5.4.2. Уирс.
1. nмакc = f(R1).
2. nмакс = f (R2).
3. nмакс = f(RK).
4. ΔU°n =f(R1).
5. ΔU°n = f(R2).
6. t01 = f(R2) в схеме с антинасыщающими диодами.
7. t01 = f(R2) в схеме без антинасыщающих диодов.
8. t10 = f(Rl) — в схеме с антинасыщающими диодами.
9. t10 = f(Rl) — в схеме без антинасыщающих диодов.
10. tp = f(R1) — в схеме с антинасыщающими диодами и в схеме без этих диодов;
5.5. Вопросы для самоподготовки.
1. На вход схемы ФЛС подается сигнал.
Нарисовать сигнал на выходе схемы, если в моменты времени t0,1,2,3,4 происходит: а) уменьшение R1; б) увеличение R1; в) увеличение I°нагр ; г) увеличение Снагр; д) в момент t2 происходит обрыв цепи обратной связи с антинасыщаюшими диодами.
2. Как по входной и выходной характеристикам вычислить n?
3. Как изменится ХВВ, если увеличится нагрузка схемы?
4. Как меняется помехоустойчивость с ростом нагрузки схемы?
5. Будет ли работать схема, если диод V1 пробит и закорочен?
6. Как изменится S транзистора, если все резисторы уменьшить в 2 раза?
7. Как меняется ХВВ при использовании антинасыщающих диодов?
8. Как меняется t10 с уменьшением R1?
9. В чем достоинства и недостатки схемы с антинасыщающими диодами?
49
6. Лабораторная работа №4. Исследование схем ттл
Цель работы: экспериментальное изучение элементов транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).
6.1. Подготовка к лабораторной работе.
Подготовка к работе состоит из изучения работы элементов ТТЛ и ознакомления с основными зависимостями и параметрами элементов ТТЛ. Для этого следует изучить раздел 3.4 в [4], а также воспользоваться другой рекомендуемой литературой.
В таблице 6.1 приведены параметры элементов ТТЛ различных серий.
Подготовка к работе включает в себя составление отчета в соответствии с разделом 2. Теоретические характеристики взять из [4].
Таблица 6.1.
Параметры элементов ТТЛ различных серий
Параметр |
Серия (модификация) |
||||
К155 |
К131 |
К158 |
К531 |
К555 |
|
|
|
|
|
|
|
t103макс, нс |
15 |
10 |
100 |
5 |
2 |
t013макс, нс |
22 |
10 |
100 |
4,5 |
2 |
I0вх макс, мА |
1,6 |
2,3 |
0,18 |
2 |
0,4 |
I0н макс, мА |
16 |
23 |
1,8 |
20 |
4 |
I1вх макс, мА |
0,04 |
0,05 |
0,012 |
0.05 |
0,02 |
I1н макс, мА |
0,4 |
0,05 |
0,012 |
0,5 |
0,2 |
U0вых макс, В |
0,4 |
0,35 |
0,3 |
0,5 |
0,5 |
U1вых макс, В |
2,4 |
2,4 |
2,3 |
2,7 |
2,7 |
Pпотр.стат, мВт |
22 |
44 |
2 |
19 |
10 |
f раб.макс, мГц |
10 |
30 |
3 |
50 |
50 |
Сн.макс, пФ |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
50