Задание

0. Изучить лабораторную установку (принципиальную и вакуумную схему установки, а также порядок включения/выключения).

1. Исследовать зависимость скорости травления образцов, данных преподавателем, от плотности тока пучка и энергии ионов.

2. Оценить с помощью микроскопа растрав и однородность границ.

3. Получить теоретические оценки скорости травления.

4. Сравнить теоретические и экспериментальные результаты.

Порядок выполнения работы

1. Ознакомиться с устройством установки и порядком работы.

2. Провести вместе с преподавателем эксперименты по ионному травлению (образцы и технологически режимы задаются преподавателям).

5. Вычислить экспериментальные значения скорости травления, пользуясь формулой (5.6).

6. Вычислить теоретические значения скорости травления, пользуясь формулой (5.7).

7. Произвести сравнительный анализ полученных теоретических и экспериментальных результатов.

Содержание отчета

Отчет по лабораторной работе должен содержать следующие разделы:

1. Формулировка цели работы.

2. Схема процесса микропрофилирования.

3. Таблица измеренных технологических параметров.

4. Результаты экспериментов (скорость травления, линейные размеры полученного образца).

5. Результаты теоретических оценок коэффициентов и скоростей распыления.

6. Выводы.

Контрольные вопросы

1. Какие преимущества ионного травления по сравнению с химическим?

2. Какие параметры процесса влияют на скорость травления резистивной маски?

3. От каких факторов зависит разрешение микропрофилирования и какими способами можно его повысить?

4. За счёт каких физических процессов в плазме газового разряда происходит формирование потоков ионов и высокоэнергетичных атомов, бомбардирующих мишень?

5. Чем обусловлено наличие максимума в зависимости коэффициента распыления от энергии бомбардирующих ионов?

6. Как влияет стехиометрический состав многокомпонентной мишени на скорость её распыления?

7. Как теоретически можно оценить скорость распыления металлических пленок?

8. Какая разновидность метода ионного травления позволяет травить диэлектрические пленки?

9. Каким способом можно увеличить скорость травления?

Список рекомендуемой литературы

Вольпяс В.А., Гольман Е.К., Зайцев А.Г., Козырев А.Б. Расчет режимов процесса катодного распыления: Методические указания к курсовому проекту по дисциплине “Процессы электронно-ионной технологии“ // Изд-во, Л., 1990, - 14 с.

Вольпяс В.А., Гольман Е.К., Зайцев А.Г., Розин С.Е. Моделирование процесса переноса частиц при ионно-плазменном распылении: Методические указания к курсовой работе по дисциплине “Математическое моделирование физико-химических процессов“ // Изд-во ЛЭТИ, С.-Пб., 1991, - 28 с.

Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М.:Радио и связь, 1991.

Вольпяс В.А., Зайцев А.Г., Козырев А.Б., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Процессы получения тонких пленок методами ионно-плазменной технологии: Текст лекций // Изд-во ЭТИ, СПб., 1992, - 36 с.

Форрестер А.Т. Интенсивные ионные пучки. М.:Мир, 1992.

Вольпяс В.А., Козырев А.Б. Физика слабоионизованной плазмы (монография) // Санкт-Петербург, ТОО “Складень“, 1997, -130с. (Volpyas V.A., Kozyrev A.B., Physics of weakly-ionized plasma (monograph) // St-Petersburg, “Skladen“ publishing, 1997, -130 p).

6