Лабораторная работа №1

Исследование нелинейного полупроводникового резистора.

Цель работы: ознакомление с характеристиками и параметрами нелинейного полупроводникового резистора.

Схема лабораторной установки:

Ход работы:

1. Снятие вольтамперной характеристики резистора I=f (U):

• переключатель В поставить в положение 1.

• включить источник питания ИП

• изменять входное напряжение от 0 до 220 В.

2. Определение основных параметров резистора

Построить график зависимости I = f(U)

• найти R_ст для трех точек (А, Б, В)

• динамическое сопротивление R_д определяется по tg угла наклона касательной к этой точке

• по найденным в каждой точке значениям R_cт и R_д определить коэффициент нелинейности β

Таблица 1

Переключ. В в полож. 1 (+)	U, В
	I, мА
Переключ. В в полож. 2(-)	U, В
	I, мА

Таблица 2

точка параметры	Rст , Ом	Rд , Ом	β
А
Б
В

;

; ;

Лабораторная работа №2

Снятие характеристик и определение параметров транзистора по схеме с общим эмиттером.

Цель работы: изучение особенностей работы транзистора по схеме с общим эмиттером (снятие входной и выходной характеристик), определение коэффициента усиления по току β и входного сопротивления R_вх.

Рис. 1 Схема лабораторной установки.

Выполнение работы:

1. Сборка и опробование схемы.

2. Снятие входных статических характеристик транзистора I_б = f (U_бэ) при U_кэ = const.

3. Снятие выходных статических характеристик транзистора I_к = f_i (U_кэ) при I_бэ = const.

4. Построение статических характеристик транзистора.

5. Определение коэффициента усиления по току β = I_к/I_б и входного сопротивления транзистора R_вх = U_бэ/I_б.

Таблица 1

Транзистор типа П-214
Uкэ = 0 В		Uкэ’ = 5 В		Uкэ’’ = 10 В			Uкэ’’’ = 15 В
Uбэ , мВ	Iб , мкА	Uбэ , мВ	Iб , мкА	Uбэ , мВ	Iб , мкА	Uбэ , мВ		Iб , мкА

Таблица 2

Iб = 0 мА			Iб’ = 40 мА			Iб’’ = 80 мА			Iб’’’ = 120 мА
Uкэ , В	Iк , мА	Uкэ , В		Iк , мА	Uкэ , В		Iк , мА	Uкэ , В		Iк , мА