2Режим моделирования dc Sweep

Для получения некоторых экспериментальных характеристик транзистора необходимо воспользоваться режимом DC Sweep САПР EWB.

Режим DC Sweep устанавливается через меню Analysis. Он предназначен для получения зависимости напряжения в выбранном узле схемы от изменения основного параметра источника энергии или сигналов. Например, можно изменять в заданных пределах напряжение источников напряжения и ток источников тока Source 1 (Рис. 2).

Семейство характеристик можно получить при вариации дополнительного вторичного параметра другого источника Source 2.

К сожалению, выходным параметром Output может быть только напряжение в любом выбранном узле схемы.

После получения графиков зависимости ее точные значения в конкретной точке можно получить через использование скользящих курсоров, кнопка Toggle cursor.

Рис. 2 Окно параметров режима моделирования «DC Sweep»

3Модель биполярного транзистора

В итоге, модель биполярного транзистора, например КТ315А, будет иметь вид:

.model kt315a NPN (Is=2.82f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=3.32K Bf=55 Ne=2.35

+ Ise=554.1p Ikf=18.04m Xtb=1.5 Br=.6455 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=0

+ Cjc=17p Vjc=.75 Mjc=.333 Fc=.5 Cje=8.55p Vje=.75 Mje=.333

+ Tr=3.36u Tf=1.02n Itf=0 Vtf=0 Xtf=0)

В скобках стоят параметры модели транзистора. Не все параметры транзистора должны стоять в скобках. Отсутствующие параметры получают значение по умолчанию. Наименование полного списка параметров полезно знать для исключения ошибок и для сравнения моделей. Суть каждого параметра достаточно сложна, но излагается во многих книгах, например [1, 3]. В лабораторной работе это не рассматривается.

4Методика экспериментального снятия характеристик транзистора

4.1Зависимость напряжения база – эмиттер (Vbe (sat) Voltage) и коллектор – эмиттер (Vce (sat) Voltage) от тока коллектора в режиме насыщения

• Нажмите кнопку New model редактора Model Editor и выберите From Model: Bipolar Transistor (NPN или PNP);

• Обратите внимание на дополнительные параметры графика, такие как отношение тока коллектора к току базы Ic/Ib=10. При получении экспериментального графика эти параметры должны быть учтены.

• Перейдите в САПР EWB. Введите схему для вычисления нужной зависимости. Схема приведена на рис. 3 а;

Получите по 3 пары значений напряжения база-эмиттер Vbe и напряжения коллектор-эмиттер Vсe от тока коллектора Ic, воспользовавшись моделированием схемы на рис.3 а.

Каждый раз следует устанавливать соотношение тока коллектора к току базы равным 10. Также необходимо обращать внимание на соотношение напряжений. В режиме насыщения напряжение на коллекторе ниже, чем на базе, что говорит о правильности выполняемых измерений;

• Перенесите значения в таблицу редактора моделей в виде 3-х точек вручную. Кнопку Auto Refresh следует отжать до ввода всех значений всех характеристик в таблицу. Удобно использовать масштабные приставки:

MEG	МЕГа- 106
k	Кило- 103
m	мили- 10-3
u	микро- 10-6
n	нано- 10-9
p	пико- 10-12
f	фемто- 10-15
a	атто- 10-18
Например:	10m=0.01

Рис. 3 а. Схема снятия зависимости напряжения база-эмиттер и коллектор-эмиттер от тока коллектора Ube(Ic) (Vbe(Sat) Voltage), Uce(Ic) (Vce(Sat) Voltage).