- •Глава 1 Кристаллические тела и их структура. §1.1. Классификация твердых тел
- •§1.2. Типы связи в кристаллах и их характеристики
- •§1.3. Элементы симметрии кристалла. Кристаллографические системы. Решетки Браве
- •§1.4. Индексы Миллера
- •§1.5. Явление полиморфизма
- •§1.5. Реальные кристаллы. Дефекты кристаллической решетки.
- •Глава 2 Тепловые свойства твердых тел §2.1. Колебания кристаллической решетки. Фононы.
- •§2.2. Теплоемкость твердого тела
- •§2.3. Теплопроводность твердого тела
- •Глава 3. Элементы физической статистики
- •§3.1 Способы описания состояния макроскопической системы
- •§3.2. Невырожденные и вырожденные системы.
- •§3.3. Число состояний для микрочастиц.
- •§3.4. Функция распределения невырожденного газа
- •§3.5. Функция распределения для вырожденного газа фермионов
- •§3.6. Функция распределения для вырожденного газа бозонов
- •§3.7. Правила статистического усреднения.
- •§4.2. Энергетические зоны кристалла
- •§4.3. Зависимость энергии электрона от волнового вектора
- •§4.4. Эффективная масса электрона
- •§4.5. Собственные полупроводники. Понятие о дырках
- •§4.6. Примесные полупроводники
- •§4.7. Положение уровня Ферми и концентрация свободных носителей в полупроводниках
- •§4.8. Неравновесные носители
- •§4.10. Фотопроводимость полупроводников
- •§4.11. Люминесценция
- •Глава 5 Электропроводность твердых тел
- •§5.1. Равновесное состояние электронного газа в проводнике в отсутствие электрического поля
- •§5.2. Дрейф электронов под действием внешнего поля
- •§5.3. Время релаксации и длина свободного пробега
- •§5.4. Удельная электропроводность проводника
- •§5.5. Электропроводность невырожденного и вырожденного газов
- •§5.6. Зависимость подвижности носителей заряда от температуры
Глава 5 Электропроводность твердых тел
§5.1. Равновесное состояние электронного газа в проводнике в отсутствие электрического поля
В отсутствие электрического поля электронный газ в проводнике находится в равновесном состоянии и описывается равновесными функциями распределения. Для вырожденного газа ею является функция Ферми — Дирака (рис. 5.1, а), для невырожденного газа - функция Максвелла - Больцмана (рис. 5.1,6).
Рис. 5.1
Из рис. 5.1 видно, что графики этих функций симметричны относительно оси ординат. Это указывает на то, что количество электронов в проводнике, движущихся в противоположных направлениях, всегда одинаково, а их средняя скорость в любом направлении равна нулю. Этим объясняется тот факт, что в проводнике, содержащем сколь угодно большое количество свободных электронов, электрический ток не возникает.
Установление равновесия электронного газа происходит в результате взаимодействия электронов с дефектами решетки, которое сопровождается обменом энергии и импульса. Такими дефектами являются, прежде всего, тепловые колебания решетки (фононы) и примесные атомы. Взаимодействие приводит к рассеянию электронов и установлению беспорядочного движения их в проводнике.
§5.2. Дрейф электронов под действием внешнего поля
При приложении к проводнику электрического поля Е в нем возникает электрический ток, плотность которого согласно закону Ома пропорциональна E:
(5.1)
Коэффициент пропорциональности σ называется удельной электропроводностью проводника. Она измеряется в Ом-1·м-1. У хороших проводников, таких, например, как металлы, σ ≈ 107 - 108 Ом-1·м-; у хороших диэлектриков σ ≈ 10-12 - 10-14 Ом-1·м-1. Часто удобнее пользоваться не удельной электропроводностью, а удельным сопротивлением ρ:
ρ =1/σ (5.2)
Удельное сопротивление измеряется в омметрах (Ом·м). У металлов ρ ≈ 10-7—10-8 Ом·м, у диэлектриков ρ ≈ 1012—1014 Ом·м.
В
озникновение
тока в проводнике свидетельствует о
том, что под действием поля электроны
приобретают направленное движение, и
функция распределения их по состояниям
изменяется. Такое направленное движение
называют дрейфом электронов, а среднюю
скорость этого движения — скоростью
дрейфа vД.
Вычислим ее.
Рис. 5.2
Сила,
действующая на электрон со стороны поля
Е,
равна F
= - qЕ
(рис.
5.2). Под действием этой силы электрон
должен был бы двигаться ускоренно, и
его скорость должна была бы непрерывно
возрастать. Однако при своем движении
электрон сталкивается с дефектами
решетки и, рассеиваясь, теряет скорость,
приобретенную под влиянием поля. Действие
решетки можно формально свести к действию
силы сопротивления
,
которую испытывает электрон при своем
движении через решетку. Эта сила
пропорциональна скорости движения
электрона
и направлена противоположно ей:
, (5.3)
где 1/τ - коэффициент пропорциональности, физический смысл которого будет выяснен в дальнейшем;
mn — эффективная масса электрона.
Используя (5.3), уравнение направленного движения электрона в решетке можно записать в следующем виде:
(5.3′)
Из
(5.3′)
видно, что после включения поля скорость
направленного движения электронов
будет возрастать и они будут двигаться
ускоренно до тех пор, пока сила
сопротивления
,
пропорциональная скорости vД(t),
не окажется равной силе
,
действующей со стороны поля. Когда эти
силы сравняются, результирующая сила,
действующая на электрон, и ускорение
его движения будут равны нулю.
Начиная с этого момента, направленное движение электронов будет совершаться с постоянной скоростью
(5.4)
Так
как заряд электрона отрицателен, то
дрейф происходит в направлении,
противоположном
.
Отношение скорости дрейфа к напряженности поля называют подвижностью носителей:
(5.5)
Для электронов un<0, для дырок up > 0.
При постоянной напряженности поля E скорость дрейфа, согласно (5.4), достигает постоянного значения. Это возможно лишь в том случае, если сила F = - qЕ, с которой поле действует на электрон, компенсируется силой сопротивления Fc. В противном случае скорость дрейфа непрерывно росла бы и даже для малых полей могла бы стать сколь угодно большой. Электропроводность в этом случае была бы бесконечной, а электрическое сопротивление равнялось бы нулю.
Подобная картина имела бы место при движении свободных электронов сквозь идеально правильную решетку со строго периодическим потенциалом. Электронная волна, описывающая поведение электрона в такой решетке, распространялась бы в ней практически без ослабления, подобно световой волне, распространяющейся в оптически прозрачной среде.
Причиной появления конечного электрического сопротивления являются всевозможные нарушения решетки, вызывающие искажения периодичности ее потенциала, на которых происходит рассеяние электронных волн и ослабление направленного потока электронов подобно рассеянию световых волн и ослаблению светового пучка при прохождении его через мутную среду.
