Лабораторная работа № 7
ВНИМАТЕЛЬНО ИЗУЧИТЕ пункт № 3. Отчет строго по нему!
Исследование биполярного транзистора
1 Цель работы:
С помощью учебного лабораторного стенда LESO3 ознакомиться с принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ). Изучить особенности работы простейшего усилителя на биполярном транзисторе.
Для выполнения работы используются маломощные низкочастотные германиевые транзисторы типов МП20 – МП42 с различными буквенными индексами.
Порядок выполнения работы.
1.Пользуясь справочниками, определите расположение выводов, эмиттера, базы и коллектора испытываемых приборов. Проведите с помощью мультиметра испытания транзисторов и отберите из их числа работоспособные. Испытания транзисторов проводятся методом измерения сопротивлений база- эмиттер и база- коллектор в прямом и обратном включении. Для этого необходимо подключить к выводу базы один из проводов мультиметра, а другим проводом коснуться по очереди выводов коллектора и эмиттера. При подключении к базе «–», при исправном транзисторе структуры p-n-p, сопротивление между базой и другими выводами будут иметь небольшую величину (100-300 ом), немного различаясь между собой. При подключении к базе «+», при исправном транзисторе структуры p-n-p сопротивление между базой и другими выводами будут иметь очень большие значения ( »100 кОм).
Если результаты измерения иные, значит транзистор неисправен!!!
Для транзистора структуры n-p-n полярность выводов мультиметра противоположная.
2.Определите с помощью мультиметра тип проводимости (n-p-n или p-n-p) транзистора,
2. Задание к работе:
Исследование входных характеристик БТ в схеме с ОБ. Исследование выходных характеристик БТ в схеме с ОБ. Исследование входных характеристики БТ в схеме с ОЭ. Исследование выходных характеристик БТ в схеме с ОЭ. Исследование передаточной характеристики БТ в схеме с ОЭ. Исследование усилителя на БТ в схеме с ОЭ.
2.1 Исследование входных характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой
2.1.1 Собрать схему исследования входных характеристик БТ.
На рисунке 1 приведена схема исследования для n-p-n транзистора.
В работе электрические и монтажные схемы приведены в предположении, что исследуется n-p-n транзистор.
Рисунок 1 – Схема исследования входных характеристик БТ в схеме с ОБ.
Рисунок 2 – Вид собранной на стенде схемы.
2.1.2 Для транзистора структуры (n-p-n). Установить диапазон регулирования источника E1 0..-1 В, источника E2 0..+5 В. По вертикальной оси графопостроителя выбрать миллиамперметр mA1, диапазон: нижняя граница 0, верхняя +10 мА, по горизонтальной оси графопостроителя выбрать V1, диапазон: левая граница 0, правая граница -1 В.
Для транзистора структуры (p-n-p). Установить диапазон регулирования источника E1 0..1 В, источника E2 0..-5 В. По вертикальной оси графопостроителя выбрать миллиамперметр mA1, диапазон: нижняя граница 0, верхняя -10 мА, по горизонтальной оси графопостроителя выбрать V1, диапазон: левая граница 0, правая граница 1 В.
2.1.3 Снять две входные характеристики Iэ = f (Uэб) , для Uкб = 0 и Uкб = 5 В. Для этого с по-мощью источника E2 установить фиксированное напряжение V2. Далее плавно поворачивать ручку управления источника E1 против часовой стрелки до тех пор, пока ток эмиттера (mA1) не достигнет 10 мА. Результат измерения показан на рисунке 3.
Для транзистора структуры (p-n-p) изменить ВСЕ полярности!
Рисунок 3 – Входные характеристики БТ в схеме с ОБ.
2.1.4 Сохранить графики.