеяния коллекторной цепи Pок,
- коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности,
- мощность, потребляемую коллекторной цепью от источника питания,
- коэффициент полезного действия коллекторной цепи.
Размеры всех графически определяемых величин должны быть обозначены стрелками с указанием названия этих величин, их численных значений и единиц измерения.
ЗАДАЧА 2
1.Обьяснить назначение элементов схемы и принцип работы R-C усилителя на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ. Назвать основные причины нестабильности параметров транзисторных усилителей.
2.Рассчитать элементы Rэ, R1 , R2 термостабилизации усилителя
при исходных данных, приведенных в табл. П1.1.
3.Для данных табл.П1.2 построить амплитудно-частотную характеристику, определить параметры этой АЧХ (Ко, Fн, Fв, Mн, Mв ) и рассчитать разделительные и блокировочные емкости каскада, удовлетворяющие найденным параметрам.
4.Для исходного варианта табл.П1.1 определить h-параметры транзистора для схемы с ОЭ в его рабочей точке. Для контроля правильности расчетов в табл.П1.1 приведены ориентировочные величины h-параметров для транзистора в схеме с ОБ.
5.Используя найденные hэ-параметры транзистора и его справочные данные в табл.П1.1, рассчитать внутренние параметры физической Т-образной эквивалентной схемы транзистора и построить эквивалентную схему рассматриваемого каскада.
6.Воспользовавшись эквивалентной схемой каскада для линейного режима, рассчитать основные качественные показатели работы каскада:
- AЧX и полосу пропускания,
- коэффициенты усиления:
по току - Кi, напряжению - Ku, мощности - Kp,
- входное Rвх и выходное Rвых сопротивления схемы.
ЗАДАЧА 3
1.Произвести расчет основных параметров ( Кu, Rвх, Rвых ) усилителя на интегральной схеме 140УД (1 13) при введении общей последовательной отрицательной обратной связи (ООС) по напряжению, если Rг=200 Ом, Rн=5,1 кОм ( параметры интегральной схемы приведены в Справочнике по интегральным микросхемам под редакцией Б.В. Тарабрина, Москва, изд. "Энергия" 1981.
Рассчитать также величины элементов ООС ( Rос, Cос).
Варианты задачи даны в табл. П1.3.
2.Рассчитать неинвертирующий и инвертирующий УПТ с заданным коэффициентом усиления на основе интегральной схемы 153УД1. Рассчитать элементы цепи обратной связи, определить входное и выходное сопротивления. Варианты задачи даны в табл. П1.4.
3.Выбрать и рассчитать схему усилителя на основе ОУ, рабо-тающего от источника входного сигнала с амплитудой Ег=2мВ и внутренним сопротивлением Rг=28 кОм на частотах f = 50 Гц и f, заданной в табл. П1.5,коэффициенты частотных искажений М=1,5, М=1,5.