- •Диод (рис. 1.1)
- •Стабилитрон (рис. 1.3)
- •Тиристор (рис. 1.2)
- •Транз-р в ключевом режиме (рис 1.11)
- •Паралл. Соединение вентиля (рис 1.5)
- •Защита Вентилей от перенапряжения со стороны сети (рис. 1.7 а)
- •Защита Вентилей от перенапряжения со стороны потребителя
- •Схемы включения транзисторов
- •9,10. Горизонтальные и вертикальные сифу
- •11. Цифровые сифу (рис 4.5)
- •12. Многоканальные сифу
- •13. Задающие генераторы (рис. 4.10)
- •14. Фазосдвигающие устройства (рис. 4.21)
- •15. Формирование импульсов (рис. 4.26)
- •16. Регистры и счетчики (рис. 4.15 и 4.16)
Транз-р в ключевом режиме (рис 1.11)
Транзистор в переключающих схемах. Переключающие устройства обладают двумя устойчивыми состояниями, которые могут рассматриваться как положения «включено» и «выключено». Режим работы транзистора в переключающем устройстве характерен тем, что он в процессе работы скачком переходит из открытого состояния в закрытое и наоборот.
Простейшая схема транзисторного ключа приведена на рисунке 1.10, а. Запирание транзистора происходит, если на базу транзистора подать положительный (относительно эмиттера) потенциал.
а) б)
Рисунок 1.10. Ключевые схемы на транзисторах:
простейшая (а), с обратной связью (б)
В цепи эмиттер – коллектор транзистора будет протекать незначительный ток Iк.0. Напряжение на транзисторе Uкэ будет равно примерно э.д.с. источника питания Ек:
Uкэ = Ек - Iк0Rн ≈ Ек; (1.15)
UR = Iк0Rк ≈ 0.
Для открытия транзистора на базу необходимо подать отрицательный потенциал. При этом появится ток в цепи базы Iб, что приведет к увеличению тока коллектора Iк (он же ток нагрузки). При достаточном по величине токе базы ток коллектора достигает максимума, определяемого отношением
(1.15,а)
где
- сопротивление
открытого транзистора (близко к нулю).
Напряжения
Uкэ = Iк. максrэк ≈ 0; (1.16)
UR = Ек - Iк. макс.Rк ≈ Ек.
На рисунке 1.11 приведены статические характеристики транзистора в схеме с ОЭ, представляющие зависимости Iк = f(Uкэ) при токах базы 0 < Iб < Iб.макс. В семействе характеристик проведена нагрузочная прямая АБ, определяющая зависимость напряжения на коллекторе Uкэ и на нагрузке UR при заданных значениях Ек, Rк и Iб. Рабочая точка, например точка а, находится на пересечении характеристики, соответствующей заданному току базы Iб и нагрузочной прямой АБ. Положение АБ определяется величинами Ек и Rк .
Рисунок 1.11. Характеристики по пояснению работы
транзистора в ключевом режиме.
При токе базы Iк = 0 рабочая точка оказывается в так называемой области отсечки, для этой точки UR ≈ 0, Iк.0 ≈ 0, Uкэ ≈ Ек (транзистор заперт).
При увеличении тока базы (0 < Iб < Iб.макс) рабочие точки смещаются в активную область. Для этих точек ток коллектора Iк будет определяться значением тока базы Iб, а напряжение между нагрузкой и транзистором будет распределяться, подчиняясь соотношению
Uкэ + IкRк = Eк. (1.16, а)
При токе базы Iб. > Iб.макс дальнейшее нарастание тока коллектора прекращается. Максимальный ток коллектора Iк.макс получил название тока насыщения Iк.нас Величина тока насыщения определяется по отношению (1.15, а).
Для работы транзистора в ключевом режиме переход его из режима отсечки (закрытое состояние) в режим насыщения (открытое состояние) должен происходить скачкообразно.
Такой режим может быть реализован автоматически на основе двухкаскадного усилителя (см. рисунок 1.10,6) с обратной связью. Управляющий сигнал подается на базу транзистора Т1, а выходной сигнал снимается с коллектора транзистора Т2, который является силовым.
При установке ключа управления КУ в положение I и плавном уменьшении сопротивления резистора Ry на базу Т1 подается отрицательный потенциал, транзистор Т1 начинает открываться, переходя в активное состояние. Внутреннее сопротивление Т1 уменьшается, благодаря чему увеличивается положительный потенциал коллектора (точки а). Через резистор Rc повышение потенциала точки а передается на базу Т2, что вызывает уменьшение его коллекторного тока, а следовательно, и увеличение отрицательного потенциала коллектора Т2 (точки d). Через обратную связь Roс нарастание отрицательного потенциала точки d передается на базу Т1, что приводит к его дальнейшему открытию и повышению потенциала коллектора. Далее независимо от изменения величины входного сигнала потенциал точки а продолжает увеличиваться и, передаваясь на базу Т2, в конечном итоге полностью его закрывает. Процесс протекает лавинообразно, скачком. Обратный переход достигается подачей положительного потенциала на базу Т1 при установке ключа КУ в положение II. При этом запирается транзистор Т1 и отпирается транзистор Т2. При открытом Т2 напряжение Uвых ≈ Ек при закрытом Uвых ≈ 0.
Ключевой (релейный) режим в схеме усилителя достигается, таким образом, за счет сильной положительной обратной связи.
