Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
МЭУРЭС_2м_2010.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
300.54 Кб
Скачать

4.6Зависимость барьерной емкости перехода коллектор-база Cobo(Vcb) (c-b Capacitance) и эмиттер-база Cibo(Veb) (e-b Capacitance)

Схема измерения приведена на рис. 3 е. Принцип ее действия состоит в последовательном измерении сопротивления конденсатора С1 и перехода транзистора по переменному току. Для этого нагрузочный резистор R3 по очереди подключается к конденсатору, затем к транзистору с помощью переключателя. Осциллограф фиксирует амплитуду колебаний переменного тока проходящих через конденсатор или транзистор. Когда амплитуда колебаний при переключении будет одинакова, емкости конденсатора и перехода транзистора будут равны.

ts

Рис. 3 д Измерение времени рассасывания

Рис. 3 е. Схема измерения зависимости барьерной емкости перехода коллектор-база Cobo(Vcb) (C-B Capacitance) и эмиттер-база Cibo(Veb) (E-B Capacitance)

Таким образом, необходимо подбирать емкость конденсатора, выравнивая амплитуды колебаний. Емкость конденсатора в этом случае – индикатор емкости перехода. Для удобства измерения конденсатор выбран переменной емкости, а переключение происходит автоматически от источника прямоугольных импульсов.

Напряжение на переходе транзистора устанавливается источником V3, но оно делится делителем R1R2 и поэтому лучше пользоваться индикатором М1. Меняя напряжение М1 получают отдельные точки зависимости Cobo(Vcb). Для получения зависимости Cibo(Veb) коллектор и эмиттер транзистора нужно поменять местами.

5Задание на лабораторную работу №4

Создать модель биполярного транзистора и поместить его в новую библиотеку. Вариант модели транзистора выбирается из таблицы 3. Номер варианта соответствует номеру компьютера.

Таблица 3

Номер компьютера

Транзистор (r-npn.lib)

1

kt315a

2

KT630E

3

kt3102a

4

kt3102b

5

KT3102V

6

KT3102G

7

kt316d

8

KT315G

9

KT315GE

Рис. 4 Таблица параметров модели биполярного транзистора

Контрольные вопросы

  1. Сформулируйте суть каждой снимаемой характеристики транзистора;

  2. Предложите иную схему измерения барьерной емкости.

  3. Предложите иную схему измерения граничной частоты передачи тока.

Список источников, рекомендуемых для изучения

ОСНОВНАЯ

  1. Карлащук, В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее применение [Текст] / В.И. Карлащук. – М.: Солон–Р, 2001.– 726 с.

  2. Панфилов, Д.И. Электротехника и электроника в экспериментах и упражнениях: Практикум на Electronics Workbench: В 2-х томах [Текст] / Д.И. Панфилов. – М. ДОДЕКА. 2000.

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ

  1. Разевиг, В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0 [Текст] / В.Д. Разевиг. – М., «Солон-Р», 2000.

  2. Разевиг, В.Д. Система проектирования цифровых устройств OrCAD [Текст] / В.Д. Разевиг. – М., «Солон-Р», 2001.

18

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]