
- •Учреждение образования белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
- •Сборник задач и материалов
- •По курсу электроника и микросхемотехника
- •"Автоматическое управление в технических системах "
- •Задачи для практических занятий и курсовых работ
- •Приложение 1
- •Порядок составления входного файла описания аналоговых электронных схем различного назначения.
- •Порядок запуска входного файла на выполнение
- •Краткое описание входного языка пакета pSpice
- •Описание схемных компонентов. Пассивные элементы схем
- •Конденсаторы
- •Индуктивности
- •Взаимные индуктивности (трансформаторы)
- •Линии передачи
- •Полупроводниковые диоды (d)
- •Биполярные транзисторы (q)
- •Окончание Табл.5
- •Описание модели биполярного транзистора в общем виде выглядит следующим образом:
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n- переходом
- •Транзисторы на основе арсенид-галлия (gasfet)
- •Независимые источники тока и напряжения
- •Источник трапецeидальных импульсов
- •Синусоидальный источник
- •Кусочно-линейный источник
- •Экспоненциальный источник
- •Амплитудно-модулированный источник
- •Примеры формы написания независимых источников
- •Синусоидальный источник Управляемые источники напряжения и тока
- •1.Источники тока,управляемые напряжением.
- •2. Источники тока,управляемые током
- •3.Источники напряжения, управляемые током
- •Poly - указывает на то, что источник нелинейный
- •Автоматическое управление в технических системах
- •Корректор е.Н.Батурчик
Полевые транзисторы с управляющим p-n- переходом
(JUNTION FET)
Общая форма описания
Jимя ND NG NS имя модели [массив]
J -идентификатор полевого транзистора с управляющим p-n-
переходом
имя -обозначение элемента на схеме
ND,NG,NS -узлы подключения стока, затвора, истока
полевого транзистора соответственно
имя модели -имя модели транзистора
В табл.7 приведен перечень элементов описания полевого транзистора с управляющим p-n- переходом, указаны обозначения параметров моделей, принятые при описании аналитических зависимостей, и соответствующие идентификаторы, используемые в машинных распечатках. Приведены также значения параметров, принимаемых по умолчанию.
Описание модели полевого транзистора с управляющим p-n- переходом в общем виде выглядит следующим образом:
.MODEL ИМЯ ТИП П1=ЗН1 П2=ЗН2 .......
ИМЯ -имя модели
ТИП -один из следующих типов:
NJF-модель полевого транзистора с каналом типа n;
PJF-модель полевого транзистора с каналом типа p;
П1,П2...-наименование параметров (см.табл.7)
ЗН1,ЗН2,..-значения параметров. Параметрам, значения которых не
указаны в описании модели, присваиваются значения по умолчанию.
Примеры
JIN 100 1 0 JFAST
J13 22 14 23 JNOM 2.0
Таблица 7
N п/п |
Параметр |
Значение параметра |
Единица измер. |
Значение по умол. |
1 2 3 4 5 6
7
8
9 10
11 12 |
VTO BETA LAMBDA RD RS CGD
CGS
FC
PB IS
KF AF |
Пороговое напряжение Проводимость передачи Коэф. модуляции длины канала Сопротивление стока Сопротивление истока Емкость перехода затворсток при нулевом напряжении на переходе Емкость перехода затвористок при нулевом напряжении на переходе Коэф. емкости прямосмещенного перехода Внутренний потенциал затвора Ток насыщения перехода затвор- исток(сток) Коэф. фликкер-шума Показатель фликкер-шума |
B A/B 1/B OM OM .F
F
B
A
|
-2.0 1E4 0 0 0 0
0
0.5 1.0
1E-14 0 1 |
Транзисторы на основе арсенид-галлия (gasfet)
Общая форма описания
Bимя ND NG NS имя модели [массив]
B -идентификатор транзистора на основе арсенид-галлия
имя -обозначение элемента на схеме
ND,NG,NS -узлы подключения стока, затвора, истока полевого
транзистора соответственно
имя модели -имя модели транзистора
В табл. 8 приведен перечень элементов описания транзистора на основе арсенид-галлия, указаны обозначения параметров моделей, принятые при описании аналитических зависимостей, и соответствующие идентификаторы, используемые в машинных распечатках. Приведены также значения параметров, принимаемых по умолчанию. Описание модели транзистора на основе арсенид-галлия в общем виде выглядит следующим образом:
.MODEL ИМЯ ТИП П1=ЗН1 П2=ЗН2 .......
ИМЯ -имя модели ТИП -один из следующих типов:
GASFET -модель транзистора на основе арсенид-галлия с каналом типа n;
П1,П2...-наименование параметров (см.табл.8);
ЗН1,ЗН2,..-значения параметров. Параметрам, значения которых не
указаны в описании модели, присваиваются значения по умолчанию.
Примеры
BIN 100 1 0 GFAST
B13 22 14 23 GNOM 2.0
Таблица 8
N п/п |
Параметр |
Значение параметра |
Единица измер. |
Значение по умол. |
||
1 2 3 4 5 6 7 8 9
10
11
12
13 14 15 |
VTO VBI ALPHA BETTA LAMBDA RG |
Пороговое напряжение Пороговое напряжение Коэф. тангенса Проводимость передачи (крутизна ) Коэф. модуляции длины канала Сопротивление затвора |
В В 1/В А/В 1/V ОМ |
-2.5 1.0 2.0 0.1 0 0 |
||
RD RS CGD
CGS
CDS
IS
TAU KF AF |
Сопротивление стока Сопротивление истока Емкость перехода затворсток при нулевом напряжении на переходе Емкость перехода затвористок при нулевом напряжении на переходе Емкость перехода стокисток при нулевом напряжении на переходе Ток насыщения p-n переходов затвор-сток (затвор-исток) Время переноса Коэф. фликкер-шума Показатель фликкер-шума |
Ом Ом
F
F
F
A CEK |
0 0
0
0
0
1E-14 0 0 1 |