
- •1. Исторические сведения о развитии метода электронной микроскопии
- •2. История создания растровой электронной микроскопии
- •3. Схема образования вторичных сигналов в электронной микроскопии
- •4. Принципиальная схема растрового электронного микроскопа
- •5. Разрешение в растровой электронной микроскопии
- •6. Сферическая аберрация в растровой электронной микроскопии
- •7. Хроматическая аберрация в растровой электронной микроскопии
- •8. Астигматизм линз
- •9. Электронная пушка растрового электронного микроскопа
- •10. Линзовая система растрового электронного микроскопа
- •11. Сцинтилляционный детектор растрового электронного микроскопа
- •12. Контраст в растровой электронной микроскопии, определяемый атомным составом мишени
- •13. Топографический контраст в растровой электронной микроскопии
- •14. Контраст каналирования электронов в растровой электронной микроскопии
- •15. Магнитный контраст в растровой электронной микроскопии
- •16. Потенциальный контраст в растровой электронной микроскопии
- •17. Методы пробоподготовки в рэм. Напыление покрытия
- •18. Методы пробоподготовки в рэм. Метод реплик
- •19. Принципиальная схема просвечивающего электронного микроскопа
- •20. Виды контраста в пэм. Контраст уплотнений
- •21. Виды контраста в пэм. Дифракционный контраст
- •22. Виды контраста в пэм. Контраст контуров изгиба
- •23. Виды контраста в пэм. Контраст вариаций толщины образца
- •24. Виды контраста в пэм. Контраст дефектов кристалла
- •25. Виды контраста в пэм. Фазовый контраст: съемка решетки
- •26. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии. Метод дробления
- •27. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии. Электрополировка
- •28. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии Химическое травление
- •29. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии. Улътрамикротомия
- •30. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии. Ионное травление
- •31. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии. Метод ионного травления фокусированным ионным пучком
- •32. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии Вакуумное напыление
- •33. Принципиальная схема спектрометра схпээ
- •34. Особенности анализа спектров схпээ
- •35. Методы энергетической фильтрации электронов в методе схпээ
- •36. Элементное картирование в схпээ
- •37. Особенности метода энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (эдра)
- •38. Картирование элементного состава методом эдра
- •39. Метод alchemi
- •40. Методы электронной дифракции и электронной дифракции в нанопучке
- •41. Электронная дифракция в сходящемся пучке
- •42. Лоренцева микроскопия
- •43. Электронная голография и анализ доменной структуры
10. Линзовая система растрового электронного микроскопа
Уменьшенное изображение кроссовера в дальнейшем формируется конденсорной системой микроскопа, которая может состоять из одной или нескольких линз, причем последняя линза, формирующая минимальное пятно зонда на поверхности объекта, называется объективной линзой.
Имеется несколько способов увеличения тока зонда. С одной стороны, можно увеличивать ускоряющее напряжение, снижая длину волны электронов, с другой – необходимо уменьшать аберрации линз и в первую очередь сферическую аберрацию. Наконец, есть способы увеличения плотности тока путем перехода на катоды из гексаборида лантана. Однако следует иметь в виду, что все эти меры имеют естественное ограничение, связанное с тем, что в результате взаимодействия электронов пучка с материалом образца происходит заметное увеличение области, в которой генерируются вторичные сигналы по сравнению с диаметром зонда. Поэтому разрешающая способность в РЭМ определяется в первую очередь не диаметром зонда, а размерами области, в которой происходит генерация вторичных эффектов
11. Сцинтилляционный детектор растрового электронного микроскопа
В настоящее время наиболее широкое распространение в РЭМ для регистрации вторичных электронов получили сцинтилляционные детекторы. Вторичные электроны попадают на сцинтиллятор, преобразующий энергию электрона в световой импульс, который улавливается фотокатодом, преобразуется снова в фототок и затем усиливается фотоэлектронным умножителем. Между сцинтиллятором и фотоэлектронным умножителем помещается световод, позволяющий вывести фотоумножитель, работа которого крайне чувствительна к внешним электрическим и магнитным полям, за пределы вакуумной камеры РЭМ. Так как большинство используемых сцинтилляторов генерируют свет под действием электронов с энергией более 10 кэВ, на его внешнюю поверхность наносится тонкий полупрозрачный металлический слой и на него подается положительное напряжение около 12 кВ для сбора и ускорения низкоэнергетической части спектра (истинно) вторичных электронов. Чтобы исключить влияние этого электрического поля на первичные электроны зонда, сцинтиллятор помещается внутрь цилиндра Фарадея, на который подается напряжение порядка нескольких десятков вольт (-50÷+250 В), причем небольшой положительный потенциал используется для сбора низкоэнергетических электронов, которые, попадая внутрь цилиндра, ускоряются дополнительным потенциалом, имеющимся на поверхности сцинтиллятора. Отрицательное напряжение на коллекторе полностью запирает вход детектора для низкоэнергетической части вторичных электронов, позволяя наблюдать контраст только в отраженных электронах. Детектор в таком виде получил название детектора Эверхарта-Торнли. Следует подчеркнуть, что эффективность сбора низкоэнергетических электронов будет выше, чем для высокоэнергетических.
Материал сцинтиллятора постепенно деградирует за счёт накопления радиационных дефектов под действием подающих на него электронов, ухудшая эффективность детектора, и требует периодической замены.