3.2. Лабораторне завдання

3.2.1. Теоретична частина

1. Вивчити принцип ції простого МП.

2. 3’ясувати переваги і недоліки схеми простого МП.

3. Ознайомитися з конструктивними варіантами виконання МП.

4. Вияснити особливості роботи простого МП в режимі вільного і вимушеного намагнічування.

3.2.2. Експериментальна частина.

1. Ввімкнути стенд.

2. Зняти і побудувати сім’ю статичних вольт-амперних характеристик МП як управляючого дроселя для різних значень струму управління

I_Y=0, 3, 6, 9, 12, 15 мА при нульовому значенні опору нагрузки (коротке замикання). Напругу живлення МП при цьому змінювати за допомогою ЛАТРа в межах 0...90 В.

3. Зняти і побудувати характеристики "вхід-вихід" МП для активної нагрузки (R4=250 Ом). Для індуктивної і ємнісної нагру­зок. Напругу живлення МП встановити рівною 30 В, струм управління - I_Y=0, 3, 6, 9, 12, 15 мА. При побудові характеристик необхідно розрахувати і вказати на графіках значення реактивних опорів нагруз­ки на частоті f=50 Гц.

4. Побудувати нагрузочні характеристики МП для нагрузки R5=250 Ом, індуктивної і ємнісної нагрузок. Для цього на сім’ю статичних вольт-амперних характеристик МП (див, п.2) нанести відповідні характеристики "вхід-вихід", одержані в п.3. Загальні точки обох ха­рактеристик з’єднати плавними лініями, які являють собою нагрузочні характеристики даного МП для відповідної нагрузки. Зняти і побудувати характеристики "вхід-вихід" МП для опорів нагрузки R_H= 10, 100, 1000 Ом. Напругу живлення встановивти U₁=20 В, а струм управління змінювати в межах 0...15 мА.

5. За одержаними характеристиками визначити коефіцієнт підсилювання по струму K_I і коефіцієнт підсилювання по напрузі K_U магнітного підсилювача для нагрузок R_H= 10, 100, 1000 Ом і при струмі управління I_Y=9 мА. Опір обмотки управління прийняти R_Y=1 кОм.

6. Література: [6, с. 33-34; 7, с. 71-96].

Л а б о р а т о р н а р о б о т а №4

ДОСЛІДЖЕННЯ МАГНІТНОГО ПІДСИЛЮВАЧА ІЗ ЗВОРОТНІМ ЗВ’ЯЗКОМ

Мета – вивчити різні схеми введення зворотнього зв’язку в МП і їх характеристики.

4.1. Опис лабораторного стенду

Лабораторний стенд дозволяє дослідити схеми МП, зображених на рис. 4.1-4.5.

Вибір потрібної схеми.проводиться шляхом комутації ключів S1...S6, розташованих в правій частині лабораторного стенду. Положення ключів для кожної схеми таке:

1. Схема на рис. 4.1 "Простий МП”: S1 – “2”; S2 – “1” чи “2”; S3 - "1"; S4 – “1”; S5 - "2"; S6 - "2".

2. Схема на рис. 4.2. "Простий МП зі зміщенням": S1 – “2”; S2 – “1” чи “2”; S3 - "1"; S4 – “1”; S5 - "1"; S6 - "2".

3. Схема на рис. 4.3 "МП з зовнішнім магнітним зв’язком": S1 – “2”; S2 – “1” чи “2”; S3 - "1"; S4 – “2”; S5 - "2"; S6 - "2".

4. Схема на рис. 4.4 "МП з внутрішнім зворотним зв’язком.": S1 – “2”; S2 – “1” чи “2”; S3 - "2"; S4 – “1”; S5 - "2"; S6 - "1".

5. Схема на рис. 4.5 "МП з внутрішнім зворотним зв’язком і зі зміщенням": S1 – “ 1”; S2 – “1” чи “2”; S3 - "2"; S4 – “1”; S5 - "1"; S6 - "2".

Напруга живлення, яку подають на МП, постійна і рівна 110 В.

Струм нагрузки I_H , струм управління I_Y і струм зміщення I_зм вимірюються міліамперметрами, встановленими в верхній частині стенду. При цьому струм управління I_Y регулюється потенціометром, змінюючим напругу управління U_Y. Струм зміщення регулюється також відповідним потенціометром, змінюючим напругу зміщення U_зм.

Глибина зворотного зв’язку задається потенціометром R_зз, в крайньому лівому положенні якого глубина зворотного зв’язку дорів­нює нулю, а в крайньому правому - дорівнює 0,8.