
- •Краткие теоретические сведения
- •1Создание новой модели элемента
- •2Режим моделирования dc Sweep
- •3Модель биполярного транзистора
- •4Методика экспериментального снятия характеристик транзистора
- •4.1Зависимость напряжения база – эмиттер (Vbe (sat) Voltage) и коллектор – эмиттер (Vce (sat) Voltage) от тока коллектора в режиме насыщения
- •4.2Зависимость статического коэффициента передачи по току от тока коллектора hFe(Ic) (Forward dc Beta)
- •4.3Зависимость выходной проводимости hoe(Ic) от тока коллектора (Output Admittance)
- •4.4Зависимость граничной частоты передачи тока fT(Ic) от тока коллектора (Gain Bandwidth)
- •4.5Зависимость времени рассасывания заряда ts(Ic) от тока коллектора (Storage Time)
- •4.6Зависимость барьерной емкости перехода коллектор-база Cobo(Vcb) (c-b Capacitance) и эмиттер-база Cibo(Veb) (e-b Capacitance)
- •5Задание на лабораторную работу №4
- •Контрольные вопросы
- •Список источников, рекомендуемых для изучения
4.6Зависимость барьерной емкости перехода коллектор-база Cobo(Vcb) (c-b Capacitance) и эмиттер-база Cibo(Veb) (e-b Capacitance)
Схема измерения приведена на рис. 3 е. Принцип ее действия состоит в последовательном измерении сопротивления конденсатора С1 и перехода транзистора по переменному току. Для этого нагрузочный резистор R3 по очереди подключается к конденсатору, затем к транзистору с помощью переключателя. Осциллограф фиксирует амплитуду колебаний переменного тока проходящих через конденсатор или транзистор. Когда амплитуда колебаний при переключении будет одинакова, емкости конденсатора и перехода транзистора будут равны.
ts
Рис. 3 д Измерение времени рассасывания
Рис. 3 е. Схема измерения зависимости барьерной емкости перехода коллектор-база Cobo(Vcb) (C-B Capacitance) и эмиттер-база Cibo(Veb) (E-B Capacitance)
Таким образом, необходимо подбирать емкость конденсатора, выравнивая амплитуды колебаний. Емкость конденсатора в этом случае – индикатор емкости перехода. Для удобства измерения конденсатор выбран переменной емкости, а переключение происходит автоматически от источника прямоугольных импульсов.
Напряжение на переходе транзистора устанавливается источником V3, но оно делится делителем R1R2 и поэтому лучше пользоваться индикатором М1. Меняя напряжение М1 получают отдельные точки зависимости Cobo(Vcb). Для получения зависимости Cibo(Veb) коллектор и эмиттер транзистора нужно поменять местами.
5Задание на лабораторную работу №4
Создать модель биполярного транзистора и поместить его в новую библиотеку. Вариант модели транзистора выбирается из таблицы 3. Номер варианта соответствует номеру компьютера.
Таблица 3
Номер компьютера |
Транзистор (r-npn.lib) |
1 |
kt315a |
2 |
KT630E |
3 |
kt3102a |
4 |
kt3102b |
5 |
KT3102V |
6 |
KT3102G |
7 |
kt316d |
8 |
KT315G |
9 |
KT315GE |
Рис. 4 Таблица параметров модели биполярного транзистора
Контрольные вопросы
Сформулируйте суть каждой снимаемой характеристики транзистора;
Предложите иную схему измерения барьерной емкости.
Предложите иную схему измерения граничной частоты передачи тока.
Список источников, рекомендуемых для изучения
ОСНОВНАЯ
Карлащук, В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее применение [Текст] / В.И. Карлащук. – М.: Солон–Р, 2001.– 726 с.
Панфилов, Д.И. Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях: Практикум на Electronics Workbench: В 2-х томах [Текст] / Д.И. Панфилов. – М. ДОДЕКА. 2000.
ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ
Разевиг, В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0 [Текст] / В.Д. Разевиг. – М., «Солон-Р», 2000.
Разевиг, В.Д. Система проектирования цифровых устройств OrCAD [Текст] / В.Д. Разевиг. – М., «Солон-Р», 2001.