
- •1. Исторические сведения о развитии метода электронной микроскопии
- •2. История создания растровой электронной микроскопии
- •3. Схема образования вторичных сигналов в электронной микроскопии
- •4. Принципиальная схема растрового электронного микроскопа
- •5. Разрешение в растровой электронной микроскопии
- •6. Сферическая аберрация в растровой электронной микроскопии
- •7. Хроматическая аберрация в растровой электронной микроскопии
- •8. Астигматизм линз
- •9. Электронная пушка растрового электронного микроскопа
- •10. Линзовая система растрового электронного микроскопа
- •11. Сцинтилляционный детектор растрового электронного микроскопа
- •12. Контраст в растровой электронной микроскопии, определяемый атомным составом мишени
- •13. Топографический контраст в растровой электронной микроскопии
- •14. Контраст каналирования электронов в растровой электронной микроскопии
- •15. Магнитный контраст в растровой электронной микроскопии
- •16. Потенциальный контраст в растровой электронной микроскопии
- •17. Методы пробоподготовки в рэм. Напыление покрытия
- •18. Методы пробоподготовки в рэм. Метод реплик
- •19. Принципиальная схема просвечивающего электронного микроскопа
- •20. Виды контраста в пэм. Контраст уплотнений
- •21. Виды контраста в пэм. Дифракционный контраст
- •22. Виды контраста в пэм. Контраст контуров изгиба
- •23. Виды контраста в пэм. Контраст вариаций толщины образца
- •24. Виды контраста в пэм. Контраст дефектов кристалла
- •25. Виды контраста в пэм. Фазовый контраст: съемка решетки
- •26. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии. Метод дробления
- •27. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии. Электрополировка
- •28. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии Химическое травление
- •29. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии. Улътрамикротомия
- •30. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии. Ионное травление
- •31. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии. Метод ионного травления фокусированным ионным пучком
- •32. Методы пробоподготовки в аналитической просвечивающей электронной микроскопии Вакуумное напыление
- •33. Принципиальная схема спектрометра схпээ
- •34. Особенности анализа спектров схпээ
- •35. Методы энергетической фильтрации электронов в методе схпээ
- •36. Элементное картирование в схпээ
- •37. Особенности метода энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (эдра)
- •38. Картирование элементного состава методом эдра
- •39. Метод alchemi
- •40. Методы электронной дифракции и электронной дифракции в нанопучке
- •41. Электронная дифракция в сходящемся пучке
- •42. Лоренцева микроскопия
- •43. Электронная голография и анализ доменной структуры
Вопросы к госэкзамену
Электронная микроскопия
1. Исторические сведения о развитии метода электронной микроскопии
Идея первого электронного микроскопа с магнитными линзами была высказана, а затем и осуществлена М. Кнолем и Э. Руска в 1931 году. Физической основой этой фундаментальной работы послужил целый ряд выдающихся открытий, сделанных, начиная с конца XIX в.: открытие катодных лучей, электронов, определение их заряда (Дж. Томсон, 1897); Исследование взаимодействия электронных пучков с магнитными полями и открытие магнитной фокусировки (Х. Буш, 1926); открытие волновой природы материи (Л. Де-Бройль,1924); открытие явления дифракции электронов (К. Дависсон, Л. Гермер, Г. Томсон, 1927); создание теории динамической дифракции электронов (Х. Бет,1928).
В 1934 году была опубликована работа (Л. Мартон), в которой приведены первые электронно-микроскопические снимки биологических объектов. На первом этапе электронная микроскопия применялась в основном для наблюдения биологических объектов, причем для интерпретации снимков использовался лишь адсорбционный контраст. Однако, появление метода реплик – отпечатков, сделанных с поверхности (Х. Маль, 1940; К. Холл, 1956), и особенно декорирование их металлами (Х. Меллер, 1942) позволило успешно изучать неорганические материалы – сколы и изломы кристаллов. Примерно с начала 50-х годов XX в. начинаются интенсивные попытки исследования тонких фольг материалов на просвет. Это стало возможным в результате существенного повышения до 100 кВ ускоряющего напряжения в электронных микроскопах. По-видимому, первой успешной в этом плане работой явилось наблюдение дислокаций и дефектов упаковки в металлических фольгах (П. Хирш, 1956). Для интерпретации наблюдаемого контраста авторам в дальнейшем пришлось использовать результаты динамической дифракции электронов, разработанной ранее (Х. Бет, 1928). С этого периода начинается бурное развитие электронно-микроскопической техники, появляются разнообразные методики приготовления тонких фольг, интенсивно развивается теория дифракционного контраста. Электронная микроскопия находит все более широкое применение в физическом материаловедении.
Постоянное совершенствование электронных микроскопов дало возможность к настоящему времени довести разрешение по точкам в рядовых приборах до 0,3–0,5 нм.
В 1947 году появилась первая статья (Х. Борч) в которой наблюдался контраст единичных атомов и атомных образований в кристаллах и обсуждались идеи фазового контраста. В 1949 году О. Шерзер опубликовал работу в которой обсуждался фазовый сдвиг приобретаемый электронами при прохождении кристалла.
Последние десятилетия различными фирмами, выпускающими электронные микроскопы, велись целенаправленные работы по улучшению разрешения по точкам. Наибольшие успехи здесь достигнуты Японской фирмой JEOL, освоившей несколько лет назад серийный выпуск серии приборов JEM-4000 с разрешением 0,12-0,15 нм.
2. История создания растровой электронной микроскопии
Микроскоп, в котором небольшой электронный зонд сканирует по поверхности образца и результирующие сигналы (например, вторичные электроны) отображаются путем их синхронизации с положением электронного зонда, называется сканирующим (СЭМ, SEM) или растровым электронным микроскопом (РЭМ), а его основной режим наблюдения называется растровой электронной микроскопией. Как правило, в растровой электронной микроскопии в качестве сигнала используются вторичные электроны либо обратноотраженные электроны, а ускоряющее напряжение микроскопа составляет от 10 до 20 кэВ. Также применяется РЭМ с более низким ускоряющим напряжением (около 1 кВ). При ускоряющих напряжениях выше 100 кВ прошедшие через тонкий образец электроны используются в качестве полезного сигнала для просвечивающей растровой электронной микроскопии (ПРЭМ, СПЭМ).
Принципиально новая идея построения электронного микроскопа была сформулирована в 1935 году М. Кнолем, идея оптического сканирующего микроскопа была ранее высказана и реализована одним из создателей современного телевидения В.К.Зворыкиным в 1924 году. Согласно этой идее изображение объекта формируется последовательно по точкам и является результатом взаимодействия электронного пучка (зонда) с поверхностью образца. Каждая точка образца последовательно облучается сфокусированным электронным пучком, который перемещается по исследуемой поверхности подобно сканированию электронного луча в телевизионных системах.
Растровые электронные микроскопы (РЭМ) принципиально отличаются от микроскопов, как дифракционных приборов, в обычном понимании этого термина. По существу РЭМ – это телевизионный микроскоп. Несмотря на кажущуюся простоту идеи, высказанной М. Кнолем, осуществить ее в виде надежного прибора с достаточным для практической работы разрешением оказалось очень сложно из-за весьма ограниченных технических возможностей того времени. Первые действующие приборы были созданы в 1939 г. (М. Арденне) и в 1942 г. (В.К. Зворыкин). Однако широкое использование РЭМ в науке и технике стало возможно лишь в 70-е годы, когда появились высоко надежные приборы, созданные на основе достижений микроэлектроники и вычислительной техники.