
- •Системні методи в конструюванні технології та надійності рез.
- •Системний перехід до проектних досліджень рез.
- •1.2. Основи системного аналізу.
- •1.3. Загальні питання проектування конструкцій та технологічних процесів.
- •1.4. Оператор системи контролю.
- •1.5. Оцінка реа як об’єкта контролю.
- •1.6. Засоби контролю стану рез.
- •1.7. Автоматизація контролю та діагностування вузлів реа
- •1.8. Моделі об’єктів діагностування.
- •1.9. Математичні маделі ере.
- •2.0. Математичні моделі з’єднань.
- •2.1.Топологічні моделі.
- •2.2. Матричні моделі.
- •2.2. Математичні моделі аналогових пристроїв.
- •2.3. Моделі на постійному струмі.
- •2. Ймoвірнісні методи в задачах оцінки та забезпечення надійності рез.
- •Густина розподілу безвідмовної роботи , () ()
- •3 Експерементально – систиматичні моделі та методи.
- •Апаратура високошвидкісного тестування віс
- •Сигнатурний аналіз
- •Принцип дії сигнатурного аналізатора
2.2. Математичні моделі аналогових пристроїв.
В залежності від режимів діагностування є статистичні та динамічні ММ.
Статистичні ММ – режим постійного струму та режим періодичних синусоїдальних та несинусоїдальних сигналів.
Динамічні ММ – аналіз перехідних процесів за допомогою системи дифрівнянь у формі Кощі:
Vі – змінні стану. Звичайно використовується в якості Vі – Uс, ІL.
2.3. Моделі на постійному струмі.
Для діагностування дефектів резисторів, різних ІС. Такі моделі підходять для пошуку коротких замикань та обривів провідників. Є два режими подачі тестових сигналів задана напруга і заданий струм. ММ постійного струму придатні для лінійних та нелінійних вузлів РЕА.
Моделі на змінному струмі.
Використовують тестові генератори періодичних сигналів синусоїдальної форми або періодичні сигнали складної форми. Діагностична інформація знаходиться в АЧХ та ФЧХ. Є 4 види комплексних характеристик:
1) Комплексний коефіцієнт передачі по напрузі від точки j до точки i:
Kij
(
)
=
;
2) Комплексний коефіцієнт передачі по струму від точки j до точки і:
3) Комплексна взаємна провідність між точками j та i :
4) Комплексний взаємний опір між точками j та i:
Тут
та
- комплекнсі амплітуди напруги холостого
ходу та струмів короткого замикання,
виміряні в точці і;
та
- відповідно, комплексні амплітуди ЕРС
та задаючих струмів в точці j.
В процесі діагностування аналізуються або дійсні і уявні складові, або модулі та фази комплексних частотних характеристик.
По відношенню до зовнішніх виводів об’єкт діагностування (ОД) розглядається як електричний багатополюсник. Комплексні коефіцієнти об’єднуються в матриці, які є математичними моделями лінійних аналогових вузлів РЕА.
Моделі деяких ОД з нелінійними елементами (діоди, транзистори) в режимах по постійному струму деколи розглядаються як лінійні. Такі моделі називаються малосигнальними. Якщо ОД суттєво нелінійні, то при впливі синусоїдальних тестуючих сигналів виникають нелінійні спотворення. Спектр гармонічних складових спотвореного сигналу теж несе діагностичну інформацію.
Частотні моделі побудовані на простій теорії та реалізуються на доступній апаратурі.
Матеметичні моделі цифрових пристроїв.
При діагностуванні ДП використовуються два види моделей цифрових пристроїв:
Функціонально-логічні – розглядають ОД як «чорний ящик» та встановлюють тільки функціональні залежності між вхідними та вихідними сигналами.
Структурно-логічні – описують склад та правила роботи окремих компонентів, способи їх з’єднування та взаємодії з зовнішнім середовищем. В якості цих моделей приймається логічна сітка або логічна схема.
Логічній схемі у відповідність ставиться орієнтований граф, вершинам якого відповідають логічні елементи, вхідні та вихідні полюси схеми, а дугам – з’єднання схеми. Граф, в свою чергу, може задаватися матрицею інциденцій.
Сітка Петрі N – це набір
N = (P, L, F, M0),
де Р = {P1, P2,…,Pm} – множина позицій; L = {l1, l2,..,ln} – множина переходів; F – відношення інцидентності; M0 - початкове маркування сітки.
Кожному переходу lі є L відповідає деяка множина Рі вх. та Рі вих. Вхідних та вихідних позицій.
Підхід до опису процесів в цифрових пристроях з допомогою СП базується на двох поняттях: подія та умова. В СП умави представляються позиціями, а події – переходами. Умови можуть приймати значення логічної «1» або логічного «о».
Багато
сучасних В і С можуть зназодитися в
третьому, високоімпредансному стані.
Вх. 1
В
&
вихід
В х. 2 а) Вх. 2
В х. 3
Вх. 3
(Рис. 20 )
Рис. 20. елемент «ЗІ - НІ» (а), та сітка Тетрі, яка реалізує ф-ію цього елеиенту.
4.5. Моделі гібридних ДВ.
Моделюємий ДВ складається з ДП та розташованими на ній аналоговими та цифровими компонентами і провідниками.
-
фі-я розподілу випадкової величини
.
Рис.3.1 Загальний вигляд ф-ії розподілу неперервної (а) та дискретної (б) випадкової величини.
- густина розподілу неперервної
випадкової величини.
,
(28) (2.0)
Р
(17) (3.13)
X1 X1
Рис.3.2. Загальний вигляд густини розподілу неперервної (а) та ряду розподілу дискретної (б) випадкової величини.
(18)
(3.14)
початковий момент розподілу, К=0, 1, 2,..
(19) (3.15)
Центральний момент розподілу, К=0, 1, 2,..
(20)
(3.16)
Матеметичне сподівання, тобто теоретична оцінка середнього значення випадкової величини.
(21)
(3.17)
дисперсія, або теоретична оцінка розкиду випадкової величини біля математичного сподівання.
Для приведення
до
однієї розмірності вводять
(22)
(3.18)
Середньоквадратичне відхилення.
(23)
(3.19)
Кореляційний момент (при
сумісному розгляді двох випадкових
величин
та
)
–показник їх зв’язку;
-
сумісна густина розподілу (див. (3.11)).